Емельянов Антон Викторович

Номер патента: U 10679

Опубликовано: 30.06.2015

Авторы: Посылкина Ольга Ивановна, Латушкина Светлана Дмитриевна, Романов Игорь Михайлович, Жижченко Алексей Геннадьевич, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: C23C 14/00

Метки: покрытие, защитное, многослойное

Формула / Реферат:

Многослойное защитное покрытие, содержащее первый слой титана и последующие чередующиеся слои на основе титана толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев от 4 до 50, отличающееся тем, что упомянутые чередующиеся слои выполнены из нитрида иМногослойное защитное покрытие, содержащее первый слой титана и последующие чередующиеся слои на основе титана толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев от 4 до 50, отличающееся...

Номер патента: U 10678

Опубликовано: 30.06.2015

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Комаровская Виктория Маратовна, Сенько Сергей Федорович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Карпович Дмитрий Семенович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: C23C 28/00

Метки: инструмент, режущий

Формула / Реферат:

Режущий инструмент, содержащий режущую часть из твердосплавного материала с нанесенными на нее слоем на основе титана и последующими чередующимися слоями на основе соединений тугоплавких металлов толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев оРежущий инструмент, содержащий режущую часть из твердосплавного материала с нанесенными на нее слоем на основе титана и последующими чередующимися слоями на основе соединений тугоплавких металлов...

Номер патента: 17712

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Новиков Виктор Александрович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, полупроводниковых, изоляция, диэлектрическая, межуровневая

Текст:

...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...

Номер патента: 17618

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Новиков Виктор Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, межуровневой, изоляции, диэлектрической, приборов, полупроводниковых, изготовления

Текст:

...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...

Номер патента: U 9270

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Рудак Павел Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Куис Дмитрий Валерьевич

МПК: C23C 28/00

Метки: инструмент, режущий

Текст:

...технического решения заключается в измельчении структуры упрочняющей пленки. Хром, цирконий и молибден обладают электрохимическими свойствами, близкими к свойствам титана, а их атомные радиусы отличаются от радиуса атомов титана не более чем на 12 , что обеспечивает образование твердых растворов замещения в широком интервале концентраций. Присутствие инородных атомов в процессе кристаллизации пленки титана препятствует образованию крупных...

Номер патента: U 9269

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Жижченко Алексей Геннадьевич, Гапанович Ольга Ивановна, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Карпович Дмитрий Валерьевич, Латушкина Светлана Дмитриевна

МПК: C23C 28/00

Метки: инструмент, режущий

Текст:

...и упрочняющей пленкой на основе соединений тугоплавких металлов, адгезионная пленка толщиной 0,1-2,0 мкм выполнена на основе твердого раствора хрома, или циркония, или молибдена в титане при концентрации примеси 0,5-3,0 . Сущность заявляемого технического решения заключается в измельчении структуры упрочняющей пленки. Хром, цирконий и молибден обладают электрохимическими свойствами, близкими к свойствам титана, а их атомные радиусы...

Номер патента: U 9268

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Гапанович Ольга Ивановна, Жижченко Алексей Геннадьевич, Латушкина Светлана Дмитриевна, Емельянов Антон Викторович

МПК: C23C 14/00

Метки: многослойное, покрытие, защитное

Текст:

...зерен. Структура вместо столбчатой становится мелкозернистой, что сопровождается дополнительным повышением прочности. Кроме того, рассматриваемые твердые растворы характеризуются более высокой твердостью по сравнению с чистым титаном. Хотя слой титана в составе покрытия служит для обеспечения адгезии к основанию и не несет основную прочностную нагрузку, его упрочнение благотворно сказывается на износостойкости покрытия в целом. Такая...

