Патенты с меткой «эпитаксиальному»
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою нитрида галлия p-GaN
Номер патента: 15439
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович, Труханов Алексей Валентинович, Пашкевич Михаил Викторович
МПК: H01L 33/00, H01L 21/02, B82B 3/00...
Метки: омического, прозрачного, изготовления, нитрида, слою, галлия, способ, контакта, эпитаксиальному, p-gan
Текст:
..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN
Номер патента: 13804
Опубликовано: 30.12.2010
Авторы: Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич
МПК: H01L 21/02, H01L 33/00
Метки: эпитаксиальному, слою, контакта, омического, способ, p-gan, изготовления, прозрачного
Текст:
...контактной структуры к - достигается по сравнению с прототипом тем, что при нанесении и последующем удалении дополнительных слоев оксида алюминия происходит преимущественное заполнение пустот (проколов), образовавшихся при росте пленки, диэлектрическим материалом, близкого по свойствам к соединениям нитридов третьей группы элементов, без его постороннего присутствия на плоских (бездефектных) участках поверхности, т.е. осуществляется...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GаN
Номер патента: 13504
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Данильчик Александр Викторович, Яблонский Геннадий Петрович, Шуленков Алексей Серафимович, Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович, Луценко Евгений Викторович, Павловский Вячеслав Николаевич
МПК: H01L 21/02, H01L 33/00
Метки: эпитаксиальному, прозрачного, контакта, изготовления, слою, омического, p-gan, способ
Текст:
...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN
Номер патента: 8569
Опубликовано: 30.10.2006
Авторы: Яблонский Геннадий Петрович, Хойкен Михаель, Шуленков Алексей Серафимович, Стогний Александр Иванович, Шинеллер Бернд, Луценко Евгений Викторович
МПК: H01L 21/28, H01L 33/00, H01L 21/283...
Метки: способ, прозрачного, p-gan, изготовления, слою, омического, эпитаксиальному, контакта
Текст:
...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...