Кавунов Андрей Петрович
Металлизация полупроводникового прибора
Номер патента: 8858
Опубликовано: 28.02.2007
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Кавунов Андрей Петрович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 23/482, H01L 21/60, H01L 23/48...
Метки: прибора, полупроводникового, металлизация
Текст:
...полупроводникового прибора.Адгезионный слой титана толщиной (0,07-0,15) мкм служит для улучшения адгезии слоя никеля или никеля с ванадием к буферному слою алюминия или его сплава, вовторь 1 х, структура А 1/Т 1 устойчива к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения А 1 Т 13. Интерметаллическое соединение А 1 Т 13 образуется на границе раздела алюминий - титан во время присоединения кремниевого...