H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 2923

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Аношин Валерий Михайлович, Красницкий Василий Яковлевич, Захарик Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/316

Метки: планаризации, структур, кремниевых, способ

Текст:

...в чистом реакторе, а срок службы реактора и оснастки повышается, что снижает издержки производствам и уровень привносимой дефектности. Издержки производства снижаются также и за счет совмещения двух операций в реакционной камере. При оплавлении БФСС при давлении ниже 20 Па увеличивается испарение из приповерхностного слоя стекла, что может способствовать ухудшению текучести стекла при оплавлении контактов (так называемое второе оплавление)....

Номер патента: 2936

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Федосенко Николай Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Федосенко Геннадий Николаевич, Ширипов Владимир Яковлевич

МПК: C23C 14/28, C30B 29/04, C30B 23/02...

Метки: алмазоподобной, получения, пленки, способ

Текст:

...на фиг. 1 - вакуумная установка для нанесения алмазоподобной пленки лазерным способом фиг. 2 - спектр электронного парамагнитного резонанса алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 3 - спектр комбинационного рассеяния света алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 4 - спектр комбинационного рассеяния аморфной графитоподобной пленки фиг. 5 - спектр комбинационного рассеяния аморфной углеродной пленки....

Номер патента: 2929

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 31/00

Метки: лавинный, фотоприемник

Текст:

...следующим образом. В кремниевой пластине -типа проводимости с удельным сопротивлением 20 Омсм формировался защитный слой 0,3 мкм и методами оптической литографии- топологический рисунок слоев 2 и 3, обеспечивающий равноудаленность границ слоев 2 и 3. Затем проводилось локальное травление окисного слоя, снятие фоторезиста, повторная фотолитография со вскрытием окон только под слой 2 и ионная имплантация бора во вскрытые окна. При...

Номер патента: 3033

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Юрченок Лариса Григорьевна, Телеш Евгений Владимирович, Улитенок Олег Анатольевич

МПК: H01L 31/10, H01L 31/08

Метки: мпм-фотодиод

Текст:

...диэлектрическое покрытие 3 встречно-штыревые электроды с количеством штырей от 3 до 3000 шт. 4 воздушный зазор 8 диэлектрическое покрытие 9 металлические выводы 5 падающее оптическое излучение 6 граница раздела диэлектрическое покрытие - поверхностный слой 7. МПМ-фотодиод работает следующим образом. Поступающее на МПМ-фотодиод оптическое излучение 6 проходит просветляющее диэлектрическое покрытие 3, 9 и поверхностно-легированный слой 2...

Номер патента: 2817

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Кавриго Николай Федорович, Пономарь Владимир Николаевич, Белоус Анатолий Иванович, Силин Анатолий Васильевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 23/053

Метки: интегральная, схема

Текст:

...Коэффициент теплового расширения материала прокладки 7 превышает коэффициент теплового расширения кристалла 3 не более, чем на 20 . Прокладка 7 (фиг. 2) выполнена в форме прямоугольной пластины, и содержит сквозные отверстия 8 переменного сечения, расположенные большим сечением в сторону основания 1, центры которых отстоят друг от друга на расстоянии а (фиг. 2) вдоль сторон прокладки, где а 1,0-1,2 мм,2 диаметр большего сечения отверстия 8...

Номер патента: 2823

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Пилипенко Владимир Александрович, Чигирь Григорий Григорьевич, Пономарь Владимир Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/324

Метки: приборов, схем, создания, металлизации, способ, полупроводниковых, интегральных

Текст:

...поверхности плнок алюминия после таких термообработок является практически отсутствие бугров и плнки остаются стабильными по структуре при проведении последующих операций фотолитографии высота бугров на плнках алюминия, измеренная на растровом электронном микроскопе после термообработки в предлагаемых режимах, проведения операций плазмохимического травления алюминия и удаление фоторезистора не превышает 0,10-0,15 мкм высота бугров на...

