H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 8979

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/31

Метки: нанесения, пленки, полупроводниковую, структуру, полипиромеллитимидной, способ

Текст:

...положительную роль. Однако химическое взаимодействие ПАК с алюминием заметно сильнее,протекает при более низкой температуре и оксид в данном случае играет отрицательнуюроль. Кроме того, он проявляет основные свойства И при температуре выше 400 С, используемой для рекристаллизации металлических пленок и формирования контактов межсоединений, разрушает полиимид в области контакта (на границе раздела), вступая с ним в химическую реакцию....

Номер патента: 9018

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Войтех Сергей Николаевич, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 29/92, H01L 29/94

Метки: микросхем, интегральных, конденсатор

Текст:

...и верхняя обкладка конденсатора сформированы из алюминия или его сплавов, а слой легированного поликристаллического кремния выполнен в виде буферного слоя толщиной 0,07-0,35 мкм, нанесенного на слой конденсаторного диэлектрика.Решение поставленной задачи обеспечивается следующим образом. Введение второго сильнолегированного скрытого слоя первого типа проводимости обеспечивает гарантированное разделение областей и уменьшение боковых...

Номер патента: 8992

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Шкуратов Александр Георгиевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/316, C23C 16/455, C23C 16/40...

Метки: способ, получения, стекла, пленки, борофосфоросиликатного

Текст:

...откачке.Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено.Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Подача в реактор паров ТЭОС, ФСС и БСС после стабилизации их потоков продувкой паров, минуя реактор(сначала по сбросовь 1 м магистралям пары реагентов подаются на скруббер, производится стабилизация их потоков, а затем переключением соответствующих клапанов производится...

Номер патента: 8991

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Шкуратов Александр Георгиевич, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Становский Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 16/455, H01L 21/316, C23C 16/40...

Метки: пленки, фосфоросиликатного, осаждения, стекла, способ

Текст:

...реактор, после осаждения пленки фосфоросиликатного стекла требуемой толщины прекращают подачу в реактор паров фосфоросодержащего соединения,осаждают адгезионный слой двуокиси кремния толщиной 10-25 нм без изменения температуры реактора и давления и прекращают подачу паров тетраэтоксисилана, при этом в качестве фосфоросодержащего соединения используют диметилфосфит, триэтилфосфит,триметилфосфит или триметилфосфат, дополнительно...

Номер патента: 8858

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Кавунов Андрей Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/48, H01L 23/482, H01L 21/60...

Метки: металлизация, прибора, полупроводникового

Текст:

...полупроводникового прибора.Адгезионный слой титана толщиной (0,07-0,15) мкм служит для улучшения адгезии слоя никеля или никеля с ванадием к буферному слою алюминия или его сплава, вовторь 1 х, структура А 1/Т 1 устойчива к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения А 1 Т 13. Интерметаллическое соединение А 1 Т 13 образуется на границе раздела алюминий - титан во время присоединения кремниевого...

Номер патента: 8887

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/482, H01L 23/48, H01L 21/60...

Метки: прибора, полупроводникового, металлизация

Текст:

...(О,1-1,О) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационного хранения пластин, а также первичное смачивание поверхности кристаллодержателя во время присоединения кремниевого кристалла. Верхний слой олова толщиной менее 0,1 мкм не обеспечивает достаточной защиты от окисления нижележащего слоя свинца, что приводит к ухудшению смачиваемости кристаллодержателя при посадке и снижению качества монтажа...

Номер патента: 8885

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Зубович Анатолий Николаевич, Тарасиков Михаил Васильевич, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/58, H01L 21/60

Метки: кристалла, кристаллодержателю, прибора, присоединения, кремниевого, полупроводникового, способ

Текст:

...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...