Номер патента: U 9267

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Пискунова Ольга Юрьевна, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Комаровская Виктория Маратовна, Латушкина Светлана Дмитриевна, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: C23C 14/00

Метки: покрытие, многослойное, защитное

Текст:

...более высокой твердостью по сравнению с чистым титаном. Хотя слой титана в составе покрытия служит для обеспечения адгезии к основанию и не несет основную прочностную нагрузку, его упрочнение благотворно сказывается на износостойкости покрытия в целом. Такая совокупность свойств рассматриваемых легирующих элементов позволяет получать высокопрочные пленки легированных слоев при одновременном уменьшении размеров зерен. Наличие...

Номер патента: U 9208

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Алиева Наталья Васильевна

МПК: H01L 29/788

Метки: полевой, транзистор, плавающим, затвором

Текст:

...вовсе не присущи 6. Несмотря на небольшое различие в значении коэффициентов линейного термического расширения (клтр) 34 и кремния (3,410-6 -1 для 34 5 и 3,7210-6 -1 для 6), использование высоких температур при изготовлении ИС и отсутствие полиморфных превращений 34 приводят к возникновению высоких механических напряжений на границах раздела слоев. В связи с этим заявляемое техническое решение предусматривает использование тонких...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Трусов Виктор Леонидович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Алиева Наталья Васильевна, Хмыль Александр Александрович, Шикуло Владимир Евгеньевич

МПК: H01L 29/94

Метки: микросхем, конденсатор, интегральных

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Номер патента: 16227

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/322

Метки: пластина, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...пленке а- препятствуют эпитаксиальной рекристаллизации поли- и способствуют уменьшению размеров его зерен. В результате суммарная площадь межзеренных границ, определяющая эффективность геттерирования, возрастает. Использование промежуточного слоя - в составе заявляемой пластины позволяет увеличить толщину исходного слоя оксида кремния до 2,5 нм, что обеспечивает возможность проведения ее химической отмывки в процессе изготовления, делает...

Номер патента: 16226

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322

Метки: пластины, полупроводниковой, способ, изготовления, кремния

Текст:

...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...

Номер патента: U 8388

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Новиков Виктор Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, полупроводниковых, изоляция, диэлектрическая, межуровневая

Текст:

...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...

Номер патента: 15745

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 21/322

Метки: покрытие, полупроводниковых, кремниевых, пластин, геттерирующее

Текст:

...еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 2,5 нм до значений не более...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, системы, металлизации, изготовлении, приборов, удаления, фоторезиста, состав

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Номер патента: 15742

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/28

Метки: приборов, полупроводниковых, системы, изготовления, металлизации, способ

Текст:

...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...

Номер патента: 15321

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 16/22

Метки: полупроводниковых, формирования, геттерирующего, кремниевых, покрытия, пластин, способ

Текст:

...перед нанесением слоя поликристаллического кремния дополнительно проводят осаждение пленки гидрогенизированного аморфного кремния толщиной 10-100 нм а также тем, что осаждение пленок гидрогенизированного аморфного кремния и слоя поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с...

Номер патента: 14401

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Вершина Алексей Константинович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: B23P 15/28, C23C 14/32

Метки: износостойкого, покрытия, инструмент, способ, нанесения, режущий

Текст:

...также снижает качество формируемого покрытия. Технической задачей предлагаемого изобретения является увеличение износостойкости инструмента путем повышения качества наносимого покрытия за счет обеспечения оптимальной температуры нагрева инструментов для формируемого покрытия. Поставленная задача решается тем, что в способе нанесения износостойкого покрытия на режущий инструмент, включающем размещение инструмента на держателе, очистку и...

Номер патента: 14195

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01B 11/30, H01L 21/66, G01N 21/88...

Метки: частности, полупроводниковой, структуры, поверхности, качества, пластины, контроля, способ, изделия

Текст:

...дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема осуществления контроля, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого способа (б). Свет от точечного источника...

