H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 16468

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Голубев Николай Федорович, Сарычев Олег Эрнстович, Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Пуцята Владимир Михайлович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, высоковольтный, быстродействующий

Текст:

...функцию резистивной полевой обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии наблюдаются существенные внутренние механические напряжения, которые могут привести...

Номер патента: 16464

Опубликовано: 30.10.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/20

Метки: гетеропереходный, светодиод

Текст:

...1 второй гетеропереход, то есть сформирована двойная-, -гетероструктурой. Полупроводниковое основаниетипа 1, -слой 2 собственного полупроводника и-слой 3 выполнены из полупроводников, обладающих большой подвижностью носителей заряда, большой диффузионной дли 2 16464 1 2012.10.30 ной, низкой концентрацией собственных носителей заряда. Толщина -слоя 2 определяется стопроцентной рекомбинацией инжектированных в его область через...

Номер патента: 16403

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Лисовский Владислав Васильевич, Ролич Олег Чеславович

МПК: H01L 31/052, H01L 31/058

Метки: устройство, излучения, энергии, электроманитного, солнечного, преобразования

Текст:

...крыши или части строения, или части конструкции, обращенной к югу. В предлагаемом устройстве коэффициент концентрации солнечной энергии даже при плоских зеркальных концентраторах достигает значения 4 и в комплексе с набором остальных признаков позволяет днем самоосвобождаться от снега, не подвергаться воздействию гроз, иметь более высокий КПД преобразования энергии солнечного электромагнитного излучения в электричество, а при появлении огня...

Номер патента: U 8466

Опубликовано: 30.08.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразования, устройство, электрическую, солнечной, энергии

Текст:

...Как показали результаты расчета и эксперимента,высота выступов-слоя 2 составляет 100200 мкм, их диаметр равен 100200 мкм, а ширина впадин, то есть расстояние между выступами, составляет 100200 мкм. Затем на сформированный-слой 2 с выступами и впадинами конформно наносятся методом молекулярно-лучевой эпитаксии -слой 3 того же широкозонного полупроводника собственной проводимости, обладающего высокой подвижностью носителей...

Номер патента: U 8532

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Блынский Виктор Иванович, Малышев Сергей Александрович

МПК: H01L 27/15

Метки: фотоприемник

Текст:

...- переход, а один из фоточувствительных - переходов закрыт фильтром, блокирующим видимое излучение, на диэлектрике, поверх области не закрытой фильтром фоточувствительного - перехода, сформирован экран,частично закрывающийобласть таким образом, что выполняется соотношение 1 12(1 - 2) ,(1) где 1 - коэффициент отражения ИК излучения от поверхности диэлектрика надобластью фоточувствительного - перехода без фильтра 2...

Номер патента: 16325

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Максименко Алексей Алексеевич, Мазаник Александр Васильевич, Федотова Юлия Александровна, Свито Иван Антонович, Касюк Юлия Владимировна

МПК: B82B 1/00, C22C 38/00, H01L 43/10...

Метки: наногранулированная, спинтронных, создания, устройств, композиция

Текст:

...образуются в результате синтеза наногранулированной композиции в смешанной атмосфере кислорода и аргона, что ведет к частичному окислению наногранул. На фиг. 1 приведена зависимость магнитосопротивления для наногранулированной композиции -23 (1) и наногранулированной композиции -23, содержащей оксиды железа, кобальта и циркония (2) для различных соотношений компонентов, (, , ) и 23 (Н 637 кА/м) при комнатной температуре (300 ). На фиг. 2...

Номер патента: 16272

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: ОСАДА, Кодзо, ОЦУКА, Хироаки

МПК: C23C 14/08, C04B 35/01, C04B 35/453...

Метки: получения, распыления, спеченных, оксидов, способ, прессованная, мишень

Текст:

...и гибкой полимерной пленки, возникает проблема, заключающаяся в том, что диапазон вариантов материала для подложки является ограниченным. Кроме того, имеются недостатки с точки зрения производительности, поскольку процесс изготовления устройств при высоких температурах требует больших затрат на энергию и много времени на процесс нагревания.В свете вышесказанного, в последнее время производится разработка тонкопленочного транзистора с...