Номер патента: 8857

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Пшенко Анатолий Николаевич, Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: измерения, ионов, имплантированной, способ, структуре, полупроводниковой, дозы

Текст:

...и масс-спектрального рабочего диапазона.Поставленная задача достигается тем, что в способе измерения имплантированной дозы ионов в полупроводниковой структуре, включающем формирование на полупроводни шахковой подложке тестового элемента полевого типа, содержащего Контактные площадки истока И стока для зондовь 1 х измерений электрофизической характеристики тестового элемента в зависимости от приложенного К нему электрического...

Номер патента: 8758

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Шкуратов Александр Георгиевич, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 16/24, H01L 21/365

Метки: формирования, способ, поликристаллического, кремния, слоев

Текст:

...то обеспечивается термическая однородность. Осаждение поликремния осуществляется только после вывода реактора на второй уровень температуры, чем обеспечивается минимальный разброс температуры как вдоль реактора, так и по поверхности пластин и, следовательно, повышается стабильность и воспроизводимость процесса осаждения по толщине слоя поликристаллического кремния. При высокой скорости подъема температуры (более 9 С/мин) термическая...

Номер патента: 8810

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Дворников Олег Владимирович, Володкевич Александр Антонович, Муравьев Борис Дмитриевич

МПК: H01L 21/82, G01R 19/03

Метки: схема, интегральная, термочувствительная

Текст:

...кристалла, например, при помощи металлизированных межсоединений. В каждом кристалле сформирован биполярный транзистор 4, нагревательный резистивный элемент 5. Транзистор имеет Центрально расположенный коллекторный контакт 6, эмиттерные 7 и базовые 8 области. Эмиттерные области расположены по периферии транзистора максимально близко к нагревательному элементу симметрично относительно двух взаимно перпендикулярных осей УУ, 22. Эмиттерные,...

Номер патента: 8716

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Сенько Александр Сергеевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: изделий, качества, способ, поверхности, контроля

Текст:

...несовершенства поверхности, являющиеся важным показателем качества контролируемых поверхностей. Они приводят к диффузному рассеянию света и не могут быть идентифицированы.В результате при использовании способа-прототипа контроль качества поверхности в ряде случаев оказывается недостаточно объективным. Причиной этого является недостаточно высокое качество получаемой светотеневой Картины, обусловленное наложением зеркально и диффузно...

Номер патента: 8675

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, H01L 21/66...

Метки: поверхности, устройство, изделий, контроля, качества

Текст:

...возможностей устройства за счет пространственного разделения оптических компонент, формирующих изображение контролируемой поверхности.Поставленная задача решается тем, что устройство для контроля качества поверхности изделий, включающее точечный источник оптического излучения, держатель образцов И экран, между источником Излучения И держателем образцов содержит подвижный трафарет, отверстие в котором обеспечивает освещение...

Номер патента: 8759

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Портнов Лев Яковлевич

МПК: H01L 21/58, H01L 21/60

Метки: прибора, полупроводникового, кристаллодержателю, присоединения, кристалла, способ, кремниевого

Текст:

...требований технологического процесса сборки. С другой стороны, для получения качественного присоединения кристалла к кристаллодержателю полупроводникового при ВУ 8759 С 12006.12.30бора И достижения высокого выхода годных приборов необходимо обеспечить полное и равномерное растекание припоя по паяемой поверхности кремниевого кристалла и кристаллодержателя во время присоединения, а также согласовать их термические коэффициенть 1 линейного...

Номер патента: 8754

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/322, H01L 21/26, H01L 21/263...

Метки: полупроводниковых, приборов, кремниевых, способ, обработки, радиационной

Текст:

...носителей заряда, можно достичь, если рекомбинационные центры распределены не равномерно по базовой области, а в виде профиля, спадающего вглубь базы. Это позволяет существенно (уменьшить) снизить энергопотери на приборе в проводящем состоянии.Сущность изобретения состоит в том, что готовые кремниевые приборы, находящиеся под обратным смещением, подвергают облучению пучком электронов при пониженной температуре 90-120 К. Такая...

