Патенты с меткой «приборов»

Номер патента: 18545

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Паршуто Александр Александрович, Томило Вячеслав Анатольевич, Поболь Игорь Леонидович, Паршуто Александр Эрнстович, Багаев Сергей Игоревич, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Соколов Юрий Валентинович

МПК: H05K 1/05

Метки: электронных, монтажа, плата, приборов, компонентов

Текст:

...оксида алюминия 3 толщиной 20-80 мкм. На макрослое 3 пористого оксида алюминия для улучшения химической совместимости слоев 3 и 4 размещен интерфейс-слой 6 на основе оксидов переходных металлов тугоплавких группы 6, выполненный преимущественно на основе оксидов вольфрама, или рения, или титана, на котором для улучшения адгезии расположен металлический,инициирующий токопроводящий микрослой 4 (1,0-15 мкм), на котором размещен металлический...

Номер патента: 18059

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: изготовления, полупроводниковых, силовых, способ, быстродействующих, ядерно-легированном, приборов, кремнии

Текст:

...Задачей изобретения является увеличение процента выхода годных приборов за счет лучшего соотношения частотных и статических характеристик. Способ изготовления силовых и быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии, при котором полностью сформированные приборные структуры с переходами и контактами перед посадкой в корпуса облучают при температуре 340-360 С в течение времени 5-10 мин до флюенса 21014-31014 см-2....

Номер патента: 17712

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, изоляция, полупроводниковых, межуровневая, диэлектрическая

Текст:

...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...

Номер патента: U 9692

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Волков Сергей Иванович, Яковлева Ольга Евгеньевна

МПК: G01D 11/00, B60K 35/00

Метки: показывающих, вторичных, блок, приборов

Текст:

...так как требуется изготовление отдельных деталей колонок и втулок с внутренней резьбой, и снижает надежность изделия из-за наличия большого количества резьбовых соединений. Предлагаемая полезная модель направлена на решение следующих задач снижение затрат по сборке блока вторичных показывающих приборов за счет упрощения сборки с сокращением технологических операций повышение надежности блока вторичных показывающих приборов. Для...

Номер патента: U 9570

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Логвин Виталий Борисович, Владимиров Александр Дмитриевич, Юрковец Ирина Викторовна, Плавинский Роман Владимирович, Шорец Алексей Викторович

МПК: B60K 35/00, B60K 37/00

Метки: комбинация, приборов, транспортного, средства

Текст:

...отдельных параметров, выводимых на дисплей проверки работоспособности сигнализаторов и подсветки. Техническая сущность полезной модели поясняется фигурами. На фиг. 1 показана конструкция комбинации приборов. На фиг. 2 показан внешний вид комбинации приборов спереди. На фиг. 3 показан вид комбинации приборов сзади. Заявляемая комбинация приборов состоит из корпуса 1, экрана 2, стекла 3, печатной платы 4 с установленными на ней...

Номер патента: 17618

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Новиков Виктор Александрович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: изоляции, приборов, полупроводниковых, диэлектрической, межуровневой, изготовления, способ

Текст:

...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...

Номер патента: U 9489

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Васильев Леонид Леонардович, Куликовский Вадим Казимирович, Васильев Леонард Леонидович

МПК: F21V 29/00, F21S 13/00

Метки: охлаждения, устройство, осветительных, приборов

Текст:

...ограничение теплоотвода на больших нагрузках из-за запаривания фитиля. Задачей предлагаемого технического решения является повышение эффективности устройства для охлаждения любых осветительных приборов за счет обеспечения высокой теплопередающей способности в широком диапазоне тепловых нагрузок и упрощение конструкции устройства. Задача решается следующим образом. Устройство для охлаждения осветительных приборов, содержащих светодиоды,...

Номер патента: U 8931

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Поболь Игорь Леонидович, Багаев Сергей Игоревич, Паршуто Александр Эрнстович, Томило Вячеслав Анатольевич, Паршуто Александр Александрович, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Соколов Юрий Валентинович

МПК: H05K 3/28, C09D 163/00

Метки: плат, приборов, заготовки, полупроводниковых, конструкция, металлокомпозиционной

Текст:

...фракционного состава гранул 7 нитрида алюминия более 6000 нм сопровождается тем, что большие гранулы, как показывает эксперимент, имеют низкий коэффициент заращивания, т.е. не происходит их обволакивания матричным материалом пористого макрослоя 3 оксида пористого в процессе формирования композита макрослой 3 оксида пористого - гранулы 7 нитрида алюминия. Формирование композита при этом сопровождается возникновением дефектов...

