Шумило Виктор Степанович

Номер патента: 16935

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 33/20

Метки: гетеропереходного, способ, изготовления, светодиода

Текст:

...к -слою из узкозонного полупроводника. Средняя скорость формирования металлического слоя составляет 100200 /с, а температура нагрева основания составляет 300350 С. Стравливают плоскую поверхность полупроводникового основания р-типа методом ионно-плазменного травления для получения бездефектной структуры и удаления окисной пленки и инородной поверхностной примеси. Скорость травления составляет 3040 /с, а температура процесса 300400 С....

Номер патента: U 8626

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Уласюк Николай Николаевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28

Метки: элемент, водоохлаждающий

Текст:

...причем толщина основания составляет 13 мкм. Габаритные размеры металлического основания 11 составляют 4848 мм, а размеры расположенной на нем структуры 4444 мм. Просветляющий слой 10 исключает потери на отражение излучения от -слоя, то есть повышает коэффициент поглощения фотонов -слоем 5. Поскольку концентрация электронов в -слое 3 при инжекции фотогенерированных электронов из слоя 5 достигает 1019 см-3 и выше, а концентрация...

Номер патента: U 6298

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 31/04

Метки: излучений, полупроводниковый, преобразователь, оптических

Текст:

...эпитаксии, представляющий твердый раствор интерметаллического соединения 1. Параметр степени концентрации компонента в раствореизменяется от ну 21 ля до единицы, причем со стороны -слоя 4 из узкозонного полупроводника он представляет материал этого слоя -, а со стороны -области - перехода 2 - материал этой 2 области, то есть соединение 1. Например, если материалом -области - перехода являетсяс 21,43 эВ, а материалом -слоя 4 -с 30,36...

Номер патента: U 6251

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: G01K 7/16

Метки: полупроводниковый, температуры, преобразователь

Текст:

...Информационный омический контакт 6 к полупроводниковому основанию 1 с внешним выводом представляет слой толщиной 1,0-2,0 мкм на сильнолегированной области полупроводникового основания 1. Диэлектрический слой 2, нанесенный на полупроводниковое основание 1, обладает высокими изоляционными свойствами, его толщина 1-3 мкм. Он может формироваться из оксида кремния или оксида алюминия. Полупроводниковый слой 3 выполнен из более широкозонного...

Номер патента: U 5540

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Андрей Васильевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28

Метки: элемент, термоэлектрический, солнечный, холодильный

Текст:

...сформирована методом фотолитографии на р-слое 1, то есть на полупроводниковой подложке, на решетчатую поверхность которой последовательно методом газофазной эпитаксии нанесен -слой 2, -слой 3, р-слой 4 и методом ионного распыления электропроводящий слой 5 из светопрозрачного материала. 3 55402009.08.30 В соответствии с результатами расчета оптимальная высота выступов составляет(30300) микрон, угол наклона граней выступов к своей оси -...

Номер патента: U 5481

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 35/00

Метки: полупроводниковый, преобразователь, солнечной, холод, энергии

Текст:

...7 (прозрачный антиотражательный элемент), оптическая плотность которого выше, чем у р-слоя 6. В качестве материала просветляющего слоя используются окислы кремнияи О 2, а оптимальная толщина просветляющего слоя 7 составляет 0,05-0,15 мкм. Толщина металлического слоя решетчатого омического контакта 8 составляет 1-3 мкм, а занимаемая им площадь составляет 512 от всей площади р-слоя 6 устройства. При контакте невырожденных полупроводников...

Номер патента: U 5383

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечной, полупроводниковый, датчик, энергии

Текст:

...и обеспечивает омический контакт с электропроводящим слоем 4. Его толщина составляет (0,10,3) . Омическим контактом к р-слою 3 является проводящий слой 4,выполненный из прозрачного материала, например окиси индия-олова, который одновременно является просветляющим слоем. Он формируется толщиной (13) мкм. С помощью электропроводящего клея к нему по периметру присоединяется внешний металлический вывод 5, а сильнолегированный...

