H01L 29/92 — конденсаторы с потенциальным барьером, на котором имеет место скачок потенциала, или с поверхностным барьером
Конденсатор для интегральных микросхем
Номер патента: 9129
Опубликовано: 30.04.2007
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Малый Игорь Васильевич, Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Карпов Иван Николаевич
МПК: H01L 29/92, H01L 29/94
Метки: интегральных, конденсатор, микросхем
Текст:
...защиты второго слоя конденсаторного диэлектрика на границе обкладки из легированного поликристаллического кремния, что обеспечивает дополнительную возможность использовать легированный слой поликристаллического кремния в качестве разводки. Кроме того, легированный слой поликристаллического кремния выполнен кристаллитным по толщине, где 2-4. У данного слоя легированного поликристаллического кремния и нижняя, и верхняя поверхности...
Конденсатор для интегральных микросхем
Номер патента: 9018
Опубликовано: 28.02.2007
Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Ануфриев Леонид Петрович, Дудкин Александр Иванович, Войтех Сергей Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 29/92, H01L 29/94
Метки: интегральных, микросхем, конденсатор
Текст:
...и верхняя обкладка конденсатора сформированы из алюминия или его сплавов, а слой легированного поликристаллического кремния выполнен в виде буферного слоя толщиной 0,07-0,35 мкм, нанесенного на слой конденсаторного диэлектрика.Решение поставленной задачи обеспечивается следующим образом. Введение второго сильнолегированного скрытого слоя первого типа проводимости обеспечивает гарантированное разделение областей и уменьшение боковых...
Накопительный конденсатор элемента памяти интегральных схем
Номер патента: 2639
Опубликовано: 30.03.1999
Авторы: Красницкий Василий Яковлевич, Цыбулько Игорь Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович, Смаль Игорь Вацлавович
МПК: H01L 29/92, H01L 27/10
Метки: схем, накопительный, конденсатор, интегральных, элемента, памяти
Текст:
...3, разделительную область 4 из диэлектрического материала повторяющую рельеф первой обкладки, вторую обкладку 5 из легированного поликремния, нижняя поверхность которой повторяет рельеф первой. Работа накопительного конденсатора идентична работе типового однотранзисторного элемента памяти динамического запоминающего устройства. В техническом решении по изобретению получается канавка с несколькими проводящими перегородками, что позволяет не...