Патенты с меткой «прибора»

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Подковщиков Николай Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: полупроводникового, способ, прибора, обратной, кристалла, стороны, металлизации, формирования

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: прибора, металлизация, кристалла, обратной, полупроводникового, стороны

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: полупроводникового, кристалла, способ, кристаллодержателю, кремниевого, прибора, присоединения

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Номер патента: U 9250

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Смирнов Дмитрий Сергеевич, Фокин Алексей Николаевич, Козлов Андрей Николаевич

МПК: B60T 17/06, F16L 35/00

Метки: прибора, тормозной, штуцера, транспорта, соединения, системы, узел, железнодорожного, корпусом

Текст:

...обеспечивающей снижение трудоемкости монтажа трубы к прибору, а также исключающей возможность попадания прядей льна внутрь прибора, и возможность эксплуатации соединения в необходимом диапазоне температур с сохранением герметичности при наличии вибрационных и динамических нагрузок с увеличением при этом межремонтных сроков. Указанный технический результат достигается тем, что узел соединения штуцера с корпусом прибора тормозной системы...

Номер патента: U 8286

Опубликовано: 30.06.2012

Автор: Зуев Александр Борисович

МПК: F16L 33/16

Метки: жесткого, полимерным, эластичным, штуцера, газа, жидкости, соединение, трубопроводом, прибора, или, машины

Текст:

...поверхности в форме плоскости, перпендикулярной оси канала трубопровода, и шар, усеченный по меньшей мере с одной стороны сквозного диаметрального канала с формированием поверхности в форме усеченного конуса. В предпочтительных формах реализации заявляемого соединения наружный диаметр распорного элемента определен как сумма величин наружного диаметра эластичного полимерного трубопровода и толщины его стенки. 3 82862012.06.30 Распорный...

Номер патента: U 8126

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Арестович Дмитрий Николаевич, Денисевич Александр Петрович, Филиппович Андрей Геннадьевич, Яцукович Александр Геннадьевич, Филиппович Геннадий Александрович

МПК: A62C 99/00

Метки: древесины, зонд, контроля, прибора, огнезащищенности, оперативного, емкостной

Текст:

...расстоянием между зубьями гребенки, относительной диэлектрической проницаемостью стеклотекстолита и диэлектрической проницаемостью контактируемого с ним материала. Такой датчик имеет следующие недостатки датчик жестко закреплен на конструкции прибора, что не исключает перекоса датчика при контакте с измеряемым образцом результат измерения в такой конструкции в значительной степени зависит от прижимного усилия, что является особенно...

Номер патента: U 8125

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Арестович Дмитрий Николаевич, Денисевич Александр Петрович, Филиппович Геннадий Александрович, Шашок Виктор Николаевич, Филиппович Андрей Геннадьевич, Яцукович Александр Геннадьевич

МПК: A62C 99/00

Метки: фильтр, древесины, электрический, оперативного, огнезащищенности, прибора, контроля

Текст:

...(прототипом) является электрический фильтр прибора для измерения диэлектрической проницаемости материалов 1. Фильтрующие свойства прибора определяются индуктивностью (дросселем) 3 и конденсатором 4. Такой фильтр имеет следующие недостатки низкие фильтрующие свойства в области как высоких, так и низких частот, что снижает помехозащищенность прибора значительную неравномерность коэффициента передачи в диапазоне частот. Последний фактор...

Номер патента: 14985

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Керенцев Анатолий Федорович, Сарычев Олег Эрнстович, Выговский Станислав Вячеславович, Зубович Анатолий Николаевич

МПК: H01L 23/12

Метки: изготовления, мощного, прибора, полупроводникового, способ

Текст:

...металлокерамических корпусов. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления мощного полупроводникового прибора, при котором выполняют части его корпуса в виде основания, обечайки,выводов, ободка, крышки и термокомпенсатора, в обечайке выполняют два сквозных отверстия и выемку для выводов, упомянутые части корпуса обезжиривают, промывают в деионизованной воде, сушат и отжигают изготавливают керамические изоляторы...

Номер патента: 14318

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: межуровневая, изоляция, полупроводникового, диэлектрическая, прибора

Текст:

...обнажается поверхность пленки на основе диоксида кремния, к которой полиимид имеет очень слабую адгезию. Толщина пленки нитрида кремния более 0,15 мкм нецелесообразна в связи с тем, что затраты на ее формирование увеличиваются без получения дополнительных преимуществ. Кроме того, в структуре растут механические напряжения, которые приводят к возникновению характерных дефектов, в частности пор в диэлектрической изоляции, что приводит к снижению...