Номер патента: 7315

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Занько Александр Фомич, Шумило Виктор Степанович, Антонов Александр Алексеевич

МПК: F25D 23/02, F25D 23/00

Метки: шкаф, холодильника

Текст:

...поясняется чертежом шкаф холодильника с двумя боковыми дверями,установленный в стене А, разделяющей соседние помещения, вид сверху. Шкаф холодильника содержит корпус 1 и двери 2, 3. При необходимости шкаф может быть выполнен с тремя и четырьмя боковыми дверями. Для предупреждения открывания дверей 2, 3 одновременно шкаф холодильника может быть снабжен средством (на чертеже не показано), указывающим на то, что одна из дверей 2, 3...

Номер патента: 7011

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Сычик Андрей Васильевич, Лашицкий Эдуард Казимирович, Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 35/28

Метки: холодильник, полупроводниковый

Текст:

...коэффициентом передачи электронов на р-область 3 нанесен варизонный рМг-слой 5 также методом жидкофазной или газофазной эпитаксии, который согласовывает р-область 3 и р 1-область 6 по постоянным кристаллических решеток. Варизонный ртг-слой 5 представляет твердыйраствор интерметаллического соединения АХА В. Параметр степени концентрациикомпонента в ртг-слое 5 Изменяется от нуля до единицы, причем со стороны р-области 3 он представляет...

Номер патента: 7007

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич, Шамкалович Владимир Иванович, Калантаева Татьяна Владимировна

МПК: H01L 35/28

Метки: способ, термоэлемента, изготовления, полупроводникового

Текст:

...выполнена из широкозонного бинарного соединения баАз, то варизонный слой реализуется структурой 1 пх 6 а 1 ХА 5, где х - параметр степени концентрации компонента в растворе, путем монотонного снижения интенсивности потока компонента Ап 1 от максимального значения до нуля и монотонного повышения интенсивности потока компонента Ап 2 от нуля до максимального значения. Параметр х изменяется от 1 до нуля. Режим формирования варизонного слоя Ап 1...

Номер патента: 6828

Опубликовано: 30.03.2005

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович, Шамкалович Владимир Иванович, Сычик Андрей Васильевич

МПК: H01L 35/28

Метки: термоэлектрический, холодильник

Текст:

...экстрагируемых из 1- в 1-область и, как показали результаты эксперимента, составляет (25). Сильнолегированный 1 слой 4 представляет часть 1-области 3, который сформирован путем введения высокой концентрации донорной примеси 1020 см-3, обладает малым сопротивлением и обеспечивает омический контакт с металлическим слоем 7. Сильнолегированный 1-слой 6 представляет часть 1-области 5 и также сформирован методом диффузии или ионной имплантации...

Номер патента: 6595

Опубликовано: 30.12.2004

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич, Предко Юрий Иванович, Урбанович Александр Анатольевич, Горожданов Александр Джонович, Сычик Андрей Васильевич

МПК: H01J 1/308

Метки: трубки, электроннолучевой, катодный, узел

Текст:

...высокой подвижностью основных носителей - электронов. Им являются теллуриды и селениды цинка и кадмия, арсенид алюминия, антимонид алюминия, фосфид индия. Толщина эмиттерной области 2 и базовой области 1 выбираются стандартными для получения максимального коэффициента передачи инжектированных электронов от эмиттера 2 к коллектору 3. Обычно толщина области эмиттера составляет 0,51 мкм, а толщина области базы(0,50,8), где- диффузионная длина...

Номер патента: 6603

Опубликовано: 30.12.2004

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Горожданов Александр Джонович, Сычик Андрей Васильевич, Шумило Виктор Степанович, Бреднев Александр Викторович, Урбанович Александр Анатольевич

МПК: H02J 7/00

Метки: определения, химических, способ, источников, тока, электроемкости

Текст:

...измерения скорости изменения напряжения и сравнения ее с градуировочным значением,решается задача - существенно повышается точность измерения электроемкости ХИТ. Погрешность измерения электроемкости снижается более чем в 4 раза с 98-95(у прототипа) до 21 . Изложенная сущность изобретения поясняется фиг. 1-3, где на фиг. 1 представлена электрическая схема реализации метода, на фиг. 2 - зависимость, на фиг. 3 - зависимость С(/). 2 6603 1...

