H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 13528

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Русальская Тамара Георгиевна, Табулина Людмила Васильевна, Звонова Ольга Сергеевна, Баранов Игорь Ливерьевич

МПК: H01L 21/02, C25F 3/00

Метки: способ, подложки, травления, кремниевой

Текст:

...0,5-1,14, 1,01,75 и 0,07-0,14 СВ-1017, и подключают ее к электрической цепи с плотностью протекающего через подложку анодного тока в интервале 50-75 мА/см 2. При анодной обработке в электролитических растворах, содержащих плавиковую кислоту, на поверхности кремниевой подложки протекают следующие реакции электрохимическая реакция образования бифторида кремния(1)22 е 22 химическое восстановление кремния из бифторида кремния(3) 4226...

Номер патента: U 6405

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевая, ориентации, 111, эпитаксиальная, структура

Текст:

...дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется фрактальная структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов двух типов ямок и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит из элементов одинакового минимального размера, элементы бльших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности...

Номер патента: U 6404

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: эпитаксиальная, ориентации, структура, 111, кремниевая

Текст:

...результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом рисунка. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь...

Номер патента: 13388

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Пожидаев Александр Викторович, Шишенок Николай Александрович, Кабанов Владимир Викторович, Паращук Валентин Владимирович, Шишенок Елена Михайловна, Леончик Сергей Викентьевич, Рябцев Андрей Геннадьевич, Беляева Ада Каземировна, Титовец Сергей Николаевич, Тепляшин Леонид Леонидович, Щемелев Максим Анатольевич, Жиздюк Татьяна Борисовна, Рябцев Геннадий Иванович, Красковский Андрей Сергеевич, Микаелян Геворк Татевосович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Богданович Максим Владимирович, Соколов Сергей Николаевич

МПК: H01S 5/00, H01L 33/00

Метки: основании, бора, лазерных, нитрида, сборки, керамики, структур, способ, теплоотводящем

Текст:

...распределение припоя по поверхности монтажной пластины можно получить нанесением последовательно в едином технологическом цикле четырех металлов хромникель-олово-серебро (патент 2173913, МПК 601 21/58, опубл. 15.07.1999). Каждый из вышеперечисленных способов имеет свой недостаток. Так, в техническом решении по патенту 2075140 на монтажную поверхность наносится слой золота,геометрические параметры которого необходимо выдерживать в жестких...

Номер патента: 13237

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, полупроводникового, способ, прибора

Текст:

...нитрида кремния в водороде химическая связь между атомами кремния и азота разрывается, а на оборванные связи присоединяется водород. Связь кремния с водородом при контакте с воздухом окисляется, а связь азота с водородом, представляющая собой не что иное как модифицирующие аминогруппы, остается стабильной вплоть до нанесения пленки полиамидокислоты. Поскольку нитрид кремния содержит очень много азота, количество образовавшихся...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Родин Георгий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/02

Метки: схем, изготовлении, микрорельефа, интегральных, планаризации, способ

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Номер патента: 13236

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: разбраковки, полупроводниковых, структур, кремниевых, диодных, способ

Текст:

...прикладывают к тестовой структуре контакты и пропускают через нее импульсы прямого, а затем обратного тока, измеряют прямое падение напряжения и определяют время жизни неосновных носителей заряда в 2 13236 1 2010.06.30 базовой области, по которому осуществляют разбраковку структур, причем измеряют прямое падение напряжения посредством дополнительных контактов, прикладываемых к тестовой структуре. Сущность изобретения заключается в том,...

Номер патента: U 6346

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: ориентации, функциональное, пластин, покрытие, кремниевых, 111, полупроводниковых

Текст:

...Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в покрытии....

Номер патента: U 6345

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевых, покрытие, полупроводниковых, ориентации, пластин, 111, функциональное

Текст:

...элементы рисунка не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание разнотипных элементов-окон и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера,...

Номер патента: U 6344

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: ориентации, 111, пластин, кремниевых, покрытие, функциональное, полупроводниковых

Текст:

...только элементы нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов обоих материалов - нитрида и диоксида кремния - приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры,...

