H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: U 7146

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Чапланов Аркадий Михайлович, Адашкевич Сергей Владимирович, Колос Владимир Владимирович, Емельяненко Юрий Савельевич, Стельмах Вячеслав Фомич, Маркевич Мария Ивановна

МПК: H01L 31/10

Метки: фотодиод

Текст:

...субмикронными размерами элементов. Это обеспечивает возможность использования обнаруженных полупроводниковых свойств, в том числе свойства фотопроводимости, в хорошо отработанных режимах и на оборудовании, используемом в современной электронной промышленности. Сущность заявляемого технического решения поясняется на фиг. 1, где схематически представлена структура варианта фотодиода, использующего слой полупроводника толщиной 70 нм на основе...

Номер патента: 14255

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: C30B 29/10, H01L 31/18

Метки: способ, получения, олова, тонких, сульфоселенида, пленок

Текст:

...контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) базового слоя оловаотжиг полученной структуры в парах серы и селена (селенизация/сульфиризация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогеновив базовый слой олова с образованием многофазной смеси из...

Номер патента: 14318

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: межуровневая, диэлектрическая, изоляция, прибора, полупроводникового

Текст:

...обнажается поверхность пленки на основе диоксида кремния, к которой полиимид имеет очень слабую адгезию. Толщина пленки нитрида кремния более 0,15 мкм нецелесообразна в связи с тем, что затраты на ее формирование увеличиваются без получения дополнительных преимуществ. Кроме того, в структуре растут механические напряжения, которые приводят к возникновению характерных дефектов, в частности пор в диэлектрической изоляции, что приводит к снижению...

Номер патента: 14261

Опубликовано: 30.04.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 43/06

Метки: датчик, холла

Текст:

...размера, что позволяет использовать подложки квадратной формы. В этом случае использование заявляемого технического решения максимально эффективно. Заявляемое техническое решение поясняется фигурой, где показано расположение активного элемента на подложке квадратной формы. Сплошными линиями показаны расположение и занимаемая прибором площадь при использовании заявляемого технического решения, а пунктирными - при использовании...

Номер патента: 14260

Опубликовано: 30.04.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 43/06, H01L 21/02

Метки: датчика, холла, изготовления, способ

Текст:

...позволяет уменьшить размер кристалла готового прибора. В результате на исходной подложке одной и той же площади можно изготовить большее количество приборов. Как правило, чувствительный элемент выполняют со сторонами одинакового размера, что позволяет получать кристаллы квадратной формы. В этом случае использование заявляемого технического решения максимально эффективно. Заявляемое техническое решение поясняется фигурой, где показано...

Номер патента: U 6977

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Залесский Валерий Борисович, Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович

МПК: H01L 21/00

Метки: солнечный, элемент

Текст:

...первый барьер Шоттки,инфракрасные приемники, подложка выполнена проводящей, на которой расположены,как минимум, два первых электрически связанных проводящих элемента в виде треугольных призм, а вся оставшаяся площадь проводящей подложки и первых проводящих элементов покрыта последовательно первым слоем полупроводникового материала и прозрачной проводящей пленкой, на которой в непосредственной близости к первым проводящим элементам расположены...

Номер патента: U 6967

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 23/00

Метки: пластина, кремниевая, полупроводниковая

Текст:

...между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -ОН. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 25 до нескольких ангстрем. Слой 2 толщиной несколько ангстрем, как и в случае прототипа, уже не является 3 69672011.02.28 препятствием для диффузии неконтролируемых примесей из объема кремниевой подложки в поликристаллическую пленку. Наличие групп - в объеме пленок - и...

Номер патента: U 6966

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластин, покрытие, полупроводниковых, кремниевых, геттерирующее

Текст:

...примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых примесей, поскольку характеризуется еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия...

