H01L 33/00 — Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов

Номер патента: 18119

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Подденежный Евгений Николаевич, Дробышевская Наталья Евгеньевна, Бойко Андрей Андреевич, Трусова Екатерина Евгеньевна, Урецкая Ольга Владиславовна, Бобкова Нинель Мироновна

МПК: C09K 11/80, H05B 33/14, H01L 33/00...

Метки: композиция, люминофорная

Текст:

...наноструктурированный порошок иттрий-алюминиевого граната, легированного церием, прокаленный в атмосфере аргона, в качестве оксидного стекла легкоплавкое стекло состава 23-232-2 при следующем соотношении компонентов, мас.наноструктурированный порошок иттрий-алюминиевого граната, легированного церием - 11,0 легкоплавкое стекло состава 2 з-23-2-2 - 44,5 порошок кварцевого стекла - 44,5. В состав композиции люминофор вводится в виде...

Номер патента: 15439

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич, Труханов Алексей Валентинович, Пашкевич Михаил Викторович

МПК: H01L 21/02, B82B 3/00, H01L 33/00...

Метки: способ, галлия, прозрачного, p-gan, контакта, омического, нитрида, эпитаксиальному, изготовления, слою

Текст:

..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...

Номер патента: 14404

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Паращук Валентин Владимирович, Телеш Евгений Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Беляева Ада Казимировна, Рябцев Геннадий Иванович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02, H01S 3/04...

Метки: алмазного, диодных, основания, теплоотводящего, структур, способ, изготовления, лазерных

Текст:

...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...

Номер патента: U 7184

Опубликовано: 30.04.2011

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/00

Метки: полупроводниковый, светодиод

Текст:

...стопроцентной рекомбинацией инжектированных в его область через прямосмещенные - первый переход дырок и - второй прямосмещенный переход электронов и составляет (1,11,6), где- диффузионная длина носителей заряда. Сильнолегированный -слой 1 широкозонного полупроводника сформирован на металлическом основании 2 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021) см 3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает...

Номер патента: 13804

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: эпитаксиальному, слою, омического, способ, контакта, прозрачного, изготовления, p-gan

Текст:

...контактной структуры к - достигается по сравнению с прототипом тем, что при нанесении и последующем удалении дополнительных слоев оксида алюминия происходит преимущественное заполнение пустот (проколов), образовавшихся при росте пленки, диэлектрическим материалом, близкого по свойствам к соединениям нитридов третьей группы элементов, без его постороннего присутствия на плоских (бездефектных) участках поверхности, т.е. осуществляется...

Номер патента: 13634

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Шишонок Елена Михайловна, Абдуллаев Олег Рауфович, Леончик Сергей Викентьевич, Якунин Александр Сергеевич

МПК: H01L 27/15, H01L 33/00

Метки: светоизлучающий, элемент

Текст:

...шире спектральный диапазон световой эмиссии, тем меньше ее температурное тушение. Излучательные электронные переходы (типа 4-4, 45) на трехвалентных ионах различных редкоземельных элементов, инкорпорированных в различные кристаллические матрицы, являются источниками световой эмиссии в виде линейчатых спектров или широких полос в УФ, видимом или ИК - диапазонах. Указанные электронные переходы запрещены для свободных ионов, но оказываются...

Номер патента: 13504

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Луценко Евгений Викторович, Павловский Вячеслав Николаевич, Шуленков Алексей Серафимович, Стогний Александр Иванович, Яблонский Геннадий Петрович, Новицкий Николай Николаевич, Данильчик Александр Викторович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02

Метки: прозрачного, изготовления, способ, омического, p-gan, контакта, слою, эпитаксиальному

Текст:

...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...

Номер патента: 13388

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Рябцев Андрей Геннадьевич, Соколов Сергей Николаевич, Тепляшин Леонид Леонидович, Красковский Андрей Сергеевич, Титовец Сергей Николаевич, Щемелев Максим Анатольевич, Шишенок Елена Михайловна, Рябцев Геннадий Иванович, Леончик Сергей Викентьевич, Пожидаев Александр Викторович, Кабанов Владимир Викторович, Шишенок Николай Александрович, Беляева Ада Каземировна, Богданович Максим Владимирович, Микаелян Геворк Татевосович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Жиздюк Татьяна Борисовна, Паращук Валентин Владимирович

МПК: H01S 5/00, H01L 33/00

Метки: структур, способ, теплоотводящем, бора, керамики, сборки, лазерных, основании, нитрида

Текст:

...распределение припоя по поверхности монтажной пластины можно получить нанесением последовательно в едином технологическом цикле четырех металлов хромникель-олово-серебро (патент 2173913, МПК 601 21/58, опубл. 15.07.1999). Каждый из вышеперечисленных способов имеет свой недостаток. Так, в техническом решении по патенту 2075140 на монтажную поверхность наносится слой золота,геометрические параметры которого необходимо выдерживать в жестких...

Номер патента: 11684

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Павловский Вячеслав Николаевич, Гурский Александр Леонидович, Хойкен Михаель, Яблонский Геннадий Петрович, Осипов Константин Александрович, Луценко Евгений Викторович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02

Метки: эффективности, излучения, пленки, органического, повышения, способ, полупроводника

Текст:

...Способ повышения эффективности люминесценции органических полупроводниковых пленок рассмотрим на примере термического отжига органического полупроводника,(1-) - ,(1,1-)-4,4- (-). Заявленный способ проиллюстрирован чертежами 2 11684 1 2009.02.28 Фиг. 1 - схематическое изображение стенда для термической обработки пленок органических полупроводников. Фиг. 2 - график зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) органического...

Номер патента: 8569

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Шинеллер Бернд, Хойкен Михаель, Шуленков Алексей Серафимович, Яблонский Геннадий Петрович, Стогний Александр Иванович, Луценко Евгений Викторович

МПК: H01L 21/283, H01L 33/00, H01L 21/28...

Метки: изготовления, способ, p-gan, контакта, эпитаксиальному, омического, слою, прозрачного

Текст:

...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...

Номер патента: 4669

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Корытько Дмитрий Константинович, Лойко Галина Ивановна, Савостьянова Наталья Александровна, Закроева Нина Михайловна

МПК: H01L 33/00

Метки: способ, светоизлучающего, изготовления, диода

Текст:

...структура после утонения пластины до 110 мкм и формирования омического контакта - к подложке. На фиг. 7 представлена структура после травления подложки через маски разнотолщинных резистов. На фиг. 8 представлена структура после формирования линзы. Пример осуществления способа. Для изготовления СИД в качестве полупроводникового материала используют п- подложку, на которой методом жидкофазной эпитаксии выращены п- буферный слой толщиной 5 мкм,...

Номер патента: 3790

Опубликовано: 30.03.2001

Автор: Тептеев Алексей Алексеевич

МПК: H01L 33/00

Метки: прибор, светоизлучающий

Текст:

...направленности. Эта задача достигается тем, что СП содержит концентратор из полупроводникового материала, выполненный в виде усеченного конуса с металлизированными стенками, в меньшем основании которого расположен светоизлучающий слой, а в большом - линза, что позволяет сузить диаграмму направленности и увеличить внешнюю квантовую эффективность. По сравнению с прототипом 3 предлагаемый СП имеет существенные отличия за счет того, что...