Пшенко Анатолий Николаевич
Способ измерения имплантированной дозы ионов в полупроводниковой структуре
Номер патента: 8857
Опубликовано: 28.02.2007
Авторы: Киселев Владимир Иосифович, Пшенко Анатолий Николаевич
МПК: H01L 21/66
Метки: полупроводниковой, измерения, способ, ионов, имплантированной, структуре, дозы
Текст:
...и масс-спектрального рабочего диапазона.Поставленная задача достигается тем, что в способе измерения имплантированной дозы ионов в полупроводниковой структуре, включающем формирование на полупроводни шахковой подложке тестового элемента полевого типа, содержащего Контактные площадки истока И стока для зондовь 1 х измерений электрофизической характеристики тестового элемента в зависимости от приложенного К нему электрического...