Шуленков Алексей Серафимович
Полностью оптический модулятор лазерного излучения на основе многослойной гетероструктуры (варианты)
Номер патента: 16820
Опубликовано: 28.02.2013
Авторы: Шуленков Алексей Серафимович, Кузнецов Петр Иванович, Гапоненко Сергей Васильевич, Ермоленко Максим Васильевич, Тихомиров Сергей Александрович, Якущева Галина Георгиевна, Буганов Олег Васильевич, Станкевич Вячеслав Витальевич
МПК: G02F 1/19
Метки: излучения, основе, оптический, лазерного, многослойной, гетероструктуры, полностью, варианты, модулятор
Текст:
...нелинейного компонента гетероструктуры, где 4 16820 1 2013.02.28 1 - модулируемое падающее излучение 2 - возбуждающее лазерное излучение 3 - многослойная гетероструктура 4 - подложка 5 - оптическое окно 6 - слой активного компонента гетероструктуры удвоенной толщины. Фиг. 4 демонстрирует спектр отражения многослойной гетероструктуры (а) и дифференциальный спектр отражения после лазерного возбуждения (б) как пример реализации модулятора на...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GаN
Номер патента: 13504
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Данильчик Александр Викторович, Стогний Александр Иванович, Шуленков Алексей Серафимович, Павловский Вячеслав Николаевич, Луценко Евгений Викторович, Новицкий Николай Николаевич, Яблонский Геннадий Петрович
МПК: H01L 33/00, H01L 21/02
Метки: изготовления, слою, прозрачного, способ, омического, эпитаксиальному, p-gan, контакта
Текст:
...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN
Номер патента: 8569
Опубликовано: 30.10.2006
Авторы: Хойкен Михаель, Шуленков Алексей Серафимович, Стогний Александр Иванович, Яблонский Геннадий Петрович, Шинеллер Бернд, Луценко Евгений Викторович
МПК: H01L 21/28, H01L 21/283, H01L 33/00...
Метки: изготовления, слою, прозрачного, p-gan, способ, омического, контакта, эпитаксиальному
Текст:
...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...