Номер патента: 8580

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Кукреш Анна Брониславовна, Лысюк Анатолий Александрович

МПК: H01L 21/306, C09K 13/08

Метки: способ, пленки, раствора, кремния, приготовления, травления, диоксида

Текст:

...слоты низкие и постоянно меняются, это приводит в известном способе приготовления раствора к низкой скорости травления пленки диоксида кремния и нестабильности скорости травления пленки диоксида кремния. В основу изобретения положена задача увеличения и стабилизации скорости травления пленки диоксида кремния. Сущность изобретения заключается в том, что способ приготовления раствора для травления пленки диоксида кремния включает смешивание...

Номер патента: 8579

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Гладкова Людмила Владимировна, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Турыгин Анатолий Викторович

МПК: H01L 21/306

Метки: регенерации, состав, основе, травителя, кислоты, ортофосфорной

Текст:

...автоматизированной установке 2.1. Рассчитать объем и массу компонентов для приготовления заданного объема состава, исходя из соотношения компонентов, указанного в формуле гексафторосиликат аммония 0,3-1,0 г/л вода остальное. 2.2. Закачать с помощью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетную массу гексафторосиликата аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов. 2.4. Перемешать...

Номер патента: 8569

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Луценко Евгений Викторович, Шуленков Алексей Серафимович, Стогний Александр Иванович, Яблонский Геннадий Петрович, Шинеллер Бернд, Хойкен Михаель

МПК: H01L 21/283, H01L 21/28, H01L 33/00...

Метки: изготовления, омического, эпитаксиальному, прозрачного, контакта, p-gan, слою, способ

Текст:

...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...

Номер патента: 8442

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Трапашко Георгий Алексеевич, Точицкий Яков Иванович, Матюшков Владимир Егорович

МПК: H01L 21/027

Метки: двухстороннего, экспонирования, совмещения, способ

Текст:

...на верхней и нижней плоскостях подложки получается в результате накопления погрешностей всех этапов совмещения ФШ, ФШ с подложкой и вертикальных перемещений верхнего ФШ. Сумма по 2 8442 1 2006.08.30 грешностей этих этапов и будет общей погрешностью совмещения знаков на двух плоскостях подложки. Задачей изобретения является увеличение точности совмещения знаков на двух плоскостях подложки. Поставленная задача достигается тем, что...

Номер патента: 8380

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Тарасиков Михаил Васильевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...раскислять естественный 2 с образованием проводящих оксидов рения, стабилизирующих границу раздела. Кроме того, сплав - обладает по сравнению сболее высокой прочностью при сохранении относительно высокой пластичности 5. 3 8380 1 2006.08.30 Слой титана в многослойном электроде толщиной 0,07-0,15 мкм является адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминийкремний, во-вторых структура / устойчива к...

Номер патента: 8449

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Карпов Иван Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Пеньков Анатолий Петрович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/329, H01L 21/328, H01L 29/47...

Метки: шоттки, способ, диода, изготовления

Текст:

...адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминий-кремний, во-вторых,4 8449 1 2006.08.30 структура - стойка к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения 3. Толщина слоя титана 0,07-0,15 мкм выбирается как из приведенных выше соображений, так и из условия минимизации механических напряжений в многослойной структуре /////. Сущность изобретения поясняется фиг....

Номер патента: 8451

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: B28D 5/02, H01L 21/304, H01L 21/302...

Метки: резки, слитков, кремния, пластины, способ

Текст:

...слитка не происходит из-за высокой жесткости последнего. Все это значительно стабилизирует процесс резки и снижает осевое биение режущего круга. Снижение осевого биения режущего круга приводит к более равномерному распределению и снижению глубины нарушенных слоев на поверхностях отрезаемых пластин и к 3 8451 1 2006.08.30 заметному улучшению геометрических параметров отрезаемых пластин - уменьшается прогиб пластин и исчезает микроволнистость...