Номер патента: 2883

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Сосновский Владимир Арестархович, Макаревич Игорь Иванович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/316

Метки: осаждения, фосфоросиликатного, пленки, способ, стекла

Текст:

...существенно снижается концентрация соединений фосфора на выхлопе реактора, что позволяет использовать скруббер без дожигания. В выбранном диапазоне температуры испарителя давление паров диметилфосфита составляет 1.812 мм рт. ст. При температуре испарителя ниже 20 С усложняется управление процессом по концентрации фосфора и не обеспечивается необходимая концентрация фосфора в пленке из-за резкого снижения парциального давления паров ДМФ....

Номер патента: 2639

Опубликовано: 30.03.1999

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович, Цыбулько Игорь Александрович, Смаль Игорь Вацлавович, Красницкий Василий Яковлевич

МПК: H01L 27/10, H01L 29/92

Метки: схем, интегральных, накопительный, конденсатор, памяти, элемента

Текст:

...3, разделительную область 4 из диэлектрического материала повторяющую рельеф первой обкладки, вторую обкладку 5 из легированного поликремния, нижняя поверхность которой повторяет рельеф первой. Работа накопительного конденсатора идентична работе типового однотранзисторного элемента памяти динамического запоминающего устройства. В техническом решении по изобретению получается канавка с несколькими проводящими перегородками, что позволяет не...

Номер патента: 2531

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Тихонов Владимир Ильич, Наливайко Олег Юрьевич, Красницкий Василий Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/316

Метки: пленок, стекла, фосфоросиликатного, осаждения, способ

Текст:

...определяется именно этим соотношением. Поэтому контроль за содержанием фосфора в пленке предельно облегчается. Кроме того, так как не используется фосфин, то и уровень привносимой дефектности снижается и повышается однородность осаждаемых пленок по толщине, а также реализуется процесс осаждения фосфоросиликатного стекла без использования высокотоксичного фосфина. Дополнительным преимуществом является некоторое сокращение площади, занимаемой...

Номер патента: 2502

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Красницкий Василий Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Захарик Сергей Владимирович, Аношин Валерий Михайлович

МПК: H01L 21/316

Метки: способ, осаждения, пленки, борофосфоросиликатного, стекла

Текст:

...содержанием фосфора и бора в пленке предельно упрощается. Подача ДМФ и ТСМБ по дополнительной паре инжекторов с газом-носителем - азотом непосредственно в зону реакции позволяет подавить возможные реакции с образованием побочных продуктов, что подтвер 2 2502 1 ждается результатами эксперимента и, следовательно, повысить качество осаждаемых пленок БФСС за счет снижения уровня привносимой дефектности. При подаче ТМФ и ТСМБ по той же паре...

Номер патента: 2338

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Ким Владимир Анатольевич, Долгий Николай Андреевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 27/04

Метки: вентиль, инжекционный, многоколлекторный

Текст:

...Естест ванне, что скорость процесса Расса сывания определяется величиной базот вого тока и условиями его подвода К областям накопленного заряда.Орнентапя коллекторнк Областей в соответствии с Указанной является прннниально важным моментом для достиения цели. Это объясняется тем, что длина, а соответственно и сопротивление участков пассивной азы между коллекторной н нзопИРУ-определяетсядлиной стороны прямо УГОЛЬНОГО КОЛЛЕКТОРЗ,...

Номер патента: 2336

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Гайдук Сергей Иванович, Балбуцкий Сергей Васильевич, Чаусов Виктор Николаевич, Сасновский Владимир Арестархович

МПК: H01L 21/265

Метки: р-п-р, горизонтальных, интегральных, способ, схем, изготовления, транзисторов

Текст:

...и пленки двуокиси кремния СУМР ной толщиойсО 3 мкм. Методом ФОТОлитографии и травления пленки и слоя двуокиси кремния вскрыаются контактные отверстия к областям итеГР 8 ПЬ Ной схемы. Методом фотолитографии формируютфотореэнстнвную маску С Отверстием над областью контакта К КОЛ лектору прптранэистора. СЛУЖЗЩЕГО одновременно контактом к базовой Об 50ппантацией ионов фосфора с ЗНЕРГНЭЙ 30 кэВ и поверхностной концентрациейконтакта области базы...