Номер патента: 5186

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Кацуба Евгений Владимирович, Шумило Виктор Степанович, Занько Александр Фомич

МПК: F25D 29/00, F25D 27/00

Метки: холодильник, компрессионный, бытовой

Текст:

...через индикатор режима замораживания с выключателем режима замораживания,причем выключатель режима замораживания связан с лампочкой через диод, а индикатор режима замораживания выполнен в виде светодиода, установленного параллельно диоду. Изобретение поясняется чертежами фиг. 1 - общий вид холодильника фиг. 2 - электрическая схема блока управления холодильником. Бытовой компрессионный холодильник содержит холодильную камеру 1 с дверью 2...

Номер патента: 4832

Опубликовано: 30.12.2002

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Антонов Александр Алексеевич, Занько Александр Фомич

МПК: F24C 7/00, F24C 3/00

Метки: кухонная, плита

Текст:

...плите, содержащей закрепленную на несущих панелях установленную с возможностью выдвижения вперед конфорочную панель с конфорками и панелью управления, жарочный шкаф с верхним нагревательным элементом и держателем противней, отличием является то, что жарочный шкаф расположен непосредственно над задней конфоркой конфорочной панели, а около задней стенки жарочного шкафа размещен держатель противней, кронштейн которого соединен с...

Номер патента: 4820

Опубликовано: 30.12.2002

Авторы: Макрицкий Юрий Витольдович, Шумило Виктор Степанович

МПК: H05B 6/36, H05B 6/12

Метки: индукционным, плита, кухонная, нагревом

Текст:

...сети в переменный ток, к выходным клеммам которого подключены выводы индуктора, и схему управления переключающими элементами силового блока, в котором катушка индуктивности выполнена из многожильного провода в видекороткозамкнутых кольцевых контуров, установленных в одной плоскости концентрично друг другу на расстоянии от индуктора, равном 1,52,5 см, при этом многожильный провод выполнен из изолированных проводников 1,(8) 2 2 0...

Номер патента: 4694

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Антонов Александр Алексеевич, Шумило Виктор Степанович, Занько Александр Фомич

МПК: F24C 7/00, F24C 3/00

Метки: кухонная, бытовая, плита

Текст:

...элементом конфорочной панели, а передняя часть духовки закреплена на задней части духовки с возможностью углового поворота вокруг продольной оси духовки. Изобретение поясняется чертежами фиг. 1 - общий вид плиты сбоку в исходном состоянии, фиг. 2 - общий вид плиты сбоку с поднятой передней частью духовки и установленными противнями. Бытовая кухонная плита содержит каркас 1, конфорочную панель 2 с нагревательными элементами 3, 4 и...

Номер патента: 4546

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Занько Александр Фомич, Шумило Виктор Степанович, Сисин Анатолий Алексеевич, Флейтух Сергей Григорьевич

МПК: H05B 6/12, H05B 6/06

Метки: устройство, индукционного, нагрева

Текст:

...На фиг. 3 изображены 1 и 2 - ключевые элементы инвертора 6 1 и 2 - встречно включенные шунтирующие диоды- индуктивность нагрузочного резонансного контура 7, выполняющая функцию нагревательного индуктора, в непосредственной близости от которого размещается посуда 1 и 2 накопительные конденсаторы резонансного контура 7 32, 33 двухвходовые элементы И-НЕ 34, 35, 38 и 39 - элементы НЕ, выполняющие функцию задержки 36 37, 40 и 41 - двухвходовые...