Номер патента: 16322

Опубликовано: 30.08.2012

Автор: Ярмолович Вячеслав Алексеевич

МПК: G01R 33/022, G01R 33/07, H01L 43/06...

Метки: градиентометр, магнитный

Текст:

...выполненным в виде двух спиралей, закрученных в противоположные стороны, причем проводящий элемент выполнен с двумя токовыми контактами 7, которые подключены к третьему источнику тока, находящемуся под управлением микропроцессора (источник тока и микропроцессор не изображены). Топология активных магниточувствительных областей полупроводникового слоя 2 с холловскими 3 и токовыми 4 контактами, а также проводящий элемент 6 формируются при помощи...

Номер патента: 16184

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Василевский Юрий Георгиевич, Чиж Александр Леонидович, Блынский Виктор Иванович, Малышев Сергей Александрович, Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...электрических импульсов за счет того, что выделение тепла в точках локального пробоя (приводящее к необратимым изменениям в полупроводнике и выходу из строя диода Шоттки или ухудшению его параметров) происходит одновременно во многих точках ОПЗ, распределенных по его объему, что уменьшает их локальный перегрев и обуславливает лучшие условия теплоотвода. Сущность изобретения поясняется на фигуре, где 1 - полупроводниковая подложка 2 -...

Номер патента: 16260

Опубликовано: 30.08.2012

Автор: Ярмолович Вячеслав Алексеевич

МПК: H01L 43/06, G01R 33/07

Метки: магниточувствительный, датчик

Текст:

...изобретательский уровень. Заявляемое изобретение поясняется чертежом. На фигуре изображен заявляемый магниточувствительный датчик. Он содержит миниатюрную кристаллическую подложку из полуизолирующего арсенида галлия 1, эпитаксиальный пленочный элемент Холла электронного типа проводимости, например из полупроводникового соединения 35, с двумя токовыми и двумя холловскими контактами 2, проводящий пленочный элемент в виде спирали 3,...

Номер патента: 16227

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322

Метки: пластина, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...пленке а- препятствуют эпитаксиальной рекристаллизации поли- и способствуют уменьшению размеров его зерен. В результате суммарная площадь межзеренных границ, определяющая эффективность геттерирования, возрастает. Использование промежуточного слоя - в составе заявляемой пластины позволяет увеличить толщину исходного слоя оксида кремния до 2,5 нм, что обеспечивает возможность проведения ее химической отмывки в процессе изготовления, делает...

Номер патента: 16226

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/322

Метки: кремния, полупроводниковой, пластины, изготовления, способ

Текст:

...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...

Номер патента: 16100

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Сорока Сергей Александрович, Лукашова Надежда Васильевна, Лемешевская Алла Михайловна

МПК: H01C 7/00, H01L 21/8238, H01C 1/00...

Метки: кмоп, интегральной, изготовления, схемы, резистора, высокоомного, полупроводникового, способ

Текст:

...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...

Номер патента: U 8388

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Новиков Виктор Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: межуровневая, полупроводниковых, изоляция, приборов, диэлектрическая

Текст:

...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...

Номер патента: U 8344

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Маркевич Мария Ивановна, Колос Владимир Владимирович, Адашкевич Сергей Владимирович, Чапланов Аркадий Михайлович, Стельмах Вячеслав Фомич

МПК: H01L 21/44

Метки: пленки, устройство, кремниевой, титана, подложке, формирования, дисилицида

Текст:

...свойств пленки титана 2 совмещен с блоком перемещения кремниевой подложки 18. Устройство формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке(фиг. 1) работает следующим образом. Кремниевая подложка через элемент загрузки 13 поступает в блок нанесения пленки титана 1, где осуществляется, как в известном устройстве 3, операция нанесения на поверхность кремниевой подложки пленки титана, например, способом магнетронного напыления,...

