Иванчиков Александр Эдуардович
Способ аэрозольного удаления фоторезиста и полимерных загрязнений с поверхности полупроводниковых кремниевых пластин после плазмохимического травления
Номер патента: 16838
Опубликовано: 28.02.2013
Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Трусов Виктор Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/30
Метки: аэрозольного, после, травления, способ, поверхности, пластин, удаления, плазмохимического, загрязнений, полупроводниковых, фоторезиста, полимерных, кремниевых
Текст:
...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...
Способ струйной очистки поверхности полупроводниковых кремниевых пластин с металлизированной разводкой на основе алюминия
Номер патента: 16480
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/44, B08B 3/08
Метки: струйной, основе, металлизированной, кремниевых, поверхности, способ, полупроводниковых, очистки, разводкой, алюминия, пластин
Текст:
...водой в течение менее 60 с при скорости вращения менее 50 об./мин поверхность недостаточно гидрофилизируется, что приводит к подтраву поверхности алюминия и снижениювыхода ИМС. При предварительной обработке пластин деионизированной водой в течение более 180 секунд и скорости более 150 об./мин наблюдается коррозия алюминия и выход годных снижается. Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2, где на фиг. 1 представлено значительное и...
Способ регенерации раствора ортофосфорной кислоты
Номер патента: 14499
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Карпович Дмитрий Викторович, Вечер Дмитрий Вячеславович, Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович
МПК: C23F 1/46
Метки: кислоты, регенерации, ортофосфорной, способ, раствора
Текст:
...Регенерация раствора ортофосфорной кислоты выполнялась путем периодической подачи воды в отработанный раствор, охлажденный до температуры (905) С и непрерывно циркулирующий в течение 2-2,5 ч. Затем производился нагрев восстановленного раствора 34 до температуры (1605) С и выполнялся процесс травления пленки нитрида кремния. Результаты представлены в табл. 3. Пример 4. Для проведения регенерации по заявляемому способу был выбран...
Состав для травления пленок поликристаллического кремния
Номер патента: 11821
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна
МПК: H01L 21/02
Метки: поликристаллического, состав, травления, кремния, пленок
Текст:
...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...
Способ очистки отборника проб деионизованной воды, выполненного в виде гибкой поливинилхлоридной трубки
Номер патента: 11521
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович
МПК: B08B 11/00
Метки: выполненного, трубки, очистки, способ, виде, воды, гибкой, деионизованной, отборника, проб, поливинилхлоридной
Текст:
...протоком со скоростью движения воды не менее 1,5 м/с, изготовленных из поливинилхлоридных (ПВХ) трубок, установленных после фильтра тонкой очистки (ФТО). ПВХ трубки с внутренним диаметром 4-10 мм достаточно гибкие и удобные для проведения качественного отбора проб деионизованной воды в стерильные промежуточные емкости. Однако внутренняя поверхность трубок из ПВХ пористая, что способствует оседанию на них бактерий и их росту 1. По этой...
Способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковой кремниевой пластины в растворе c pH больше 7
Номер патента: 11176
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович
МПК: C09K 13/00, H01L 21/02
Метки: качества, контроля, ph больше 7, поверхности, очистки, полупроводниковой, химической, способ, растворе, кремниевой, пластины
Текст:
...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...
Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем
Номер патента: 9536
Опубликовано: 30.08.2007
Авторы: Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Шикуло Владимир Евгеньевич
МПК: H01L 21/70, C11D 7/60
Метки: удаления, металло-кремнийорганических, микросхем, интегральных, остатков, кремниевых, состав, полимерных, изготовлении
Текст:
...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...
Состав для химической очистки поверхности пленок на основе алюминия
Номер патента: 9415
Опубликовано: 30.06.2007
Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Турыгин Анатолий Викторович, Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович
МПК: H01L 21/70, C11D 7/60
Метки: пленок, очистки, поверхности, основе, химической, алюминия, состав
Текст:
...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...
Состав для регенерации травителя на основе ортофосфорной кислоты
Номер патента: 8579
Опубликовано: 30.10.2006
Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Гладкова Людмила Владимировна, Турыгин Анатолий Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович
МПК: H01L 21/306
Метки: ортофосфорной, кислоты, травителя, основе, регенерации, состав
Текст:
...автоматизированной установке 2.1. Рассчитать объем и массу компонентов для приготовления заданного объема состава, исходя из соотношения компонентов, указанного в формуле гексафторосиликат аммония 0,3-1,0 г/л вода остальное. 2.2. Закачать с помощью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетную массу гексафторосиликата аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов. 2.4. Перемешать...
Состав для очистки поверхности полупроводниковых пластин
Номер патента: 5639
Опубликовано: 30.12.2003
Авторы: Сугакова Татьяна Евгеньевна, Кисель Анатолий Михайлович, Гранько Владимир Ильич, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович
МПК: H01L 21/306
Метки: пластин, очистки, полупроводниковых, поверхности, состав
Текст:
...тому, что содержит кислородный гетероцикл фиксированных размеров, избирательно захватывающий ионы щелочных и щелочноземельных металлов. Пропанол-2 (изопропиловый спирт, ИПС) - материал квалификации ос.ч., производится на соответствие ГОСТ 9805-84. Химическая формула СН 3-СН(ОН)-СН 3. Это бесцветная прозрачная жидкость. Хорошо растворяется в воде. Относится к классу спиртов и к группе неионогенных поверхностно активных веществ. Умеренно...
Способ регенерации травителя на основе ортофосфорной кислоты
Номер патента: 3417
Опубликовано: 30.06.2000
Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Курганович Александр Александрович, Довнар Николай Александрович
МПК: C23F 1/46, H01L 21/306
Метки: регенерации, способ, ортофосфорной, кислоты, основе, травителя
Текст:
...осуществляют путем добавления в отработанный травитель 0,1-0,2 об. ч. воды, нагревания до температуры 90-100 С и выдержки при этой температуре не менее 1 ч. Как показали эксперименты, 0,1-0,2 об. ч. воды достаточно для обратного превращения пирофосфорной кислоты в ортофосфорную. Уменьшение количества воды, добавляемой в травитель, менее 0,1 об. ч. не позволяет всю пирофосфорную кислоту перевести в ортофосфорную, а увеличение количества воды,...