Номер патента: 4545

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Урбанович Александр Анатольевич, Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01J 1/308

Метки: узел, катодный, элт

Текст:

...электроны из канала 1 в -слой 5 в горячие, т.е. изотипный гетеропереход является источником горячих электронов. Как показали результаты эксперимента, для более эффективного диффузионного перемещения горячих электронов из канала 1 черезслой 5 в активированный слой 7 с низкой работой выхода этот слой 5 неравномерно легирован, например, по параболическому закону с максимальным обеднением основных носителей со стороны канала 1. Для...

Номер патента: U 529

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сисин Анатолий Алексеевич, Флейтух Сергей Григорьевич

МПК: H05B 6/06, H05B 6/12

Метки: нагрева, индукционного, устройство

Текст:

...построено по замкнутой структуре двухтактного генерирования резонансных колебаний и реализует пороговый амплитудно-фазовый способ формирования защитного интервала в парафаз 4 529 ной широтно-импульсной последовательности, подаваемой на управляющие входы коммутирующих транзисторных элементов. Такое структурное построение индукционного нагревательного устройства позволяет повысить надежность за счет формирования защитного интервала, при котором...

Номер патента: U 311

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Севрук Владимир Антонович, Шумило Виктор Степанович, Сисин Анатолий Алексеевич

МПК: F24C 15/00, F24C 7/08

Метки: элементов, регулирования, нагревательных, энергии, устройство

Текст:

...тока, к выходу которого последовательно подключены резистивный задатчик уровня мощности, средний выход которого связан через аналого-цифровой преобразователь с входами управляющего задающего генератора, выполненного на основе микропроцессора, выход которого через транзисторное согласующее устройство подключен к управляющему входу тиристорного регулятора, силовые входы которого последовательно через коммутирующую часть и электронагреватель...

Номер патента: U 180

Опубликовано: 30.09.2000

Авторы: Сисин Анатолий Алексеевич, Казанцев Анатолий Петрович, Севрук Владимир Антонович, Шумило Виктор Степанович

МПК: H05B 1/02, F24C 7/08, H01H 19/60...

Метки: нагревательных, регулирования, элементов, энергии, устройство

Текст:

...элемента, силовые вход и выход которого последовательно через нагревательный элемент присоединены к зажимам сети переменного тока, отличающееся тем, что дополнительно содержит подключенный к выходу вторичного источника низковольтного переменного напряжения источник оптического излучения, а также первые и вторые приемные и передающие оптико-механические соединители первого и второго передающих кабелей волоконно-оптической линии связи,...

Номер патента: 3445

Опубликовано: 30.06.2000

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Занько Александр Фомич, Сисин Анатолий Алексеевич

МПК: H03K 5/19, H03K 5/26

Метки: импульсов, селектор, длительности

Текст:

...вход которого подключен к выходу второго ключа управления, а выход - ко входу детектора нуля, второй выход управляющего вентиля соединен с первым входом второго ключа управления и первым входом триггера,выход которого является выходом селектора, второй вход триггера подключен к выходу детектора нуля и ко второму входу 4 второго ключа управления, третий вход которого через второй делитель частоты на два соединен с третьим входом первого ключа...

Номер патента: U 98

Опубликовано: 30.03.2000

Авторы: Сисин Анатолий Алексеевич, Флейтух Сергей Григорьевич, Шумило Виктор Степанович, Севрук Владимир Антонович

МПК: F24C 7/08, H01H 19/60

Метки: переключатель, поворотный

Текст:

...его фронтальной стороне крепежной пластиной, выполненный с первым и вторым центральными отверстиями, через которые проходит поворотный вал с неподвижно закрепленными звездочкой фиксатора углового положения, расположенной в нише между упомянутыми отверстиями, подпружиненной перпендикулярно к оси вала через фиксаторный шарик первой прижимной пружиной, опирающейся на регулировочный винт, кодирующим элементом в форме диска или цилиндрического...