Номер патента: 2335

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Костенко Евгений Михайлович, Ершова Надежда Васильевна, Воронин Сергей Иванович

МПК: H01L 21/82

Метки: низкопороговых, изготовления, кмдп-интегральных, схем, способ

Текст:

...окислением в сухом ЕС 1 при Т 100 ОС 0создают подзатворный окисел толщиной 400 А. Из графиков, поназанннх на фиг.1 и 2, видно, что при этом пороговые напряжения р-канального транзистора соспэплнт 0,7 В, пнанального транзистора 050 В. Затем наносят полпкремний И с помощью фотолито г графин формируют электродьтзатворов и первый уровень металли зации. Затем формируют межслоиннй диэлектрик и о помощью фотолитографии вскрывают отверстия к...

Номер патента: 2309

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Матюнина Ольга Владимировна, Погребняков Алексей Владимирович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H01L 39/24, H01L 39/22

Метки: сверхпроводников, формирования, пленочных, микромостиков, способ, высокотемпературных

Текст:

...о наличии большого числа межзеренных переходов в микромостике. 2 2309 1 Одним из основных недостатков описанного способа является низкая воспроизводимость характеристик пленочных микромостиков, так как слабая связь создается на границе раздела двух зерен, образование которых представляет собой случайный процесс, поэтому и значения параметров пленочных микромостиков тоже являются случайными величинами. Задачей предлагаемого способа является...

Номер патента: 2429

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Кудрявцев Игорь Александрович, Пироговский Константин Николаевич

МПК: H01L 41/113, H02N 2/18

Метки: пьезоэлектрический, тока, генератор

Текст:

...основана на пьезоэлектрическом эффекте преобразования механической энергии в электрическую 2. Недостатком данного устройства является то, что из-за небольшого напряжения тока он не может быть применен как источник элекроэнергии для аварийного электропитания в промышленности. 2429 1 Технической задачей заявляемого технического решения, которая может быть решена при использовании предлагаемого пьезоэлектрического генератора тока, является...

Номер патента: 2428

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Прудник Александр Михайлович, Богуш Вадим Анатольевич, Лыньков Леонид Михайлович, Петров Николай Петрович, Жданович Сергей Вячеславович

МПК: H01L 21/312

Метки: обратной, способ, литографии

Текст:

...вакуумной камере установки УВН-2 М-3 электронно-лучевым методом наносили пленку алюминия толщиной 1 мкм. На технологической линии Лада на пленку алюминия наносили слой резиста. С помощью стандартных методов вскрывали окна в слое алюминия. Затем методом газофазного окисления в смеси аргона, моносилана и кислорода при температуре 370 С осаждали рабочую пленку 2 толщиной 1,5 мкм. Затем на установке Изоприн структуру подвергали импульсной...

Номер патента: 2358

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Баранов Игорь Ливерьевич, Тюлин Олег Владимирович

МПК: H01L 21/306

Метки: пластин, обработки, кремниевых, электрохимической, устройство

Текст:

...прижимаются уплотнительными кольцами 6, 6 с помощью их резьбового соединения с держателями 3, 3. Это обеспечивает надежный электрический контакт электродовкремниевых пластин 5,5 с токопроводами 4,4 и изоляцию последних от электролита 2. В электролит 2 между электродами-кремниевыми пластинами 5, 5 помещен держатель 7, изолирующий от электролита 2 и помещенных в него обрабатываемых кремниевых пластин 9, цилиндрический электрод 8. К кремниевым...

Номер патента: 2259

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Оджаев Владимир Борисович, Азарко Игорь Иосифович, Свиридов Дмитрий Вадимович, Карпович Игорь Александрович, Козлов Иван Петрович

МПК: H01L 29/51

Метки: переключатель, тонкопленочный

Текст:

...При дальнейшем увеличении энергии ионов происходит заглубление проводящего углеродного слоя внутрь полимера, и он оказывается отделенным от поверхности пористым диэлектрическим слоем. Проводимость имплантированного канала также зависит от типа материала и определяется процентной концентрацией углерода в модифицированном слое полимера. Так, например, установленная методомконцентрация углерода в поврежденном слое, толщина которого...

