H01L 29/94 — конденсаторы с МДП-структурой, например МОП-структурой

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Алиева Наталья Васильевна, Трусов Виктор Леонидович, Хмыль Александр Александрович

МПК: H01L 29/94

Метки: конденсатор, интегральных, микросхем

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Номер патента: 9129

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Малый Игорь Васильевич, Карпов Иван Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/92, H01L 29/94

Метки: конденсатор, интегральных, микросхем

Текст:

...защиты второго слоя конденсаторного диэлектрика на границе обкладки из легированного поликристаллического кремния, что обеспечивает дополнительную возможность использовать легированный слой поликристаллического кремния в качестве разводки. Кроме того, легированный слой поликристаллического кремния выполнен кристаллитным по толщине, где 2-4. У данного слоя легированного поликристаллического кремния и нижняя, и верхняя поверхности...

Номер патента: 9018

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Дудкин Александр Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Войтех Сергей Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/94, H01L 29/92

Метки: интегральных, конденсатор, микросхем

Текст:

...и верхняя обкладка конденсатора сформированы из алюминия или его сплавов, а слой легированного поликристаллического кремния выполнен в виде буферного слоя толщиной 0,07-0,35 мкм, нанесенного на слой конденсаторного диэлектрика.Решение поставленной задачи обеспечивается следующим образом. Введение второго сильнолегированного скрытого слоя первого типа проводимости обеспечивает гарантированное разделение областей и уменьшение боковых...