Номер патента: U 8388

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, изоляция, диэлектрическая, межуровневая, полупроводниковых

Текст:

...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...

Номер патента: U 8380

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Паршуто Александр Эрнстович, Багаев Сергей Игоревич, Поболь Игорь Леонидович, Томило Вячеслав Анатольевич, Паршуто Александр Александрович, Соколов Юрий Валентинович, Хлебцевич Всеволод Алексеевич

МПК: H05K 3/28, H05K 1/00

Метки: приборов, конструкция, полупроводниковых, платы

Текст:

...основание 1 выполнено из алюминиевых сплавов с высокой теплопроводностью, а в качестве диэлектрического материала на одной поверхности или на всей поверхности основания 1, для улучшения адгезии и диэлектрической проницаемости, размещен инициирующий нанослой 2 плотного оксида алюминия 23 толщиной 10-200 нм, на котором размещен макрослой 3 пористого оксида алюминия 23 толщиной 20-80 мкм. На макрослое 3 пористого оксида алюминия для улучшения...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: твердых, способ, создании, источников, планарных, изготовления, приборов, бора, интегральных, схем, полупроводниковых

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/28

Метки: системы, полупроводниковых, приборов, изготовлении, фоторезиста, состав, удаления, металлизации

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Номер патента: 15742

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, изготовления, приборов, полупроводниковых, способ, системы

Текст:

...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...

Номер патента: 15639

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Гурин Павел Михайлович, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/263

Метки: изготовления, приборов, кремниевых, быстродействующих, способ

Текст:

...сильно облученных кремниевых -переходах процессы рекомбинации, генерации и захвата носителей заряда идут через различные радиационные дефекты - центры (РД). Это обстоятельство делает возможным независимое влияние на такие характеристики эпитаксиальных приборов, как генерационный ток, прямое падение напряжения и время жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ). При оптимальных, для конкретных приборных структур, режимах облучения и...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: быстродействующих, обработки, полупроводниковых, изготовлении, структур, приборов, способ, приборных, радиационной

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Становский Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Шильцев Владимир Викторович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, силовых, примесей, приборов, пластины, изготовления, акцепторных, способ, диффузии, кремниевые

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Номер патента: U 7393

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Ракуш Владимир Валентинович, Михайлов Юрий Тимофеевич, Корнилович Ирина Викторовна

МПК: G01J 1/00, G01J 4/00, G01J 3/00...

Метки: характеристик, приборов, излучающих, измерения, излучения, оптических, устройство

Текст:

...На фиг. 4 представлена схема в разрезе в горизонтальной плоскости индексирующего механизма. Устройство содержит (фиг. 1) измерительный прибор 1 с приемником 2 излучения и револьверную головку 3 для смены оптических излучающих приборов, имеющую индексирующий механизм (фиг. 4). Револьверная головка 3 (фиг. 1) содержит каркас 4, верхнее кольцо 5 с выемками 6(фиг. 1, 4), нижнее кольцо 7 и шарики 8, стойку 9, пружину 10, толкатель 11,...

Номер патента: U 7054

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Михайлов Юрий Тимофеевич, Ракуш Владимир Валентинович, Музычка Ольга Васильевна, Корнилович Ирина Викторовна

МПК: G01M 11/08

Метки: оптических, испытаний, приспособление, приборов

Текст:

...плите отверстия для вывода излучения испытываемого прибора, назначение пластины из прозрачного материала для оптической связи с испытываемым оптическим прибором через упомянутое отверстие в плите позволяют визуально наблюдать выходное излучение испытываемого оптического излучающего прибора, отраженное от упомянутой пластины из прозрачного материала, во время проведения испытаний прибора на воздействие механических нагрузок и,...

Номер патента: 13824

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Азаркова Екатерина Александровна, Майонов Александр Владимирович, Поко Ольга Александровна, Буслюк Виктор Вячеславович, Купченко Геннадий Владимирович

МПК: B23K 35/24, C22C 9/02

Метки: электронных, пайки, сплав, приборов

Текст:

...переходного электрического сопротивления. Это отрицательно сказывается на электрическом контакте кристалл-держатель при повышенной ( 125 С) температуре эксплуатации электронного прибора, что может привести к возникновению такого вида отказов, как переменный контакт, особенно важный для изделий ответственного назначения. Задачей настоящего изобретения является снижение температуры плавления сплава для пайки электронных приборов. Поставленная...