Номер патента: 2146

Опубликовано: 30.06.1998

Авторы: Лях Николай Иванович, Ковалевский Александр Адамович, Калиберда Эмма Федоровна

МПК: H01L 23/48

Метки: драгоценными, металлами, покрытием, полупроводниковых, сплава, выводной, приборов, железо-никелевого, обработки, рамки, способ, микроэлектронных

Текст:

...полученной смешиванием азотной и уксусной кислот в соотношении 37, введением 8 - 10 мл хлористо-водородной кислоты на 1 л смеси и растворения никеля металлического до его концентрации 0,05 - 5 г/л в совокупности указанных признаков, позволяют исключить наличие железа на поверхности выводной рамки под золочение или серебрение, тем самым исключив его диффузию в процессе сборочных операций, создать сплошной блестящий слой никеля химическим...

Номер патента: 2140

Опубликовано: 30.06.1998

Авторы: Лях Николай Иванович, Сычевская Регина Фоминична, Ковалевский Александр Адамович, Чижик Александр Георгиевич

МПК: H01L 21/31

Метки: рамки, удаления, локального, золочения, выводной, зоны, вне, способ, золота

Текст:

...меньше чем 1,5 г/л приводит к снижению эффективности удаления золота с поверхности рамки выводной по месту его затеков, к снижению скорости растворения,а следовательно, и к снижению производительности труда. При увеличении содержания натрия цианистого больше 4,5 г/л ухудшается стабильность раствора, одновременно сокращается продолжительность его химической активности. Оптимальное содержание натрия лимоннокислого находится в пределах 1,5-5,0...

Номер патента: 2092

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Горовой Владимир Владимирович, Белоус Анатолий Иванович, Силин Анатолий Васильевич

МПК: H01L 27/08

Метки: схема, интегральная

Текст:

...аналогично известному решению резистором 4 и уменьшается до значения 7Чае - прямое падение напряжения перехода база-эмиттер транзистора 1.Таки образом, при подаче на управляющий вход 3 генератора 2 тока высокого уровня сигнала на его выходе 7 появляется имульс тока повышенной величинывтехающий в базы переклчатепьиого транзистора 1 и обеспе чиваюци его форсированое отпираниеи уменьшение времени задержки вклш-2 чения. При подаче на вход 3...

Номер патента: 1957

Опубликовано: 30.12.1997

Авторы: Дударчик Анатолий Иванович, Яворович Алексей Алексеевич, Сычевская Регина Фоминична, Ковалевский Александр Адамович, Лях Николай Иванович, Чижик Александр Георгиевич

МПК: H01L 23/48

Метки: рамок, способ, железоникелевых, золочением, выводных, обработки, сплавов

Текст:

...пятен, протравов и раковин помещали в ванну с раствором для консервации, затем использовали и для золочения. Определив ВРЗМН золочения рамок по контрольному процессу длн обеспеченя толщины (1,03,0) мкм помещали их по 12 штук в установку для локального ЗОЛОЧЕНИВ выводных рамок и проводили локальноепосле золочения выводные рамки выгружались и проводилась оценка их качества и толщины. Оцена толщины проводилась весовым методом.Внешний вид...

Номер патента: 1700

Опубликовано: 30.09.1997

Авторы: Уренев Валерий Иванович, Литвинов Валентин Вадимович, Покотило Юрий Мефодьевич

МПК: H01L 21/66, G01N 21/35

Метки: определения, заряда, способ, свободных, концентрации, кремнии, носителей

Текст:

...р-типа (1) с удельным сопротивлением р 0,3 и 12 Ом.см и -типа (р 1 и 4,4 Ом.см) (2) от длины волны. На фиг.2 изображены профили распределения концентрации свободных носителей заряда вдоль оси роста слитков кремния типа КДБ-12 диаметром 100 (1) и 150 (2) мм. Для реализации неразрушающего метода определения концентрации свободных носителей заряда в предлагаемом способе измеряют отношение коэффициентов пропускания Т 1/Т 2 двух пучков...