Номер патента: U 8247

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Леонов Николай Иванович, Дудар Наталия Леонидовна, Гетьман Сергей Николаевич

МПК: H01L 29/06

Метки: изолированным, транзистор, моп, высоковольтный, истоком

Текст:

...область противоположного типа проводимости, например дрейфовую область. Однако дрейфовая область в высоковольтном транзисторе имеет низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП транзистора и образованию утечки между областью базы и подложкой. Для предотвращения утечки между областью базы высоковольтного МОП транзистора и подложкой необходимо запереть паразитный МОП транзистор, подав на затвор паразитного...

Номер патента: 16089

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Лысаковская Екатерина Владимировна, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: H01L 31/09

Метки: фоторезистор, дифосфида, кадмия, монокристалла, основе

Текст:

...из фосфида кадмия 4, изменение сопротивления которого от температуры (фигура) удовлетворяет изготовлению фоторезисторов, работающих в широком температурном диапазоне. Поставленная задача решается тем, что предлагается фоторезистор на основе монокристалла дифосфида кадмия с нанесенными омическими контактами и просветляющим покрытием из оксида титана. Новым, по мнению авторов, является то, что в качестве материала для...

Номер патента: 16070

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Колос Владимир Владимирович, Маркевич Мария Ивановна, Емельяненко Юрий Савельевич, Адашкевич Сергей Владимирович, Стельмах Вячеслав Фомич, Чапланов Аркадий Михайлович

МПК: H01L 31/00

Метки: фотодиод

Текст:

...С 49. Из фигуры видно, что слой полупроводника 1 расположен на кремниевой подложке 2. На внешней стороне слоя полупроводника 1 расположен прозрачный металлический электрод 3, например, на основе тонкой (10 нм) пленки золота, образующей с ней выпрямляющий переход, а между второй стороной слоя полупро 2 16070 1 2012.06.30 водника 1 и кремниевой подложкой 2 расположен второй электрод 4, например, на основе приповерхностного слоя кремниевой...

Номер патента: U 8220

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович

МПК: H01L 31/102

Метки: мощный, фотодиод, варианты, высокоскоростной

Текст:

...первого типа второй металлический электрод 6, образующий омический контакт с легированным полупроводниковым слоем 4 с проводимостью второго типа диэлектрический слой 7, изолирующий боковую поверхность мезаструктуры 1. При этом металлические электроды 5 и 6 выполнены в виде балок, расположенных в плоскости, параллельной полупроводниковым слоям 2, 3, 4, и изолированных от боковой поверхности мезаструктуры 1. Мощный высокоскоростной...

Номер патента: 15733

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/02

Метки: планарных, микроэлектроники, получения, композиция, изготовлении, твердых, бора, изделий, источников

Текст:

...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Дудкин Александр Иванович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: планарных, твердых, приборов, интегральных, способ, изготовления, бора, полупроводниковых, схем, создании, источников

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Номер патента: 15745

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322

Метки: полупроводниковых, геттерирующее, покрытие, пластин, кремниевых

Текст:

...еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 2,5 нм до значений не более...

Номер патента: 15744

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322

Метки: полупроводниковая, кремниевая, пластина

Текст:

...оксид титана или тантала легко растворяется в силициде, в результате чего барьер для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера в виде оксидной пленки исчезает. Эти силициды создают наименьшие механические напряжения в получаемой пластине. Кроме этого, рассматриваемые силициды образуют самоформирующиеся слои. Это значит, что они не растворяются во всем объеме полупроводниковой подложки,а существуют только в виде локализованного...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, состав, системы, удаления, приборов, металлизации, фоторезиста, изготовлении

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Номер патента: 15742

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: способ, системы, полупроводниковых, изготовления, приборов, металлизации

Текст:

...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...