Номер патента: U 6343

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: ориентации, пластина, 111, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...меньше по отношению к первичному тетраэдру и т.д. Высота тетраэдров каждый раз уменьшается в 2 раза. При этом вершины тетраэдров одного уровня находятся на одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры - октаэдра. Его можно рассматривать также как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого...

Номер патента: U 6342

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: функциональное, полупроводниковых, пластин, кремниевых, 111, ориентации, покрытие

Текст:

...в 2 раза. При этом вершины тетраэдров одного уровня находятся на 5 63422010.06.30 одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры октаэдра. Его можно рассматривать так же, как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния....

Номер патента: U 6339

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: кремниевая, пластина, 111, ориентации, полупроводниковая

Текст:

...на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов двух типов - окон и островков приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере...

Номер патента: U 6338

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковая, ориентации, 111, кремниевая, пластина

Текст:

...состоит только из элементов минимального размера, элементы бльших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным...

Номер патента: U 6337

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: ориентации, 111, пластина, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...тетраэдров одного уровня находятся на одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры - октаэдра. Его можно рассматривать так же,как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого 5 63372010.06.30 тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит...

Номер патента: U 6298

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователь, оптических, излучений, полупроводниковый

Текст:

...эпитаксии, представляющий твердый раствор интерметаллического соединения 1. Параметр степени концентрации компонента в раствореизменяется от ну 21 ля до единицы, причем со стороны -слоя 4 из узкозонного полупроводника он представляет материал этого слоя -, а со стороны -области - перехода 2 - материал этой 2 области, то есть соединение 1. Например, если материалом -области - перехода являетсяс 21,43 эВ, а материалом -слоя 4 -с 30,36...

Номер патента: U 6341

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: структура, кремниевая, 111, ориентации, эпитаксиальная

Текст:

...Наличие контролируемых нарушений на обратной стороне пластины в одном из направлений 1 1 0 , 1 0 1 или 0 1 1 позволяет сформировать сетку дислокаций в строго определенных кристаллографических плоскостях, а именно в плоскостях (1 1 0) и (1 1 1) ,(1 0 1) и (1 1 1) или (0 1 1) и (1 1 1) попарно, соответственно выбранному кристаллографическому направлению. Генерация дислокаций именно в этих плоскостях в данном случае энергетически наиболее...

Номер патента: U 6340

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: структура, эпитаксиальная, ориентации, 001, кремниевая

Текст:

...типа 111, пересекающие рассматриваемые кристаллографические плоскости генерации дислокаций под углом 3516, не могут препятствовать прорастанию дислокаций на рабочую поверхность в связи с тем, что они наклонены к поверхности пластины, и энергия образования дислокаций в этих плоскостях выше, чем в плоскостях (110) и (1 1 0) . Наличие на нерабочей поверхности пластины механических нарушений в виде параллельных линий в кристаллографическом...

Номер патента: 13177

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: изготовления, диода, способ, шоттки

Текст:

...источника будет менее 950 С, а время менее 30 мин, то на поверхности не будет сформирован слой достаточно большой степени легирования бором, а значит, это приведет к низкой поверхностной концентрации бора в охранном кольце, приводящей к снижению обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Понижение температуры до первоначального уровня в окислительной среде проводят для...

Номер патента: 13060

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Токарев Владимир Васильевич, Шамягин Виктор Павлович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: шоттки, диода, изготовления, способ

Текст:

...Если отжиг проводить более 180 минут при температуре более 1040 С, то глубина залегания перехода охранного кольца будет слишком большой, а поверхностная концентрация бора в охранном кольце пониженной,что приведет к снижению величины обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Если отжиг проводить в окислительной среде, то поверхностная концентрация бора в охранном кольце будет...

Номер патента: 12994

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Гурин Павел Михайлович, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: кремния, способ, изготовления, основе, быстродействующих, тиристоров

Текст:

...пробега электронов в материале экрана, и с расположением отверстий, соответствующим расположению отверстий шаблона для нанесения на кремниевую пластину контактов к управляющему электроду, подвергают воздействию тормозного гаммаизлучения весь объем структуры. Сущность способа состоит в следующем. В случае формирования в четырехслойной приборной структуре зоны повышенной рекомбинации (ЗПР) цилиндрической формы 5,когда ЗПР совпадает с...