Номер патента: 1676

Опубликовано: 30.06.1997

Авторы: Фазлеев Ким Фахруллович, Апанович Леонтий Васильевич, Верниковский Станислав Антонович

МПК: H01L 21/314

Метки: покрытия, создания, структур, пассивирующего, способ, полупроводниковых

Текст:

...5 ООО 8 О 0 ОА. Затем создают пленку 5 фосфорносиликатного стекла с 0,5252-ньм содержанием Раб (см.фиг 2). Методом литографии вскрываются контактные окна (см.фиг.3) диаметром 160 мкм в системе оксид кремния фосфорно-силикатное стекло (310, ФСС). Нанесение пленки тантанала 6(см. фнг.4) толщиной 500-600 про ВОДЯТ МЕТОДОМ ППЗЗМЕННОГО РЗСПЪШЕННЯ.для формирования окон диаметром140 мкм, расположенны осесиетрично относительно окон, вскрыты в системе...

Номер патента: 1688

Опубликовано: 30.06.1997

Авторы: Роговой Владимир Иванович, Сергеев Виктор Петрович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/306

Метки: способ, поверхности, удаления, кремниевых, пластин, фоторезиста

Текст:

...опасностью растрескивания пластин вследствие большого перепада температуры при последующей промывке пластин в деионизованной воде с температурой 5010. Деионизованная вода, в которой отмываются пластины от остатков серной кислоты, содержит примеси органического происхождения, как-то частицы ионообменных смол, микроорганизмы. Для их разложения вводится путем барботирования озоносодержащий газ. Органические примеси при концентрации озона 3, 12...

Номер патента: 1612

Опубликовано: 30.03.1997

Авторы: Сасновский Владимир Арестархович, Буляк Борис Николаевич, Кабаков Михаил Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Макаревич Игорь Иванович, Тихонов Владимир Ильич

МПК: H01L 21/316

Метки: стекла, фосфоросиликатного, способ, пленок, получения

Текст:

...легирования пленки фосфором по пластине и по загрузке и предотвращает образование в газовой фазе не только частиц 2, но и Н 2 О 4, Р 25, Р 23, что обеспечивает преимущественное образование Р 25 уже непосредственно на подложке без осаждения на нее частиц Р 25, Р 23 из газовой фазы, приводящего к локальным неоднородностям легирования пленки фосфором. Выбор отношения объемных потоков 3/4 и объемного потока аммиака сделан на основе...

Номер патента: 1613

Опубликовано: 30.03.1997

Авторы: Макаревич Игорь Иванович, Кабаков Михаил Михайлович, Корешков Геннадий Анатольевич, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/316

Метки: стекла, осаждения, способ, борофосфоросиликатного, пленки

Текст:

...издержки производства. 1613 1 При температуре испарителя с ТЭОС выше 75 С повышаются расход ТЭОС и неоднородность толщины пленок. При температуре реактора ниже 650 С снижается скорость осаждения и повышаются издержки производства, а также ухудшается конформность воспроизведения топологического рельефа. При температуре реактора выше 750 С ухудшается управляемость процесса по толщине и концентрациям фосфора и бора. При температуре испарителя с...

Номер патента: 1467

Опубликовано: 16.12.1996

Автор: Кужелев Валентин Иванович

МПК: H01L 21/30, H01L 21/00, H01G 13/04...

Метки: приборов, маркированных, сушки, устройство, полупроводниковых

Текст:

...одною механизма в прорези другого при повышенных рабочих скоростях механизмов.Основная задача изобретения - создание надежного в эксгшуатации устройства с расширенными функциональными возможностями.Поставленная задача достигается тем, что устройство содержит магнитную систему, формирующую по длине устройства однородное магнитное поле в плоскости перемещения приборов, а перемещение приборов осуществляется гладкой непрерывной лентой с...

Номер патента: 1432

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Ермолаев Олег Павлович, Уренев Валерий Иванович

МПК: G01K 7/22, H01L 21/263

Метки: измерения, температур, способ, термосопротивлений, германиевых, изготовления, низких

Текст:

...эВ) с кристаллической решеткой германия приводит к образованию термически стабильного электрически активного радиационного дефекта с энергетическши уровнем атщепторното типа ЕуОО 16 эВ. В нелетирванном химическими примесями кристалле германия его температурная зависимость сопротивления определяется только электронными переходами между валентнойзоной и уровнем Еу 0 О 16 эВ. Меньшее значение ббысгр, нейтронов по сравнению с стенд нейтронов...

Номер патента: 1267

Опубликовано: 16.09.1996

Авторы: Просандеев Д. Е., Дворников О. В., Володкевич А. А.