Номер патента: 13628

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Мозжаров Сергей Евгеньевич, Колпаков Владимир Иванович, Сакевич Валерий Николаевич, Алексеев Александр Николаевич, Зиновенко Виктор Семенович

МПК: G01R 35/00

Метки: системой, способ, информации, стрелочного, автоматической, осуществления, отображения, устройство, измерительного, поверки, матричной, прибора

Текст:

...при включенном осветителе шкалы, запоминают полученные изображения, переводят их в бинарный вид и кадрируют, выделяя индивидуально для каждой поверяемой отметки фрагменты изображения, необходимые для расчета относительного положения стрелки и поверяемой отметки, рассчитывают относительную погрешность указанного расположения и выдают сигнал о результатах расчета, далее осуществляют поверку матричной системы отображения информации сначала в...

Номер патента: 13237

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, полупроводникового, прибора, способ

Текст:

...нитрида кремния в водороде химическая связь между атомами кремния и азота разрывается, а на оборванные связи присоединяется водород. Связь кремния с водородом при контакте с воздухом окисляется, а связь азота с водородом, представляющая собой не что иное как модифицирующие аминогруппы, остается стабильной вплоть до нанесения пленки полиамидокислоты. Поскольку нитрид кремния содержит очень много азота, количество образовавшихся...

Номер патента: U 6196

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/02

Метки: диэлектрическая, изоляция, межуровневая, полупроводникового, прибора

Текст:

...дефектов. Кроме того, пленки нитрида кремния характеризуются высокими барьерными свойствами по отношению к катионным загрязнениям, что обеспечивает дополнительные преимущества заявляемой конструкции. Минимальная толщина нитрида кремния, равная 0,02 мкм, обусловлена тем, что при меньших значениях существующие методы получения таких пленок не обеспечивают их сплошность, формируемая пленка носит островковый характер. Кроме того, в процессе...

Номер патента: 12545

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Осипов Александр Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Выговский Станислав Вячеславович, Горобец Григорий Александрович

МПК: H01L 23/00

Метки: полупроводникового, корпус, прибора, мощного

Текст:

...стекла С-76-4 с обечайкой из стали, которые имеют существенное различие в коэффициентах термического линейного расширения (КТЛР), что способствует возникновению в стеклоспае механических напряжений, приводящих к образованию сквозных и несквозных микротрещин в стекле и снижению герметичности по ВУ 12545 С 12009.10.30сле термоциклирования. Так как стеклоспай обладает низкой устойчивостью К механическим деформациям выводов при эксплуатации,...

Номер патента: 12022

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, прибора, кристаллодержателю, присоединения, кремниевого, кристалла, полупроводникового

Текст:

...кремниевого кристалла к кристаллодержателю ПП, повышает выход годных ИСМЭ, а также упрощает технологию изготовления кристалла полупроводникового прибора, так как не требуется наносить многослойную припоеобразующую композицию на обратную сторону кристалла. Выбор отношения массы дозы припоя к произведению площади кристалла и плотности припоя из диапазона (1,0-1,96), где- необходимая толщина паяного соединения,объясняется следующим образом....

Номер патента: 11643

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Шведов Сергей Васильевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66

Метки: уровней, выявления, глубоких, прибора, полупроводникового, p-n-переходе, способ

Текст:

...максимум, то делают вывод о присутствии дефектов с ГУ. Для каждого значения среднего токаопределяют по графику Т, при которой зависимостьдостигает максимума. Для каждой пары ближайших значений средних токов 1,2 и соответствующих им температур 1 и Т 2 вычисляют энергию термической ионизации ГУпо формуле (1). Вычисляют среднее арифметическое значениевсех полученных таким образом величин , которое и является наиболее вероятным значением...

Номер патента: 11169

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, металлизации, способ, прибора, полупроводникового, системы

Текст:

...пределах приводят к постоянному перераспределению механических напряжений в структуре и возникновению все новых разрывов гидрооксидной пленки. При этом с каждым новым циклом прекращается рост бугорков, возникших при проведении предыдущего цикла, и начинается рост новых бугорков. Однако, поскольку длительность каждого цикла довольно мала, бугорки не успевают вырасти большими. Таким образом, кристаллизация пленки и формирование омических...

Номер патента: 11168

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, способ, прибора, изготовления

Текст:

...толщины собственного оксида, образующегося при хранении структур на воздухе (2 нм), и поэтому является гарантом стабильности полученной поверхности. Время окисления зависит от режимов обработки (давления кислорода, мощности и т.д.), но в большинстве случаев не превышает 5 мин. Типичные значения составляют 0,5-1 мин. Такие процессы обработки в плазме кислорода широко используются в технологии микроэлектроники, например, для удаления...

Номер патента: 11167

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, системы, полупроводникового, способ, металлизации, кремниевого, прибора

Текст:

...используют частично имидизированные пленки. Требуемая адгезия достигается химическим взаимодействием ПАК с алюминием с образованием химической связи между ними в соответствии с реакцией Продукт реакции можно классифицировать как соль. Ее образование сопровождается возникновением положительных ионов алюминия на границе раздела металл - ПИ. Наличие таких ионов, даже связанных в химическое соединение, не может способствовать повышению...