Номер патента: U 6965

Опубликовано: 28.02.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 23/00

Метки: пластина, кремниевая, полупроводниковая

Текст:

...силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются высокой адгезией к поверхности кремниевой подложки, в том числе окисленной. В процессе формирования геттера они взаимодействуют с оксидом кремния, образовавшимся на поверхности подложки в результате хранения или химической отмывки, и восстанавливают его до кремния. Образовавшийся оксид титана или тантала легко растворяется в силициде,в результате чего...

Номер патента: 13932

Опубликовано: 30.12.2010

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: радиационно-термической, силовых, основе, диодов, обработки, способ, кремния

Текст:

...кроме последней, ступени облучения. Сущность изобретения заключается в том, что при ступенчатом наборе дозы электронного облучения с последующей дополнительной термообработкой после каждого шага облучения происходит более эффективное, чем при непрерывном облучении и однократном отжиге, накопление рекомбинационного центра (или центров), контролирующих время жизни ННЗ. Возможной причиной такой особенности ступенчатой РТО является то,что...

Номер патента: 13915

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович, Залесский Валерий Борисович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 31/00, H02N 6/00

Метки: электрическую, преобразователь, энергии, солнечной

Текст:

...элементов преобразователя солнечной энергии. В преобразователе солнечной энергии в электрическую входное солнечное излучение 1 параллельно поступает в массив оптических средств 3 и фокусирующий концентратор отражающего типа 2, содержащий оптически последовательно расположенные сферические зеркала 13 и плоские зеркала 14. Плоские зеркала 14 оптически связаны с массивом оптических средств 3, в котором каждое из оптических средств связано с...

Номер патента: 13885

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович

МПК: H01L 31/00, G03F 7/00

Метки: элемент, тонкопленочный, электронный

Текст:

...активного слоя 2 прозрачной диэлектрической подложки 1 через нее и внутренний активный слой 3. Проводящие области выходные 4 электрически связаны как непосредственно, так и туннельно через наноразмерные зазоры 5 с проводящими приемными областями 6, фиг. 2. В конкретном исполнении прозрачная диэлектрическая подложка 1 - это тонкопленочный прозрачный материал, который выполнен, например, из полиэтилентерефталата (диэлектрического прозрачного...

Номер патента: 13808

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Плебанович Владимир Иванович, Колос Светлана Валентиновна

МПК: H01L 23/48, C22C 19/05

Метки: омического, тонкопленочного, кремнию, контакта, материал

Текст:

...ванадий 0,5-1,2 алюминий 0,5-1,5 никель остальное. Сущность заявляемого технического решения заключается в обеспечении химического взаимодействия между формируемой пленкой и полупроводниковой подложкой. Полупроводниковая пластина при хранении на воздухе тут же окисляется с образованием оксида кремния толщиной около 2 нм. Эта тонкая пленка химически достаточно инертна и препятствует взаимодействию никеля и кремния для образования...

Номер патента: 13857

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сякерский Валентин Степанович, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01B 11/30, H01L 21/66, G01N 21/88...

Метки: дефектов, получения, изделий, поверхности, характеристик, устройство, количественных

Текст:

...содержащее точечный источник оптического излучения, держатель изделий и экран, содержит расположенную между источником излучения и держателем изделий координатную сетку, а также тем, что в качестве координатной сетки используют фотошаблон топологических структур полупроводниковых приборов. Сущность заявляемого технического решения заключается в формировании на контролируемой поверхности светотеневой координатной сетки, искажение...

Номер патента: 13856

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: G01B 11/30, H01L 21/66, G01N 21/88...

Метки: контроля, поверхности, способ, качества, изделий

Текст:

...в качестве координатной сетки. Формирование координатной сетки более дешевыми способами, например трафаретной печатью, как правило, повреждает поверхность полупроводниковых пластин. Поэтому их использование также ограничено. Таким образом, недостатки прототипа связаны с высокой трудоемкостью контроля,обусловленной как большим количеством технологических операций по приготовлению образцов для контроля, так и сложностью этих операций....