Номер патента: 13130

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: кремниевых, отбраковки, потенциально, диодов, силовых, ненадежных, способ

Текст:

...после проведения при упомянутом радиационном воздействии термоциклирования в диапазоне температур от - 75 до 185 С в течение от 30 до 40 мин. Сущность способа. Диоды, полученные на основе высокоомных кремниевых структур с переходом, подвергают термоциклированию (воздействию тепловых ударов при многократном изменении температуры от отрицательных до положительных и наоборот) в диапазоне от -75 до 185 С в течение 30-40 мин в процессе низко...

Номер патента: U 6182

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович, Залесский Валерий Борисович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 21/00

Метки: элемент, солнечный

Текст:

...технической задачи инфракрасные приемники выполнены в виде двух полуволновых вибраторов, изготовленных из металлов с разной работой выхода электронов, внутренние плечи которых электрически подключенных к детекторам. Для эффективного решения поставленной технической задачи детекторы выполнены в виде наноконденсаторов. Совокупность указанных признаков позволяет увеличить эффективность преобразования солнечного излучения в электричество за счет...

Номер патента: U 6166

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: пластина, ориентации, кремниевая, 111, полупроводниковая

Текст:

...моменты перпендикулярны линиям нарушений. Эти плоскости наклонены к поверхности пластины и пересекаются на некотором расстоянии от ее поверхности опять-таки в плоскости( 1 1 1 ) (или в плоскости (111), что то же самое), которая также является плоскостью скольжения. Пересечение рассматриваемых плоскостей скольжения приводит к блокированию дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях с образованием дислокационных полупетель, закрепленных...

Номер патента: U 6196

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/02

Метки: диэлектрическая, прибора, изоляция, межуровневая, полупроводникового

Текст:

...дефектов. Кроме того, пленки нитрида кремния характеризуются высокими барьерными свойствами по отношению к катионным загрязнениям, что обеспечивает дополнительные преимущества заявляемой конструкции. Минимальная толщина нитрида кремния, равная 0,02 мкм, обусловлена тем, что при меньших значениях существующие методы получения таких пленок не обеспечивают их сплошность, формируемая пленка носит островковый характер. Кроме того, в процессе...

Номер патента: U 6148

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковая, ориентации, 001, пластина, кремниевая

Текст:

...процесса генерации дислокаций в плоскостях (101), (1 0 1 ), (011) и ( 0 1 1 ), которые наклонены к поверхности под углом 45. Генерация дислокаций именно в этих плоскостях в данном случае энергетически наиболее выгодна и обусловлена тем, что возникающие от механических нарушений изгибающие моменты перпендикулярны линиям нарушений. Плоскости (101) и ( 1 0 1 ), (011) и ( 0 1 1 ) попарно перпендикулярны друг другу,поэтому генерируемые в...

Номер патента: 12893

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Мойсейчук Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Бересневич Людмила Брониславовна

МПК: H01L 21/02

Метки: алюминия, композиция, пленкообразующая, диффузии, кремний

Текст:

...позволяет снизить количество неконтролируемых примесей и улучшить 2 12893 1 2010.02.28 качество легированных стекол для диффузии алюминия. При содержании ТЭОС менее 15,0 мас.в осажденных пленках содержится недостаточно нитрата алюминия для обеспечения требуемого содержания диффузанта, и глубина диффузии уменьшается. При содержании ТЭОС более 17,0 мас.образуется студенистая масса, которая непригодна для нанесения пленок диффузанта...

Номер патента: 12790

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Врублевская Ольга Николаевна, Кобец Анна Вячеславовна, Рева Ольга Владимировна, Воробьева Татьяна Николаевна

МПК: C23C 18/31, H01L 21/02

Метки: получения, способ, адгезионного, барьерного, никель-фосфор, кремнии, слоя

Текст:

...водой и су 4 12790 1 2010.02.28 шат обдувом теплым воздухом. Осаждение никеля происходит неравномерно, в виде пятен, после достижения толщины 0,07 мкм покрытие растрескивается и отслаивается. Пример 4. Кремниевую пластину последовательно обрабатывают в 20 -ном растворев течение 10-15 мин при 20 С, после тщательной промывки водой - в подкисленном растворе 2 состава 2 22 г/дм 3 (можно варьировать от 0,1 до 25 г/дм 3) и 10 см 3/дм 3 8-10...