МПК: H01L 29/80

Метки: включения, управляющим, переходом, транзистора, способ, полевого

Текст:

...смещения, прилагаемую к истоку,выбирают из условия обеспечения смещения перехода затвореисток в прямом направлении при удовлетворении соотношения абсолютных значешай падений напряжения на переходах затворсток и затвор-исток условиюАПЗШАПЗС - падение напряжения на переходах затвор-исток, затвор-сток по абсолютной величине, Вш - безразмерный фактор, характеризующий отклонение вольтамперных характеристик от идеальной, 0,5 ш 2,5Изобретение...

Номер патента: 1037

Опубликовано: 14.03.1996

Авторы: Силин А. В., Белоус А. И., Чернуха Б. М.

МПК: H01L 27/04

Метки: схема, интегральная

Текст:

...первой области 8 второго типа проводимости, она является коллектором, собирающим носители при инжекции первой области 9 второго типа проводимости,исключающим ее взаимодействие с другими областями второго типа проводимости В схеме.Поскольку на первую область 8 второго типа проводимости в рабочем режиме интегральной схемы подается положительное напряжение, а второй скрытый слой 11 второго типа проводимости заземлен, между ними возникает канал...

Номер патента: 973

Опубликовано: 15.12.1995

Авторы: Смаль Игорь Вацлавович, Красницкий Василий Яковлевич, Довнар Николай Александрович

МПК: H01L 21/335

Метки: способ, мдп-транзистора, изготовления

Текст:

...примеси второго типа проводимости,создание сильнолегированньтх исток-стоковых областей отлил-ом внедрештой примеси, после внедрения в пластину по обе стороны от приставочных областей медленнодиффут-тдирующей примеси второго ттша проводимости, в пластину,в те же области внедряют быстродиффундирующую примесь того же тшта проводимости, и одновременно с созданием сильнолегированньпс исток-стоковых областей диффузией быстродиффундирующей...

Номер патента: 934

Опубликовано: 15.12.1995

Авторы: Лукасевич Михаил Иванович, Михайлов Виктор Михайлович, Львов Владимир Вилленович, Попов Виктор Иванович, Подлесный Андрей Владимирович, Сомов Сергей Викторович, Гришаков Геннадий Иванович, Фридберг Александра Никифоровна

МПК: H01L 27/118

Метки: матричного, базового, кристалла, ячейка

Текст:

...еле ментов оказывает непосредственное влияние на функционированиеТехническим результатом предлагаемого изобретения являете он повышение степени интеграции, помехозащищенности и снижение потребляемой мощности.Достигается это тем, что в ячейке базового матричного кристалла, содержащей набор компонентов, выполненных в полуъ проводниковой подложке, /7-слоев металлизации с размещенными шинами питания, входными и выходными контактами и...

Номер патента: 760

Опубликовано: 15.08.1995

Авторы: Лайков Г. Д., Александренко В. Т.

МПК: H01L 21/304

Метки: заготовки, разделения, способ, пьезокерамической

Текст:

...пластины от заготовки 1 и образованию шлама в зоне обмработки. При смещении цента З режущей кромки 4 относительно оси вращения алмазного диска 2 резание пьезокерамической загоТОВКИ 1 ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ТОЛЬКО ЧЗСТЬЮ режущей кромки 4, наиболее близко расположенной к оси вращения алмазного диска 2, а остальная часть диска 2 удаляет шлам из зоны обработки. При этом процесс резания пьезокерамнческой заготовки 1 осуществляется только в...

Номер патента: 668

Опубликовано: 30.06.1995

Авторы: Сенько С. Ф., Ластовский С. Б., Кульгачев В. И., Лашицкий Э. К., Зеленин В. А., Пилипенко В. А.

МПК: H01L 21/265

Метки: лазерного, полупроводниковых, пластинах, примесей, геттерирования, способ

Текст:

...заполнения линиями скольжения(КЗЛС) рабочей стороны в используемых режимах генерирования (например при мощности лазерных лучей 80 Вт, шаге сканирования 200 мкм) достигает 0,З-О,4. Это означает, что ЗО-4 О площади рабочей поверхности пластины становится усеянной дислокациями с плотностью до 105 см 2 . При таком качестве рабочей поверхности получить годные приборы практически невозможно.В основу изобретения положена задача создания способа...