Номер патента: 8342

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Сенько Сергей Федорович, Сенько Александр Сергеевич, Пуглаченко Елена Георгиевна

МПК: G01B 11/30, H01L 21/66, G01N 21/88...

Метки: способ, поверхностей, изделий, контроля, качества

Текст:

...ямок и бугорков различных размеров и форм. Наличие ямки приводит к фокусировке отраженного света, что на топограмме проявляется в появлении более светлого, по сравнению со средней освещенностью топограммы, пятна. Наличие бугорка, наоборот, приводит к расфокусировке света, что проявляется в появлении на топограмме темного пятна. Интенсивность освещения любой точки на экране отражает локальную кривизну контролируемой поверхности в...

Номер патента: 7946

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02, H01L 21/304...

Метки: изготовления, способ, полупроводниковых, пластин, кремния

Текст:

...части слитка. В областях пересечения основных плоскостей скольжения по мере увеличения плотности дислокаций формируются микротрещины, обусловливающие стружкообразование и микроскалывание фрагментов кремния в процессе резания. Смещение области пересечения основных плоскостей скольжения в сторону остающейся части слитка увеличивает глубину нарушенного слоя в торце слитка. В результате это приводит к тому, что глубина нарушенного слоя на...

Номер патента: 7739

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Зарецкая Елена Петровна, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: zn2-2xcuxinxiv2, твердых, пленок, способ, получения, растворов

Текст:

...синтеза и рекристаллизации слоя. Экспериментально показано,что превышение концентрации индия над стехиометрической на 5-10 ат.необходимо для компенсации потерь индия в процессе синтеза, вызванного образованием легколетучего бинарного халькогенида индия при Т 150 С 3. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогена в базовый слой с образованием многофазной...

Номер патента: 7756

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: C23C 14/00, H01L 21/28, H01L 21/02...

Метки: системы, способ, интегральных, металлизации, схем, изготовления

Текст:

...процесс проводят после УФ-облучения фоторезиста в 0,9 растворе гидрооксида калия, применяемом для проявления фоторезиста. При этом по окончании удаления фоторезиста происходит контакт поверхности полиимидной пленки с раствором щелочи и протекает первая стадия гидролиза. Химическая реакция взаимодействия гидрооксида калия и полиимида представлена ниже Наличие на поверхности полиимидной пленки солей полиамидокислоты отрицательно...

Номер патента: 7431

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Воробьева Алла Ильинична, Сокол Виталий Александрович, Уткина Елена Апполинарьевна

МПК: H01L 29/80, H01L 21/28

Метки: способ, элемент, трехэлектродный, активный, изготовления

Текст:

...управляющей сетки и матрицы изолирующего материала. Фиг. 11 показывает схему переноса электронов в отдельном канале (а) и диаграмму отбора электронов в канале по импульсу (б) при различных управляющих напряжениях на сетке. На чертежах приняты следующие обозначения 1 - подложка 2 - слой истока- 1-й уровень 3 - слой Та 4 - матрица пористого анодного оксида алюминия 23 5 - слой 25 6 - квазипроводящие каналы со множеством столбиков (25 или 25) 7 -...

Номер патента: 7255

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Сенько Александр Сергеевич, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30

Метки: контроля, изделий, устройство, качества, поверхности

Текст:

...приведенной на фиг. 3, показано заявляемое устройство, включающее точечный источник света, помещенный в корпус 1, внутри которого установлено выпуклое зеркало. Источник света питается от блока питания 2, установленного вне рабочей зоны контроля. Свет от точечного источника после отражения от выпуклого зеркала попадает на предметный столик 3 с установленной на нем контролируемой пластиной. Отраженный пучок света направляется на экран...

Номер патента: 7368

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/308

Метки: травитель, анизотропного, кремния, ориентации, травления, 100

Текст:

...температуре. Процесс травления при этом растягивается во времени. А при концентрации более 10 , например 15 , заметно повышается скорость травления маскирующего оксида кремния, что приводит к ухудшению качества травления. Глицерин является пассивным компонентом травителя и не оказывает существенного влияния на скорость или направление химической реакции травления кремния. Его роль заключается в том, что он является средой, в которой...

