Киселев Владимир Иосифович

Номер патента: 10818

Опубликовано: 30.06.2008

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: легирования, структуры, ионного, способ, дозы, полупроводниковой, определения

Текст:

...см-3 и 1,041019 см-3 3, 10, т.е. все функции 11, 12, 13 описывают реакцию невырожденногона ионное облучение. Резистивный 1 и переходный 4 слои могут быть получены любым традиционным способом - эпитаксия осаждение поликристаллического полупроводника с одновременным или последующим его легированием до уровня не ниже (2-3)10 см-3 ионная имплантация. В последнем случае структура -(-) не имеет резкой границы, которая тогда условно...

Номер патента: 9323

Опубликовано: 30.06.2007

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/265, H01L 21/66...

Метки: дозиметрии, четырехзондовой, способ, имплантации, ионной

Текст:

...концентрация основных носителей заряда о(х) постоянна по глубине х резистивного слоя 1 или модуль ее приведенного безразмерного градиента/1 при любом х, на точности косвенного измерения дозы по калибровочной кривой может негативно сказаться технологическая неоднородность / толщины выращенного резистивного слоя 1 в различных точках его поверхности. В случае о(х), известное выражение для ПС легированных полупроводниковых слоев 5 т.е....

Номер патента: 8857

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Киселев Владимир Иосифович, Пшенко Анатолий Николаевич

МПК: H01L 21/66

Метки: структуре, имплантированной, дозы, измерения, полупроводниковой, ионов, способ

Текст:

...и масс-спектрального рабочего диапазона.Поставленная задача достигается тем, что в способе измерения имплантированной дозы ионов в полупроводниковой структуре, включающем формирование на полупроводни шахковой подложке тестового элемента полевого типа, содержащего Контактные площадки истока И стока для зондовь 1 х измерений электрофизической характеристики тестового элемента в зависимости от приложенного К нему электрического...

Номер патента: 4853

Опубликовано: 30.12.2002

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: имплантации, ионной, оптической, способ, дозиметрии

Текст:

...калибровочные функции известного способа, взятого за прототип, для ионов мышьяка с энергией Е 50 кэВ (кривая 1) и фосфора с энергией Е 80 кэВ (кривая 2) при длине волны зондирующего излучения 632,8 нм. На фиг. 2 - зависимости показателя преломления нелегированного поликремния (кривая 3) и монокристаллического кремния (кривая 4) от длины волны зондирующего излучения. На фиг. 3 - зависимости коэффициента поглощения нелегированного...