Номер патента: 734

Опубликовано: 30.06.1995

Авторы: Спицын Н. В., Конышева Т. В., Луканюк С. С., Невдах О. П., Агабеков В. Е., Азарко В. А., Кочканян Р. А., Михайловский Ю. К.

МПК: H01L 21/02, C07D 513/04, G03C 1/72...

Метки: 1оh-2-оксо, 1,5]-бензодиазепин, качестве, маскирующего, 4,5-b, 4-тиазолино, микролитографии, материала

Текст:

...(кремний дырочной проводимости, легированный бором, с удельным сопротивлением 0,3 Ом-см) диаметром 100 мм толщиной 4601 10 мкм закрепляют на верхнем срезе стакана-цилиндра высотой 120 мм(по центру нижнего среза размещается испаритель). Камеру ВУП-4 вакуумируют до 2,4 105 Торр, температуру испарителя доводят до 26010 С, открывают заслонку и в течение 6 мин напыляют пленку. Навеска испаряется полностью, остатка нет.На подложке образуется...

Номер патента: 732

Опубликовано: 30.06.1995

Авторы: Кочканян Р. А., Агабеков В. Е., Невдах О. П., Спицын Н. В., Луканюк С. С., Конышева Т. В., Михайловский Ю. К., Азарко В. А.

МПК: H01L 21/02, C07D 487/04, G03C 1/72...

Метки: 1,5]-бензодиазепин, маскирующего, качестве, микролитографии, 11h-2,4-диоксо-3-фенил-пиримидо-[4,5-b, материала

Текст:

...1 представляет собой порошок кораллового цвета с температурой плавления 349-350 50. Найдено, Х С 66,94 Н 4,08 М 18,29. Бруттоформула 017 Н 12 Ы 403. Молекулярная масса З 0 аЗ 0. Вычислено, 1 С1372 СС 1535 СЫ 1565 СО 1695 -НС ЗОЗ 5 СНарФм 3062 Ф ЬЫ-Н 3285. УФспентр (пленки) итал, нм 260, 356, 446. При термическом вакуумном испаренииглянцевые пленки с орошеь адгезией н полупроводниковым, стенлнн Нин, полимерным и нетащличесиим подлоннам....

Номер патента: 240

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Мозалев А. М., Захарчук А. С., Михайлова Л. Н., Лабунов В. А., Ерема В. В., Сурганов В. Ф., Попов Ю. П., Дударчик А. И.

МПК: H01L 21/28

Метки: изготовления, способ, металлизации, интегральных, микросхем

Текст:

...масок из 130 НМ И 160 НМ ПРИ ПОМОЩИ Ф 0 Т 0 ЛИТ 0вспомогательной пленки ВМ и недопус- графин ФОПМИРОБЭЛИ МЗСКУ ИЗ Фоторетимое возрастание непланарности ме ЗИСТЭ На Участках контактных окон и таллизации Нижняя граница диапазона Га 3 хМЧеСК Удаляли ОТКРЫТЫЕ к предотвращает при плотном аноди 10 участки защитной пленки ВН. После ровании сквозное электрохимическое снятия ФОТОРЕЗИСТЭ ПРОБОДИПИ-СКВОЗНОВ прокисление защитной пленки ВМ. При...

Номер патента: 235

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Нагорный А. А., Саньков И. В., Сидоренко Е. Б., Плащинский Г. И.

МПК: H01L 21/336

Метки: способ, изготовления, кмоп-структур

Текст:

...ворах с последующей промывкой в деион 12 3 атвдра 7 ннзованной воде и сушкой подложкиП Р И Н В Р 1 После форМнроВа центрифугированием,.формровали поддня 5 накасдВмещенд прдйздодидир т затворный диэлектрик методом термихимнчесКУю обработку подложки после 20 екг Окисденин подложки ПРИ 1 О 00 бС довательно в перекисно-серпом и пе В течение 15 Мин В атмосфере ВдаЖ рекнснотамачном растворах с после- нгкНСлрда ТлщиНй 0512 МКМ- ПРИ дующей промышкой...