Патенты с меткой «литографии»

Номер патента: 14141

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Есьман Василий Михайлович, Пушкина Татьяна Владимировна, Корнелюк Александр Иванович, Борисевич Виктория Стефановна

МПК: G01B 11/03, G03F 9/00

Метки: аттестации, установки, литографии, системы, координатной, способ

Текст:

...первой пластины на координатный стол, формирование на ней знаков аттестации без коррекции координатного стола, измерение координат сформированных знаков при поворотах пластины на множество углов,расчет функции коррекции с учетом измеренных координат и ввод рассчитанной функции коррекции в систему управления координатной системой установки. После этого на координатный стол устанавливают вторую пластину, формируют на ней знаки аттестации,...

Номер патента: 7264

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: КУМАХОВ, Мурадин Абубекирович

МПК: G21K 5/00, G03B 42/02

Метки: рентгеновской, устройство, литографии, контактной

Текст:

...маски и находилась на минимально возможном расстоянии от нее. Между источником 1 и входным торцом полулинзы 2 размещен поглощающий фильтр 6. Поглощающий фильтр 6 представляет собой изделие из поглощающего рентгеновское излучение материала в виде тела вращения относительно оси, совмещенной с продольной осью полулинзы. Толщина поглощающего фильтра 6 минимальна в периферийной его части и увеличивается по мере приближения к центральной части...

Номер патента: 7220

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Прудник Александр Михайлович, Лыньков Леонид Михайлович, Болдышева Ирина Петровна, Белятко Дмитрий Петрович

МПК: H01L 21/033

Метки: обратной, литографии, способ

Текст:

...алюминия, формирование контактной маски путем селективного травления пленки алюминия,нанесение пленки рабочего материала и удаление контактной маски 2. Недостатком данного способа является ограниченный диапазон применяемых рабочих материалов. Задачей настоящего изобретения является получение технического результата, который выражается в понижении температуры взрыва (удаления) контактной маски, что позволит расширить диапазон используемых...

Номер патента: 2428

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Прудник Александр Михайлович, Жданович Сергей Вячеславович, Лыньков Леонид Михайлович, Петров Николай Петрович, Богуш Вадим Анатольевич

МПК: H01L 21/312

Метки: способ, литографии, обратной

Текст:

...вакуумной камере установки УВН-2 М-3 электронно-лучевым методом наносили пленку алюминия толщиной 1 мкм. На технологической линии Лада на пленку алюминия наносили слой резиста. С помощью стандартных методов вскрывали окна в слое алюминия. Затем методом газофазного окисления в смеси аргона, моносилана и кислорода при температуре 370 С осаждали рабочую пленку 2 толщиной 1,5 мкм. Затем на установке Изоприн структуру подвергали импульсной...