Шинеллер Бернд
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN
Номер патента: 8569
Опубликовано: 30.10.2006
Авторы: Хойкен Михаель, Шуленков Алексей Серафимович, Стогний Александр Иванович, Луценко Евгений Викторович, Яблонский Геннадий Петрович, Шинеллер Бернд
МПК: H01L 33/00, H01L 21/28, H01L 21/283...
Метки: слою, омического, изготовления, прозрачного, p-gan, способ, эпитаксиальному, контакта
Текст:
...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...