Номер патента: 12883

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Хорунжий Игорь Анатольевич, Доманевский Дмитрий Сергеевич, Бобученко Дмитрий Степанович

МПК: H01L 23/34, F28D 15/04, H05K 7/20...

Метки: штыревой, радиатор, приборов, охлаждения, полупроводниковых

Текст:

...перенос тепла от оснований штырьков к их торцам осуществлен с помощью встроенных в штырьки миниатюрных тепловых труб. На чертеже стрелками показано направление потока охлаждающей радиатор внешней среды, например воздушной. В радиаторе 1 внутрь каждого штырька 3 встроена миниатюрная тепловая труба 4,выполненная в виде герметически закрытого контейнера 5, из которого откачан воздух, а на внутренних стенках 6 контейнера 5 размещена...

Номер патента: U 5908

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Василевский Юрий Георгиевич, Чиж Александр Леонидович, Малышев Сергей Александрович

МПК: H01L 31/10

Метки: фотодиод, вертикально-освещаемый, лавинный, планарный

Текст:

...фотодиода по фоточувствительной поверхности, вызванную краевым лавинным пробоем. Сущность полезной модели поясняется фиг.1, на которой изображн поперечный разрез вертикально-освещаемого планарного лавинного фотодиода, где 1 - первый металлический электрод 2 - первый полупроводник первого типа проводимости 3 - первый полупроводник с собственной проводимостью 4 - второй полупроводник первого типа проводимости 5 - второй полупроводник с...

Номер патента: U 5981

Опубликовано: 28.02.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 43/06

Метки: основе, холла, прибор, эффекта

Текст:

...В результате на исходной подложке одной и той же площади можно изготовить большее количество приборов. Как правило, чувствительный элемент выполняют со сторонами одинакового размера, что позволяет использовать подложки квадратной формы. В этом случае использование заявляемого технического решения максимально эффективно. Заявляемое техническое решение поясняется фигурой, где показано расположение активного элемента на на подложке...

Номер патента: U 5888

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Скубилин Михаил Демьянович, Авдеев Сергей Петрович

МПК: G05B 23/02, G06F 15/00, G01J 5/58...

Метки: расплава, кристаллизации, лейкосапфира, направленной, установка

Текст:

...лодочки, что ведет к минимизации временных и энергетических затрат на технологический процесс. Технический результат обеспечивается тем, что в установку направленной кристаллизации расплава лейкосапфира, содержащую вакуумную камеру, теплоизолированную камеру, размещенную в вакуумной камере, вакуумный насос, соединенный патрубком с вакуумной камерой, первый датчик, датчик глубины вакуума, соединенный патрубком с вакуумной камерой, источник...

Номер патента: 12719

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Безъязычная Татьяна Владимировна, Рябцев Геннадий Иванович, Паращук Валентин Владимирович, Пожидаев Александр Викторович, Енжиевский Алексей Иванович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Жиздюк Татьяна Борисовна, Щемелев Максим Анатольевич, Соколов Сергей Николаевич, Микаелян Геворк Татевосович, Богданович Максим Владимирович

МПК: H01L 21/02, H01S 3/00

Метки: или, лазера, линейки, лазерного, диодного, активного, виде, получения, диода, соединения, элемента, способ, диодной, контактного, выполненного

Текст:

...из соответствующего условия. При этом равномерность и избирательность нанесения слоя припоя под элементом достигается как за счет локально сформированной полоски золота, например путем напыления, так и вследствие капиллярности распространения припоя под припаиваемым элементом. Недостаток данного метода заключается в том, что для фиксации устанавливаемого элемента и, следовательно, повышения точности позиционирования требуется применение...

Номер патента: U 5775

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66, G01B 11/30...