Номер патента: 13804

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02

Метки: прозрачного, слою, изготовления, омического, контакта, эпитаксиальному, способ, p-gan

Текст:

...контактной структуры к - достигается по сравнению с прототипом тем, что при нанесении и последующем удалении дополнительных слоев оксида алюминия происходит преимущественное заполнение пустот (проколов), образовавшихся при росте пленки, диэлектрическим материалом, близкого по свойствам к соединениям нитридов третьей группы элементов, без его постороннего присутствия на плоских (бездефектных) участках поверхности, т.е. осуществляется...

Номер патента: 13882

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Углов Владимир Васильевич, Квасов Николай Трофимович, Петухов Юрий Александрович, Подсобей Григорий Захарович, Черенда Николай Николаевич, Асташинский Валентин Миронович

МПК: C01B 33/00, H01L 21/02

Метки: силицидов, металлов, способ, формирования

Текст:

...индукцией от 0,22 до 12,5 мТл. При таком способе формирования силицидов металлов достигается глубокое проплавление металла и кремния и их эффективное перемешивание, что обеспечивает формирование глубокого однородного силицидного слоя, и, соответственно, уменьшение удельного поверхностного сопротивления. Исключение необходимой в известном способе операции аморфизации кремния упрощает способ. Заявляемый способ осуществляют следующим образом. На...

Номер патента: 13889

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: ГРЭЗЕР, Мартин, ВЕНДОРФФ, Йоахим Х., ГРАЙНЕР, Андреас, КЮЛИНГ, Клаус

МПК: B82B 3/00, D01D 5/00, B82B 1/00...

Метки: наноматериалы, термоэлектрические

Текст:

...полученного волокна нет необходимости. В результате электроформования полученного на этапераствора или расплава, содержащего, по крайней мере, один материал подложки или подходящее соединениепредшественник и, по крайней мере, один термоэлектрически активный материал или соединение-предшественник термоэлектрически активного материала, на этапеспособа данного изобретения получают волокно, содержащее, по крайней мере, один материал...

Номер патента: U 6787

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Цыбульская Людмила Сергеевна, Ковальчук Геннадий Филиппович, Васильев Валерий Лукич, Гаевская Татьяна Васильевна, Гайдук Илья Леонидович

МПК: H01L 21/02, B28D 5/00

Метки: алмазосодержащий, диск, разделения, полупроводниковых, пластин, корпусной

Текст:

...форму корпуса у основания лезвия (фиг. 1). Недостатком такой конструкции режущего диска является то, что в процессе разделения полупроводниковой пластины по ее периферийной части накапливаются осколки малого размера, которые под воздействием сил резания повреждают планарную сторону кристаллов, что приводит к уменьшению выхода годных, к снижению стойкости алмазного режущего диска, вплоть до поломки лезвия. Задачей, на решение которой...

Номер патента: U 6843

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Ролич Олег Чеславович, Кулешов Владимир Константинович, Лисовский Владислав Васильевич

МПК: H01L 31/058, H01L 31/052

Метки: гибридная, система, электропитания

Текст:

...из стали с площадью прямоугольного поперечного сечения не менее 180 мм 2. В предлагаемом устройстве коэффициент концентрации солнечной энергии даже при плоских зеркальных концентраторах достигает значения 4 и в комплексе с набором остальных признаков позволяет днем самоосвобождаться от снега, не подвергаться воздействию гроз, иметь более высокий КПД преобразования энергии солнечного электромагнитного излучения в электричество, а при появлении...

Номер патента: 13703

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: повышения, структур, биполярных, стойкости, кремниевых, радиационной, способ

Текст:

...стойкости биполярных кремниевых структур, при котором осуществляют их термообработку при температуре 400-450 С в течение 18002700 с и воздействуют проникающим излучением. Новым, по мнению авторов, является то, что в процессе термообработки облучают упомянутые структуры пучком электронов с интенсивностью от 11010 до 51010 см-2 с-1. Сущность изобретения. Известно, что термообработка кислородного -типа кремния в диапазоне 400-500 С существенно...