Номер патента: 14194

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01B 9/00, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: полупроводниковой, пластины, устройство, контроля, поверхности, изделия, качества, частности, структуры

Текст:

...где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого устройства (б). Заявляемое устройство содержит точечный источник оптического излучения 1, держатель образцов 2, выполненный в виде кольцевой опоры, внутри которой создается разрежение за счет подключения к вакуумной магистрали или насосу...

Номер патента: U 6967

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 23/00

Метки: полупроводниковая, кремниевая, пластина

Текст:

...между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -ОН. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 25 до нескольких ангстрем. Слой 2 толщиной несколько ангстрем, как и в случае прототипа, уже не является 3 69672011.02.28 препятствием для диффузии неконтролируемых примесей из объема кремниевой подложки в поликристаллическую пленку. Наличие групп - в объеме пленок - и...

Номер патента: U 6966

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Петлицкий Александр Николаевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, покрытие, пластин, кремниевых, геттерирующее

Текст:

...примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых примесей, поскольку характеризуется еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия...

Номер патента: 13466

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/52

Метки: системы, способ, кремниевых, полупроводниковых, изготовления, приборов, металлизации

Текст:

...структуры после травления алюминия. Недостатком прототипа является то, что барьерный слой формируется не только на поверхности межуровневого диэлектрика, но и непосредственно в контактных окнах. Поскольку он обладает сравнительно высоким электрическим сопротивлением по сравнению с металлом и имеет электронный тип проводимости, это приводит к увеличению переходного сопротивления контактов, особенно к -областям, что снижает качество системы...

Номер патента: U 5775

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88, G01B 11/30...

Метки: контроля, поверхности, качества, изделий, устройство

Текст:

...уменьшением радиуса кривизны наблюдаемых топографических дефектов. В ряде случаев это приводит к фокусировке их изображения (изображение дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемая полезная модель поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения...

Номер патента: 11169

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, системы, полупроводникового, изготовления, прибора, металлизации

Текст:

...пределах приводят к постоянному перераспределению механических напряжений в структуре и возникновению все новых разрывов гидрооксидной пленки. При этом с каждым новым циклом прекращается рост бугорков, возникших при проведении предыдущего цикла, и начинается рост новых бугорков. Однако, поскольку длительность каждого цикла довольно мала, бугорки не успевают вырасти большими. Таким образом, кристаллизация пленки и формирование омических...

Номер патента: 11168

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, способ, прибора, полупроводникового

Текст:

...толщины собственного оксида, образующегося при хранении структур на воздухе (2 нм), и поэтому является гарантом стабильности полученной поверхности. Время окисления зависит от режимов обработки (давления кислорода, мощности и т.д.), но в большинстве случаев не превышает 5 мин. Типичные значения составляют 0,5-1 мин. Такие процессы обработки в плазме кислорода широко используются в технологии микроэлектроники, например, для удаления...

Номер патента: 11167

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, металлизации, прибора, способ, изготовления, кремниевого, системы

Текст:

...используют частично имидизированные пленки. Требуемая адгезия достигается химическим взаимодействием ПАК с алюминием с образованием химической связи между ними в соответствии с реакцией Продукт реакции можно классифицировать как соль. Ее образование сопровождается возникновением положительных ионов алюминия на границе раздела металл - ПИ. Наличие таких ионов, даже связанных в химическое соединение, не может способствовать повышению...

Номер патента: 10921

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Портнов Лев Яковлевич

МПК: H01L 21/02

Метки: металлизации, способ, полупроводникового, прибора, системы, изготовления

Текст:

...проводят путем трехкратного - пятнадцатикратного воздействия импульсами магнитного поля энергией 0,5-10 кДж каждый. Сущность заявляемого технического решения заключается в селективном высокоэнергетическом воздействии на металлическую пленку при магнитно-импульсной обработке,что приводит к ее быстрой рекристаллизации без возникновения дефектов. Импульсное магнитное поле, взаимодействуя с полупроводниковой структурой, обусловливает...