Метки: качества, изделий, поверхности, устройство, контроля

Текст:

...уменьшением радиуса кривизны наблюдаемых топографических дефектов. В ряде случаев это приводит к фокусировке их изображения (изображение дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемая полезная модель поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения...

Номер патента: 12545

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Выговский Станислав Вячеславович, Турцевич Аркадий Степанович, Горобец Григорий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Керенцев Анатолий Федорович, Осипов Александр Александрович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 23/00

Метки: прибора, полупроводникового, мощного, корпус

Текст:

...стекла С-76-4 с обечайкой из стали, которые имеют существенное различие в коэффициентах термического линейного расширения (КТЛР), что способствует возникновению в стеклоспае механических напряжений, приводящих к образованию сквозных и несквозных микротрещин в стекле и снижению герметичности по ВУ 12545 С 12009.10.30сле термоциклирования. Так как стеклоспай обладает низкой устойчивостью К механическим деформациям выводов при эксплуатации,...

Номер патента: 12211

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Васильев Валерий Лукич, Гайдук Илья Леонидович, Ковальчук Геннадий Филиппович, Гаевская Татьяна Васильевна, Цыбульская Людмила Сергеевна, Антипов Михаил Николаевич

МПК: B28D 5/00, H01L 21/02

Метки: устройство, резки, корпусное, полупроводниковых, алмазосодержащее, пластин

Текст:

...С и катодной плотности тока 2,0-3,0 А/дм 2 (фигура). Изготовление алмазосодержащего устройства для резки полупроводниковых пластин из кремния и материалов группы А 3 В 5 по данному изобретению включает следующие операции изготовление корпуса из сплава алюминия Д 16 электрохимическое осаждение тонкого слоя меди для обеспечения хорошего качества сцепления последующих нанесенных алмазосодержащих слоев электрохимическое осаждение внешнего...

Номер патента: U 5480

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, H01L 21/66...

Метки: изделий, устройство, контроля, качества, поверхности

Текст:

...источник оптического излучения, держатель образцов и экран, дополнительно содержит расположенную между источником излучения и держателем образцов координатную сетку, а также тем, что в качестве координатной сетки используют фотошаблон топологических структур полупроводниковых приборов. Сущность заявляемого технического решения заключается в формировании на контролируемой поверхности светотеневой координатной сетки, искажение изображения...

Номер патента: U 5540

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович, Сычик Андрей Васильевич

МПК: H01L 35/28

Метки: холодильный, солнечный, элемент, термоэлектрический

Текст:

...сформирована методом фотолитографии на р-слое 1, то есть на полупроводниковой подложке, на решетчатую поверхность которой последовательно методом газофазной эпитаксии нанесен -слой 2, -слой 3, р-слой 4 и методом ионного распыления электропроводящий слой 5 из светопрозрачного материала. 3 55402009.08.30 В соответствии с результатами расчета оптимальная высота выступов составляет(30300) микрон, угол наклона граней выступов к своей оси -...

Номер патента: U 5481

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/00

Метки: солнечной, полупроводниковый, холод, энергии, преобразователь

Текст:

...7 (прозрачный антиотражательный элемент), оптическая плотность которого выше, чем у р-слоя 6. В качестве материала просветляющего слоя используются окислы кремнияи О 2, а оптимальная толщина просветляющего слоя 7 составляет 0,05-0,15 мкм. Толщина металлического слоя решетчатого омического контакта 8 составляет 1-3 мкм, а занимаемая им площадь составляет 512 от всей площади р-слоя 6 устройства. При контакте невырожденных полупроводников...

Номер патента: 12019

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Голубев Николай Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: биполярный, высоковольтный, транзистор

Текст:

...до 0,2 мкм позволяет улучшить защитные свойства пассивирующего покрытия и компенсировать механические напряжения, возникающие на границе нитрид кремния - слой легкоплавкого стекла из-за разности их термических коэффициентов линейного расширения. В совокупности это обеспечивает дополнительное повышение выхода годных ВБТ. При толщине слоя нитрида кремния менее 0,05 мкм улучшение защитных свойств не достигается и компенсации механических...