H01L 21/82 — для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов

Номер патента: 8810

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Муравьев Борис Дмитриевич, Дворников Олег Владимирович, Володкевич Александр Антонович

МПК: G01R 19/03, H01L 21/82

Метки: термочувствительная, интегральная, схема

Текст:

...кристалла, например, при помощи металлизированных межсоединений. В каждом кристалле сформирован биполярный транзистор 4, нагревательный резистивный элемент 5. Транзистор имеет Центрально расположенный коллекторный контакт 6, эмиттерные 7 и базовые 8 области. Эмиттерные области расположены по периферии транзистора максимально близко к нагревательному элементу симметрично относительно двух взаимно перпендикулярных осей УУ, 22. Эмиттерные,...

Номер патента: 2335

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Воронин Сергей Иванович, Костенко Евгений Михайлович, Ершова Надежда Васильевна

МПК: H01L 21/82

Метки: схем, изготовления, способ, кмдп-интегральных, низкопороговых

Текст:

...окислением в сухом ЕС 1 при Т 100 ОС 0создают подзатворный окисел толщиной 400 А. Из графиков, поназанннх на фиг.1 и 2, видно, что при этом пороговые напряжения р-канального транзистора соспэплнт 0,7 В, пнанального транзистора 050 В. Затем наносят полпкремний И с помощью фотолито г графин формируют электродьтзатворов и первый уровень металли зации. Затем формируют межслоиннй диэлектрик и о помощью фотолитографии вскрывают отверстия к...