Номер патента: 13719

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Гурин Павел Михайлович

МПК: H01L 21/02

Метки: эпитаксиальном, способ, кремнии, приборах, полупроводниковых, носителей, регулирования, времени, жизни, заряда, неосновных

Текст:

...С для увеличения времени жизни и потом до флюенса 11016 см-2 при температурах от -150 до 150 С для снижения времени жизни, а интенсивность пучка электронов подбирают такой, чтобы время облучения не превышало 600 и 3000 с соответственно. Способ основан на радиационно-стимулированных процессах, протекающих в облученных эпитаксиальных структурах и приводящих к улучшению характеристик приборов на основе таких структур. Так, эффект малых доз,...

Номер патента: 13692

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович, Залесский Валерий Борисович, Кравченко Владимир Михайлович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечный, многослойный, преобразователь

Текст:

...Сущность изобретения поясняется на фиг. 1, на которой приведена схема расположения слоев и элементов преобразователя, где 1 - фронтальный контакт,2 - антиотражающее покрытие,3 - верхний полупроводниковый (п/п) элемент,4 - туннельный переход,5 - нижний полупроводниковый (п/п) элемент,6 - прозрачный проводящий слой,7 - прозрачный диэлектрик,8 - части тыльного контакта,9 - ряды детектирующих антенных элементов,10 - слои с квантовыми...

Номер патента: 13721

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Метки: транзисторов, изготовления, изолированным, биполярных, способ, затвором

Текст:

...часто стоит проблема выбора оптимального соотношения 6. Чтобы уменьшить потери проводимости, импульсная энергия должна увеличиваться, и наоборот. В заявляемом техническом решении увеличение быстродействия транзисторов за счет контролируемого уменьшения времени жизни носителей достигается без существенного роста потерь проводимости (транзисторы с пониженным значением (. В основе выбора режимов электронного облучения транзисторов лежат...

Номер патента: 13634

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Шишонок Елена Михайловна, Абдуллаев Олег Рауфович, Якунин Александр Сергеевич, Леончик Сергей Викентьевич

МПК: H01L 33/00, H01L 27/15

Метки: элемент, светоизлучающий

Текст:

...шире спектральный диапазон световой эмиссии, тем меньше ее температурное тушение. Излучательные электронные переходы (типа 4-4, 45) на трехвалентных ионах различных редкоземельных элементов, инкорпорированных в различные кристаллические матрицы, являются источниками световой эмиссии в виде линейчатых спектров или широких полос в УФ, видимом или ИК - диапазонах. Указанные электронные переходы запрещены для свободных ионов, но оказываются...

Номер патента: U 6683

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: структура, эпитаксиальная, кремниевая, ориентации, 001

Текст:

...дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый, второй, уровень кристаллографических дефектов(дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей элементов рисунка по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и оставление центральной части...

Номер патента: U 6682

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: 001, кремниевых, пластин, полупроводниковых, функциональное, покрытие, ориентации

Текст:

...рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых...

Номер патента: U 6681

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: 001, полупроводниковых, кремниевых, ориентации, покрытие, функциональное, пластин

Текст:

...плоскостей скольжения, генерируемых вновь образован 5 66812010.10.30 ным элементом (окном), также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных окон приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами...

Номер патента: U 6680

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: 001, функциональное, покрытие, полупроводниковых, ориентации, кремниевых, пластин

Текст:

...сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры вновь образованных элементов в 3 раза меньше размеров первичных элементов, глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольже 5 66802010.10.30 ния, генерируемых вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность таких...

Номер патента: U 6679

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: покрытие, функциональное, ориентации, кремниевых, 001, пластин, полупроводниковых

Текст:

...элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генериру 5 66792010.10.30 емых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения,...