Номер патента: 15639

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Гурин Павел Михайлович, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: кремниевых, изготовления, способ, приборов, быстродействующих

Текст:

...сильно облученных кремниевых -переходах процессы рекомбинации, генерации и захвата носителей заряда идут через различные радиационные дефекты - центры (РД). Это обстоятельство делает возможным независимое влияние на такие характеристики эпитаксиальных приборов, как генерационный ток, прямое падение напряжения и время жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ). При оптимальных, для конкретных приборных структур, режимах облучения и...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: полупроводниковых, приборов, радиационной, быстродействующих, способ, приборных, структур, обработки, изготовлении

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Номер патента: 15719

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: тиристоров, изготовления, способ, быстродействующих

Текст:

...Сущность изобретения заключается в том, что перед локальным облучением тиристорной структуры, в котором электронному облучению подвергают участок структуры под управляющим электродом, вводят операцию предварительного электронного облучения всего объема структуры. Введение операции предварительного облучения при изготовлении быстродействующих тиристоров позволяет с большей точностью регулировать быстродействие тиристоров, используя для этих...

Номер патента: 15840

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Воробей Роман Иванович, Яржембицкая Надежда Викторовна, Гусев Олег Константинович, Шадурская Людмила Иосифовна, Тявловский Андрей Константинович, Тявловский Константин Леонидович, Свистун Александр Иванович

МПК: H01L 31/16

Метки: устройство, управляемое, фотоприемное, подсветкой

Текст:

...элемент 1, благодаря особенностям процесса перезарядки примесных уровней,характеризующемуся видом спектральной характеристики, формирует выходной сигнал в зависимости от длины волны падающего излучения. Управление уровнем интенсивности Р управляющей подсветки позволяет регулировать вид спектральной характеристики(фиг. 2). Таким образом, изменение интенсивности управляющей подсветки на длине волны 0 позволяет изменять относительную...

Номер патента: 15747

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: ориентации, способ, полупроводниковых, функционального, пластин, покрытия, кремниевых, 001, формирования

Текст:

...по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков слоя 34 по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию...

Номер патента: 15754

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: полупроводниковая, кремниевая, 001, пластина, ориентации

Текст:

...второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов),глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых некоторым выбранным вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности...

Номер патента: 15753

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: 001, пластин, способ, покрытия, функционального, кремниевых, формирования, ориентации, полупроводниковых

Текст:

...в качестве первичного элемента островка и соответственно островка в случае выбора окна) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е....

Номер патента: 15746

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: 001, полупроводниковая, пластина, кремниевая, ориентации

Текст:

...различного размера и фрактальный характер их взаимного расположения обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо друг от друга, а активно взаимодействуют друг с другом с образованием новых элементов дислокационной структуры за счет явления самоформирования. Их взаимодействие обусловлено, с одной стороны, взаимодействием полей механических напряжений, а с другой стороны, тем, что...

Номер патента: 15741

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: 001, полупроводниковая, кремниевая, пластина, ориентации

Текст:

...от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных окон и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом...

Номер патента: 15740

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: 001, кремниевая, пластина, ориентации, полупроводниковая

Текст:

...(т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых некоторым выбранным вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется...

Номер патента: 15752

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: 001, ориентации, эпитаксиальная, структура, кремниевая

Текст:

...к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый, второй уровень кристаллографических дефектов (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей первичных элементов пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных...

Номер патента: 15599

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, 001, пластин, кремния, способ, изготовления, полупроводниковых

Текст:

...с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей...

Номер патента: 15593

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, полупроводниковых, способ, изготовления, ориентации, 001, пластин

Текст:

...упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь...

Номер патента: 15592

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: способ, кремния, полупроводниковых, 001, ориентации, пластин, изготовления

Текст:

...центральной части на диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым уровнем формирования элементов рисунка возникает все новый уровень дислокационной структуры. Одновременное наличие элементов рисунка различного размера и фрактальный характер их...

Номер патента: 15627

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: моп-транзисторов, способ, отбраковки, радиационной

Текст:

...а у приборов с небольшим количеством дефектов или бездефектных таких изменений значительно меньше. Так, количество накопленного при облучении в диэлектрике объемного заряда определяется дефектами роста пленки и количеством примесей в диэлектрике. Наличие указанных дефектов в МОП-транзисторах при одной и той же дозе излучения приводит к значительному сдвигу порогового напряжения по сравнению с транзисторами, не имеющими таких дефектов. 15627...