Номер патента: 10921

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Портнов Лев Яковлевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: прибора, металлизации, способ, системы, полупроводникового, изготовления

Текст:

...проводят путем трехкратного - пятнадцатикратного воздействия импульсами магнитного поля энергией 0,5-10 кДж каждый. Сущность заявляемого технического решения заключается в селективном высокоэнергетическом воздействии на металлическую пленку при магнитно-импульсной обработке,что приводит к ее быстрой рекристаллизации без возникновения дефектов. Импульсное магнитное поле, взаимодействуя с полупроводниковой структурой, обусловливает...

Номер патента: 10417

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Керенцев Анатолий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: металлизация, прибора, полупроводникового

Текст:

...кристалла и кристаллодержателя. При суммарной толщине слоев многослойной структуры серебро-олово более 15 мкм не происходит дальнейшего улучшения качества присоединения кремниевого кристалла к подложкодержателю полупроводникового прибора, поскольку излишки расплавленного припоя выдавливаются из-под кристалла, что экономически нецелесообразно. Для обеспечения качества сборки ИСМЭ необходимо, чтобы температура плавления припоя...

Номер патента: 8858

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Кавунов Андрей Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/48, H01L 23/482, H01L 21/60...

Метки: прибора, полупроводникового, металлизация

Текст:

...полупроводникового прибора.Адгезионный слой титана толщиной (0,07-0,15) мкм служит для улучшения адгезии слоя никеля или никеля с ванадием к буферному слою алюминия или его сплава, вовторь 1 х, структура А 1/Т 1 устойчива к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения А 1 Т 13. Интерметаллическое соединение А 1 Т 13 образуется на границе раздела алюминий - титан во время присоединения кремниевого...

Номер патента: 8887

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Портнов Лев Яковлевич, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/482, H01L 21/60, H01L 23/48...

Метки: полупроводникового, прибора, металлизация

Текст:

...(О,1-1,О) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационного хранения пластин, а также первичное смачивание поверхности кристаллодержателя во время присоединения кремниевого кристалла. Верхний слой олова толщиной менее 0,1 мкм не обеспечивает достаточной защиты от окисления нижележащего слоя свинца, что приводит к ухудшению смачиваемости кристаллодержателя при посадке и снижению качества монтажа...

Номер патента: 8885

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Зубович Анатолий Николаевич, Соловьев Ярослав Александрович, Тарасиков Михаил Васильевич, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/60, H01L 21/58

Метки: полупроводникового, кристаллодержателю, способ, прибора, кристалла, присоединения, кремниевого

Текст:

...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...

Номер патента: 8759

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Портнов Лев Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/60, H01L 21/58

Метки: кристалла, способ, кристаллодержателю, кремниевого, присоединения, прибора, полупроводникового

Текст:

...требований технологического процесса сборки. С другой стороны, для получения качественного присоединения кристалла к кристаллодержателю полупроводникового при ВУ 8759 С 12006.12.30бора И достижения высокого выхода годных приборов необходимо обеспечить полное и равномерное растекание припоя по паяемой поверхности кремниевого кристалла и кристаллодержателя во время присоединения, а также согласовать их термические коэффициенть 1 линейного...

Номер патента: U 2921

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Козарезов Николай Васильевич, Тишкевич Сергей Матвеевич

МПК: H05K 7/18, G12B 9/02

Метки: корпусная, электронного, варианты, конструкция, прибора

Текст:

...призмы,крепежные элементы для взаимодействия с панелью внешнего установочного устройства,при этом одна из боковых поперечных стенок корпуса снабжена прорезями для вывода контактных соединителей узла электронной схемы, согласно полезной модели, крепежные элементы выполнены в виде упоров, которые смонтированы на наружных поверхностях продольных боковых стенок корпуса с возможностью плотного контакта с внешним установочным устройством, при...

Номер патента: 5462

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: ЛАНГЕЛЬС, Штефан, БЕГЕЛЬ-ПЕТТЕР, Юрген, ЗИНШТЕДЕН, Клаудиа, ХЕЛЛЕР, Младен

МПК: E05D 5/02

Метки: детали, расположение, прибора

Текст:

...в результате чего оказывается влияние на величину зазора между неподвижной и створчатой рамами. В частности, такие средства по п. 13 формулы изобретения могут содержать винт, который в целях экономии места может быть выполнен по п. 14 формулы изобретения в виде потайного винта. На чертежах представлены примеры осуществления изобретения. На фиг. 1 показан вид в перспективе двух расположенных рядом участков рамы, связанных между собой...