Номер патента: 3227

Опубликовано: 30.03.2000

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич, Урбанович Александр Анатольевич, Бреднев Александр Викторович

МПК: G01R 29/12

Метки: полей, электрических, датчик

Текст:

...ап 10, например из окислов титана, толщина которого определяется полной степенью изоляции измерительного электрода 3 от канала, максимально формируемым в нем зарядом для данного типа диэлектрика и механизмом его поляризации. Слой полярного диэлектрика 2 должен иметь хорошее сопряжение по температурному коэффициенту линейного расширения (ТКЛР) и формироваться на полупроводниковом основании слоем однородной структуры. Толщина слоя 2...

Номер патента: 2938

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Макрицкий Юрий Витольдович, Флейтух Сергей Григорьевич, Занько Александр Фомич

МПК: H03K 17/20, H03K 17/08, H03K 17/687...

Метки: устройство, транзистором, управления, мощным, полевым

Текст:

...и его включение, - в это время выключающий транзистор заперт импульсом, формируемым на вторичной обмотке трансформатора схемы коммутации, служащей для выключения, что соответствует логическому состоянию 1 и 0 генераторов пусковых импульсов. При смене их логических состояний выключающий транзистор открывается и происходит разряд входной емкости мощного полевого транзистора. В данной схеме управления масса и габариты управляющих...

Номер патента: 3028

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Занько Александр Фомич, Макрицкий Юрий Витольдович, Флейтух Сергей Григорьевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H05B 6/08, H05B 6/12

Метки: устройство, индукционного, варианты, нагрева

Текст:

...относительно оси силового блока, проходящей через центр 3028 1 индуктора, накопительный конденсатор выполнен в виде сборки из 2 конденсаторов, где 2, расположенных радиально-симметрично относительно оси силового блока и соединенных шинами по замкнутому контуру, симметричному оси силового блока, к шинам, соединяющим накопительные конденсаторы, подключены свободные выводы последовательно соединенных коммутаторов и конденсаторов так, что...

Номер патента: 2863

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Занько Александр Фомич, Шумило Виктор Степанович, Макрицкий Юрий Витольдович, Флейтух Сергей Григорьевич

МПК: H05B 6/40, H05B 6/44

Метки: варианты, индукционной, индуктор, кухонной, электроплиты

Текст:

...по днищу кухонной посуды, располагаемой над индуктором. Поставленная цель достигается тем, что в индукторе для кухонной индукционной электроплиты, содержащем, где 4, ферритовых сердечников П-образной формы, на ножках которых расположены индукционные катушки, выполненные из многожильного провода типа литцендрата и намотанные в обратном направлении, причем все катушки соединены последовательно, а кухонная посуда располагается над полюсами...

Номер патента: 2864

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Макрицкий Юрий Витольдович, Шумило Виктор Степанович, Флейтух Сергей Григорьевич, Занько Александр Фомич

МПК: H05B 6/02, H02M 1/16

Метки: индукционного, нагрева, устройство

Текст:

...сквозного тока, например, при включении питающего напряжения и логической схемы запуска, во время настройки или когда установлено недостаточное время задержки, либо когда перепад напряжения на переключающем элементе имеет скорость нарастания близкую к предельно допустимому значению. Целью изобретения является получение задержки включения анодного тока относительно спада напряжения на переключающем элементе. Поставленная цель...

Номер патента: 2641

Опубликовано: 30.03.1999

Авторы: Занько Александр Фомич, Шумило Виктор Степанович, Макрицкий Юрий Витольдович

МПК: H05B 6/44, H05B 6/40

Метки: индукционной, индуктор, кухонной, электроплиты

Текст:

...3 см плотность тепловой энергии примерно равна 0,63 от максимума.Известна индукционная нагревательная катушка, содержащая спираль из многожильного провода, выполненная в виде, по меньшей мере, трех секций концентрически расположенных одна в другой, причем все секции намотаны в одну сторону, соединены последовательно и имеют шаг намотки внутренних секций, расположенных между крайними внешней и центральной, превышающий шаг намотка/т крайних...