Шильцев Владимир Викторович

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович, Солодуха Виталий Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: примесей, диффузии, силовых, приборов, акцепторных, полупроводниковых, способ, изготовления, пластины, кремниевые

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Номер патента: 11157

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, переходов, тиристора, пассивации, меза-канавкой

Текст:

...менее 8,0 мас.резко ухудшается способность данного слоя к оплавлению. Это приводит к плохой планаризации топологического рельефа и ухудшает качество фотолитографии при формировании рисунка пассивирующих областей из-за уменьшения толщины и обрыва фоторезистивного слоя по краю меза-канавки. В случае суммарного содержания бора и фосфора более 10 мас.при содержании фосфора более 5 мас.слои БФСС будут характеризоваться плохой стойкостью к...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Шильцев Владимир Викторович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Кресло Сергей Михайлович

МПК: H01L 21/02

Метки: примесей, силовых, пластины, полупроводниковых, акцепторных, изготовления, кремниевые, диффузии, способ, приборов

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, схем, источник, планарный, диффузии, изготовления, бора, интегральных, приборов, твердый

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...

Номер патента: 9140

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович, Мойсейчук Константин Леонидович, Бересневич Людмила Брониславовна

МПК: H01L 21/225

Метки: полупроводниковых, бора, композиция, изготовлении, твердых, пленкообразующая, получения, источников, приборов

Текст:

...следующим образом.В качестве растворителя избран н-бутиловый спирт, поскольку в нем легко растворим ТЭОС и образующиеся олигополимеры (продукты неполного гидролиза ТЭОС), а также вода. Кроме того, он менее летуч и обладает большой вязкостью, чем обычно применяемые в пленкообразующих композициях растворители (этиловый спирт).При содержании ТЭОС в композиции менее 25 мас. происходит быстрое осаждение взвешенного оксида бора за счет...

Номер патента: 9018

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Войтех Сергей Николаевич, Ануфриев Леонид Петрович, Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 29/92, H01L 29/94

Метки: конденсатор, микросхем, интегральных

Текст:

...и верхняя обкладка конденсатора сформированы из алюминия или его сплавов, а слой легированного поликристаллического кремния выполнен в виде буферного слоя толщиной 0,07-0,35 мкм, нанесенного на слой конденсаторного диэлектрика.Решение поставленной задачи обеспечивается следующим образом. Введение второго сильнолегированного скрытого слоя первого типа проводимости обеспечивает гарантированное разделение областей и уменьшение боковых...