Воробьева Алла Ильинична

Номер патента: 7431

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Сокол Виталий Александрович, Уткина Елена Апполинарьевна, Воробьева Алла Ильинична

МПК: H01L 29/80, H01L 21/28

Метки: изготовления, элемент, трехэлектродный, активный, способ

Текст:

...управляющей сетки и матрицы изолирующего материала. Фиг. 11 показывает схему переноса электронов в отдельном канале (а) и диаграмму отбора электронов в канале по импульсу (б) при различных управляющих напряжениях на сетке. На чертежах приняты следующие обозначения 1 - подложка 2 - слой истока- 1-й уровень 3 - слой Та 4 - матрица пористого анодного оксида алюминия 23 5 - слой 25 6 - квазипроводящие каналы со множеством столбиков (25 или 25) 7 -...

Номер патента: 6613

Опубликовано: 30.12.2004

Авторы: Воробьева Алла Ильинична, Уткина Елена Апполинарьевна, Сокол Виталий Александрович

МПК: H01L 49/02

Метки: интегральной, резистивно-коммутационной, микросхемы, изготовления, тонкопленочной, способ

Текст:

...в слое. Затем формируют дорожки межсоединений последующих уровней металлизации повторением операций осаждения пленки А, маскирования и анодного оксидирования. Это дает возможность получения резисторов с широким диапазоном номиналов от(1050)Ом до 100 Мом и ТКС (10-4104). Так как тонкопленочные резисторы изготавливаются на планарной поверхности подложки, они имеют высокую точность номиналов из-за значительного упрощения технологического...

Номер патента: 6371

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Сокол Виталий Александрович, Паркун Владимир Михайлович, Игнашев Евгений Петрович, Воробьева Алла Ильинична

МПК: H05K 3/44, C25D 11/02

Метки: или, способ, алюминия, металлических, оснований, сплавов, изготовления

Текст:

...в широких диапазонах давлений и температур благодаря соответствию коэффициентов термического расширения оксида и твердого наполнителя. Кроме того, заполнение пор твердым диэлектриком улучшает планарность основания (гладкость поверхности) и адгезионные свойства проводящих и резистивных пленок. В качестве твердого диэлектрика могут быть использованы неорганические и органические диэлектрики. В случае использования органических диэлектриков...