Номер патента: 7220

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Болдышева Ирина Петровна, Белятко Дмитрий Петрович, Прудник Александр Михайлович, Лыньков Леонид Михайлович

МПК: H01L 21/033

Метки: обратной, литографии, способ

Текст:

...алюминия, формирование контактной маски путем селективного травления пленки алюминия,нанесение пленки рабочего материала и удаление контактной маски 2. Недостатком данного способа является ограниченный диапазон применяемых рабочих материалов. Задачей настоящего изобретения является получение технического результата, который выражается в понижении температуры взрыва (удаления) контактной маски, что позволит расширить диапазон используемых...

Номер патента: U 2035

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Пась Николай Сергеевич, Баршай Федор Петрович, Панков Александр Демидович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: гравитационный, сортировщик

Текст:

...размещена на продолжении линии хорды участка зацепления сектора, а центр делительной окружности совмещен с центром поворота рычага, позволяет обеспечить беззазорное зацепление и уменьшить погрешность совмещения выхода гибкой части трека со входами каналов сортировки. На фиг. 1 показана полезная модель - гравитационный сортировщик, вид со стороны пульта управления на фиг. 2 - то же, проекция на наклонную плоскость. На фиг. 3, 4, 5...

Номер патента: 7142

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Тептеев Алексей Алексеевич, Согрина Елена Вячеславовна, Шкловская Жанна Мечиславовна

МПК: H01L 21/28

Метки: формирования, способ, разводки

Текст:

...напыляют слой никеля толщиной 0,15 мкм. После чего формируют фоторезистивную маску с рисунком разводки. Затем через эту маску вытравливают напыленные ранее слои металла до слоя нижнего никеля. Фоторезистивную маску удаляют. Полученный рельеф слоев металла покрывают слоем никеля толщиной 0,1-0,15 мкм и золота толщиной более 1,0 мкм соответственно через сформированную фоторезистивную маску с размерами на 2-5 мкм щире с каждой стороны, чем...

Номер патента: 7113

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Тарасиков Михаил Васильевич, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...процессе сборки диффундируют преимущественно в виде ионов и поэтому они оказываются связанными зарядовыми ловушками, расположенными на границе раздела диэлектрических слоев 51 О 2/Та 2 О 5. По этой причине их присутствие в обедненном слое контакта Шоттки практически исключается и дестабилизирующего действия примесей во время работы прибора не происходит.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором представлен поперечный разрез диода...

Номер патента: 7011

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Андрей Васильевич, Лашицкий Эдуард Казимирович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28

Метки: холодильник, полупроводниковый

Текст:

...коэффициентом передачи электронов на р-область 3 нанесен варизонный рМг-слой 5 также методом жидкофазной или газофазной эпитаксии, который согласовывает р-область 3 и р 1-область 6 по постоянным кристаллических решеток. Варизонный ртг-слой 5 представляет твердыйраствор интерметаллического соединения АХА В. Параметр степени концентрациикомпонента в ртг-слое 5 Изменяется от нуля до единицы, причем со стороны р-области 3 он представляет...

Номер патента: 7007

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Калантаева Татьяна Владимировна, Шамкалович Владимир Иванович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28

Метки: способ, изготовления, термоэлемента, полупроводникового

Текст:

...выполнена из широкозонного бинарного соединения баАз, то варизонный слой реализуется структурой 1 пх 6 а 1 ХА 5, где х - параметр степени концентрации компонента в растворе, путем монотонного снижения интенсивности потока компонента Ап 1 от максимального значения до нуля и монотонного повышения интенсивности потока компонента Ап 2 от нуля до максимального значения. Параметр х изменяется от 1 до нуля. Режим формирования варизонного слоя Ап 1...

