Кузик Сергей Владимирович

Номер патента: 15214

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: шоттки, диод

Текст:

...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...

Номер патента: 14850

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Лабан Эдуард Казимирович, Солодуха Виталий Александрович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/02, H01L 23/48...

Метки: межэлементных, соединений, способ, микросхемы, изготовления

Текст:

...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...

Номер патента: 14848

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Голубев Николай Федорович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Текст:

...кольца будет сравнительно большим, что не позволит заметно улучшить устойчивость диода Шоттки к воздействию статического электричества. Превышение произведения ширины охранного кольца на глубину его залегания более 80 мкм 2 не приводит к дальнейшим улучшениям, что экономически нецелесообразно. При отношении глубины охранного кольца к толщине эпитаксиального слоя в диапазоне от 0,16 до 0,32 обеспечивается равномерное протекание ударного...

Номер патента: 14452

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Мильчанин Олег Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Комаров Фадей Фадеевич, Довнар Николай Александрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: способ, диода, изготовления, шоттки

Текст:

...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...

Номер патента: 13177

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: диода, способ, шоттки, изготовления

Текст:

...источника будет менее 950 С, а время менее 30 мин, то на поверхности не будет сформирован слой достаточно большой степени легирования бором, а значит, это приведет к низкой поверхностной концентрации бора в охранном кольце, приводящей к снижению обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Понижение температуры до первоначального уровня в окислительной среде проводят для...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Мойсейчук Константин Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Кузик Сергей Владимирович, Бересневич Людмила Брониславовна

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, композиция, бора, источников, интегральных, изготовлении, схем, твердых, полупроводниковых, получения

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Номер патента: 11278

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, способ, диода, шоттки

Текст:

...геттерирующего слоя, а отжиг проводят перед формированием углубления в эпитаксиальном слое. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что величина токов утечки диодов Шоттки определяется высотой барьера Шоттки, плотностью поверхностных состояний на границе металл-кремний, а также током генерации носителей заряда в области обеднения диода Шоттки 4, 5. Ионное легирование непланарной стороны подложки ионами...

Номер патента: 10443

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: шоттки, изготовления, способ, диода

Текст:

...платины. При меньших значениях температуры термообработки и времени ее проведения не происходит полного перехода платины в силицид, что приводит к росту обратных токов, ухудшению качества и снижению выхода годных. При температуре термообработки более 575 С и времени термообработки более 60 мин наблюдаются рост обратных токов и снижение выхода годных диодов Шоттки, связанные с диффузией кислорода в слой силицида, диффузией никеля к границе...

Номер патента: 8449

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Пеньков Анатолий Петрович, Карпов Иван Николаевич, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/47, H01L 21/329, H01L 21/328...

Метки: способ, изготовления, шоттки, диода

Текст:

...адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминий-кремний, во-вторых,4 8449 1 2006.08.30 структура - стойка к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения 3. Толщина слоя титана 0,07-0,15 мкм выбирается как из приведенных выше соображений, так и из условия минимизации механических напряжений в многослойной структуре /////. Сущность изобретения поясняется фиг....