Номер патента: U 6678

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: эпитаксиальная, структура, кремниевая, 001, ориентации

Текст:

...элементов), глубина проник 5 66782010.10.30 новения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых некоторым выбранным вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый,...

Номер патента: U 6677

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковая, пластина, кремниевая, 001, ориентации

Текст:

...образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность таких вновь образованных окон можно рассматривать как новый, второй уровень элементов, который приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникнове 5 66772010.10.30 ния, определяемой размерами соответствующих им...

Номер патента: U 6676

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевая, ориентации, 001, пластина, полупроводниковая

Текст:

...к данному элементу приводит к возникновению нового элемента (окна в случае выбора в качестве первичного элемента островка и, соответственно, островка в случае выбора окна) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй, уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные...

Номер патента: U 6675

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевая, пластина, ориентации, 001, полупроводниковая

Текст:

...При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ 34-2. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается....

Номер патента: U 6674

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: ориентации, кремниевая, 001, пластина, полупроводниковая

Текст:

...новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры окна в 3 раза меньше размеров островка, глубина проникновения генерируемых им дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых вновь образованным элементом(окном), также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь...

Номер патента: 13466

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02, H01L 23/52

Метки: приборов, способ, кремниевых, полупроводниковых, системы, металлизации, изготовления

Текст:

...структуры после травления алюминия. Недостатком прототипа является то, что барьерный слой формируется не только на поверхности межуровневого диэлектрика, но и непосредственно в контактных окнах. Поскольку он обладает сравнительно высоким электрическим сопротивлением по сравнению с металлом и имеет электронный тип проводимости, это приводит к увеличению переходного сопротивления контактов, особенно к -областям, что снижает качество системы...

Номер патента: 13507

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Романюк Виктор Леонидович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: тонкой, получения, ba1xsrxtio3, способ, пленки

Текст:

...импульсное лазерное напыление на кремниевую подложку пленки 1-3 из материала мишени. Новым, по мнению авторов, является то, что импульсное лазерное напыление осуществляют лазером, работающим в режиме свободной генерации, с длиной волны 1,06 нм, длительностью импульса 10-3 с и энергией импульса 150-160 Дж, причем во время напыления давление составляет 200,5 Па и температура подложки 2002 С. На фиг. 1 представлена рентгенограмма пленки...

Номер патента: 13506

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Мурин Леонид Иванович, Коршунов Федор Павлович, Медведева Ирина Федоровна

МПК: H01L 21/66, G01N 27/20

Метки: способ, водорода, атомов, кремнии, определения, примесных, концентрации

Текст:

...только в спектрах ИК поглощения 4), что делает данный центр непригодным для контроля содержания водорода в малых концентрациях. Комплекс является электрически активным центром с глубокими уровнями, однако вследствие возможного захвата второго атома водорода и трансформации данного центра в электрически неактивный комплекс 2 его концентрации могут сильно отличаться от концентрации водорода в образцах кремния. Для контроля содержания...

Номер патента: 13504

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Шуленков Алексей Серафимович, Данильчик Александр Викторович, Луценко Евгений Викторович, Павловский Вячеслав Николаевич, Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович, Яблонский Геннадий Петрович

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: контакта, омического, способ, p-gan, изготовления, слою, эпитаксиальному, прозрачного

Текст:

...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...

Номер патента: 13489

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Иваш Анатолий Михайлович, Шуньков Семен Иванович, Огер Юрий Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: присоединения, выводов, установка, алюминиевой, проволоки

Текст:

...закрепленной на двухкоординатном столе 8 и наружной (охватывающей) втулки 9, установленной на внутренней втулке 7 с возможностью перемещения относительно ее координатеи поворота на угол сварки . Наружная втулка 9 кинематически связана с электромагнитами устройства нагружения 10 (второй электромагнит на чертеже не показан) и приводами устройства перемещения сварочной головки по координате 5 и поворота на угол сварки 6, установленными на...