Номер патента: 9889

Опубликовано: 30.10.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48, H01L 21/00...

Метки: полупроводниковых, приборов, пленочная, система, токопроводящая, кремниевых

Текст:

...Стандартно используемые толщины пленок сплавов алюминия, как следует из описания прототипа, составляют от 0,5 до 2,0 мкм. При этом размер зерна на ее поверхности может на порядок превышать размер зерна на границе с барьерным слоем. Наличие мелкокристаллической фазы в полученной токоведущей системе в области барьерного слоя отрицательно сказывается на устойчивости к электромиграции, поскольку основным его механизмом является перенос вещества...

Номер патента: 9545

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, H01L 21/66...

Метки: изделий, способ, качества, контроля, поверхности

Текст:

...оптического диапазона от точечного источника и анализ отраженного на экран светотеневого изображения 4.При Контроле поверхности согласно способу-прототипу свет от точечного источника направляют на контролируемую поверхность, а отраженный световой поток - на экран. Наличие дефектов поверхности приводит К локальному изменению угла отражения падающего света, что проявляется в изменении интенсивности освещения соответствующих этим дефектам...

Номер патента: 9585

Опубликовано: 30.08.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: кремниевых, полупроводниковых, способ, металлизации, приборов, изготовления, системы

Текст:

...пленки, в том числе и в составе рассматриваемой системы, зависит от глубины. На границе с барьерным слоем поликристаллического или аморфного кремния металлическая пленка является мелкокристаллической. Это обусловлено как особенностями конденсации пленки на подложке при ее вакуумном напылении,так и последующим их взаимодействием. Более высокая концентрация кремния в металлической пленке со стороны подложки приводит к меньшему размеру...

Номер патента: 9319

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Сенько Александр Сергеевич

МПК: G01N 21/88, G01B 9/00, G01B 11/30...

Метки: поверхности, устройство, изделий, контроля, качества

Текст:

...Направление отраженного света обусловлено всевозможной пространственной ориентацией граней, приводя к диффузному отражению, т.е. рассеянию света. При больщих углах падения света часть граней неровностей попадает в область тени соседних неровностей поверхности.При этом освещается только часть граней неровностей поверхности, находящаяся вне тени И обращенная К источнику света. При дальнейшем увеличении угла падения света освещается все...

Номер патента: 9318

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Сенько Александр Сергеевич

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, H01L 21/66...

Метки: качества, поверхности, изделий, способ, контроля

Текст:

...размер проекции микронеровностей на волновой фронтисточника излучения уменьшается пропорционально косинусу угла падения. При некотором достаточно большом угле этот размер становится меньше четверти длины волны, что приводит К возникновению зеркальной Компоненты в отраженном световом потоке.Совокупность рассмотренных факторов позволяет получить псевдозеркальную компоненту отраженного света, обеспечивающую формирование изображения контролируемой...

Номер патента: 8982

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Залесский Валерий Борисович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 29/74, H01L 25/03

Метки: выпрямитель, полупроводниковый

Текст:

...электродов, образующих омические Контакты к этим областям, по меньшей мере, два металлических электрода к локальным областям противоположного подложке типа проводимости частично расположены на сформированном между локальными областями диэлектрическом слое таким образом, что распространяются до границ смежных локальных областей противоположного подложке типа проводимости, электродь 1 к которым соединены вместе, а область того же типа...

Номер патента: 8979

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/31, H01L 21/28

Метки: полипиромеллитимидной, способ, пленки, нанесения, структуру, полупроводниковую

Текст:

...положительную роль. Однако химическое взаимодействие ПАК с алюминием заметно сильнее,протекает при более низкой температуре и оксид в данном случае играет отрицательнуюроль. Кроме того, он проявляет основные свойства И при температуре выше 400 С, используемой для рекристаллизации металлических пленок и формирования контактов межсоединений, разрушает полиимид в области контакта (на границе раздела), вступая с ним в химическую реакцию....