Номер патента: 7025

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Варатницкий Владимир Владимирович, Достанко Анатолий Павлович, Бордусов Сергей Валентинович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/302

Метки: материалов, плазменной, устройство, обработки

Текст:

...устройство содержит диэлектрическую разрядную камеру, выполненную в виде вертикально расположенного и герметично закрытого с обоих торцов полого кварцевого цилиндра с размещенными внутри верхним и нижним плоскопараллельными электродами, а магнитная система выполнена в виде двух соленоидов, расположенных друг над другом вокруг кварцевого цилиндра, обмотки которых расположены между ограничительными стальными дисками-магнитопроводами,...

Номер патента: 6828

Опубликовано: 30.03.2005

Авторы: Шамкалович Владимир Иванович, Сычик Андрей Васильевич, Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 35/28

Метки: холодильник, термоэлектрический

Текст:

...экстрагируемых из 1- в 1-область и, как показали результаты эксперимента, составляет (25). Сильнолегированный 1 слой 4 представляет часть 1-области 3, который сформирован путем введения высокой концентрации донорной примеси 1020 см-3, обладает малым сопротивлением и обеспечивает омический контакт с металлическим слоем 7. Сильнолегированный 1-слой 6 представляет часть 1-области 5 и также сформирован методом диффузии или ионной имплантации...

Номер патента: 6943

Опубликовано: 30.03.2005

Авторы: Лыньков Леонид Михайлович, Прудник Александр Михайлович, Болдышева Ирина Петровна

МПК: H01L 21/76

Метки: интегральных, межкомпонентной, изготовления, способ, микросхем, изоляции

Текст:

...степень интеграции компонентов ИМС.Так, с разрешающей способностью литографии 3,6 мкм по цирконию, после операции гидрирования металла, толщиной 1 мкм зазор получается равным 1 мкм, что дает вь 1 игрь 1 ш 3 мкм на каждой разделительной канавке.Способ позволяет повысить степень интеграции компонентов интегральных схем, а также существенно снизить температуру обработки металла.На фиг. 1 (а-е) изображены отдельные этапы технологического процесса...

Номер патента: 6613

Опубликовано: 30.12.2004

Авторы: Уткина Елена Апполинарьевна, Воробьева Алла Ильинична, Сокол Виталий Александрович

МПК: H01L 49/02

Метки: тонкопленочной, резистивно-коммутационной, интегральной, микросхемы, изготовления, способ

Текст:

...в слое. Затем формируют дорожки межсоединений последующих уровней металлизации повторением операций осаждения пленки А, маскирования и анодного оксидирования. Это дает возможность получения резисторов с широким диапазоном номиналов от(1050)Ом до 100 Мом и ТКС (10-4104). Так как тонкопленочные резисторы изготавливаются на планарной поверхности подложки, они имеют высокую точность номиналов из-за значительного упрощения технологического...

Номер патента: 6430

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/26, H01L 21/268

Метки: мдп, схем, кремниевых, способ, изготовления, интегральных

Текст:

...чем клтр кремния, то в пленке нитрида кремния на границе с оксидом возникают еще большие механические напряжения, чем в кремнии. По этой причине основная часть загрязняющей примеси из кремния и оксида кремния переходит в нитрид кремния, который затем удаляется. Этот переход происходит при термообработке, каковой является операция локального окисления кремния. Таким образом, нитрид кремния является своеобразным встроенным геттером для...

Номер патента: 6429

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/316, H01L 21/76

Метки: межкомпонентной, кмдп, изготовления, интегральных, схем, способ, изоляции

Текст:

...счет снижения дефектности подложки в области изолирующего перехода и уровней механических напряжений в ней. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающем формирование областей карманов в кремниевой подложке, нанесение нитридной маски, подлегирование подложки с активизацией примеси путем термообработки в атмосфере инертного газа для получения - охранных областей,...