Номер патента: 13466

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/52

Метки: способ, изготовления, кремниевых, металлизации, полупроводниковых, системы, приборов

Текст:

...структуры после травления алюминия. Недостатком прототипа является то, что барьерный слой формируется не только на поверхности межуровневого диэлектрика, но и непосредственно в контактных окнах. Поскольку он обладает сравнительно высоким электрическим сопротивлением по сравнению с металлом и имеет электронный тип проводимости, это приводит к увеличению переходного сопротивления контактов, особенно к -областям, что снижает качество системы...

Номер патента: U 6268

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Емельянчиков Сергей Петрович, Кротиков Сергей Петрович, Титов Виктор Иванович, Алампиев Олег Александрович

МПК: E21B 33/03

Метки: спуска, тросе, уплотнительное, приборов, скважину, или, устройство, штанге

Текст:

...задача, на решение которой направлена заявляемая полезная модель, повышение удобства эксплуатации и увеличение ресурса работы устьевого оборудования путем улучшения центровки сальникового уплотнения относительно троса или штанги. 2 62682010.06.30 Сущность полезной модели поясняется чертежами, где на фиг. 1 показан общий вид устройства уплотнительного для спуска на тросе или штанге приборов в скважину, на фиг. 2 выноска А на фиг. 1. Решение...

Номер патента: 12883

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Бобученко Дмитрий Степанович, Хорунжий Игорь Анатольевич, Доманевский Дмитрий Сергеевич

МПК: F28D 15/04, H05K 7/20, H01L 23/34...

Метки: приборов, штыревой, радиатор, полупроводниковых, охлаждения

Текст:

...перенос тепла от оснований штырьков к их торцам осуществлен с помощью встроенных в штырьки миниатюрных тепловых труб. На чертеже стрелками показано направление потока охлаждающей радиатор внешней среды, например воздушной. В радиаторе 1 внутрь каждого штырька 3 встроена миниатюрная тепловая труба 4,выполненная в виде герметически закрытого контейнера 5, из которого откачан воздух, а на внутренних стенках 6 контейнера 5 размещена...

Номер патента: U 5874

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Поконечный Здислав Иосифович, Горбачевская Ольга Романовна, Тареев Анатолий Михайлович, Маслакова Наталья Илларионовна

МПК: G01B 11/26

Метки: контроля, устройство, юстировки, оптических, приборов

Текст:

...4, первую сетку 5 с проекционной маркой и первый объектив 6 с выходным зрачком 7, и, по меньшей мере, два боковых коллиматора симметрично расположенных относительно первого коллиматора, каждый из которых включает установленные на одной оси второй осветитель 8, вторую сетку 9 с проекционной маркой и второй объектив 10 с выходным зрачком 11. На выходе боковых коллиматоров в ходе их коллимированных световых пучков соосно с боковыми...

Номер патента: 12574

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Кострикин Анатолий Михайлович, Толочко Татьяна Константиновна, Гусинский Александр Владимирович

МПК: G01R 17/00

Метки: дистанционного, свч, метрологических, диапазона, характеристик, приборов, контроля, радиоизмерительных, автоматизированных, способ

Текст:

...структура измерительной системы. В состав системы входят управляющая ЭВМ 1, находящаяся в испытательной лаборатории, модемы 2,4, с помощью которых осуществляется связь по стандартным линиям связи 3, ЭВМ с контроллером КОП 5, входящая в состав измерителя комплексных параметров СВЧ - устройств, измеритель комплексных параметров СВЧ - устройств 6, эталонный комплект мер 7, испытательная лаборатория 8, удаленная лаборатория 9. Управление...

Номер патента: U 5405

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Зализный Дмитрий Иванович, Гончаров Игорь Михайлович, Ивинский Леонид Константинович, Широков Олег Геннадьевич

МПК: G09B 23/00, G01R 13/00

Метки: виртуальных, устройство, измерительных, приборов, изучения

Текст:

...электрической сети до 15 А, напряжений в трехфазной электрической сети до 400 В, а также температуры трансформаторного масла от 0 до 90 С,температуры воздуха от 0 до 40 С и передавать их в персональный компьютер. Трехфазная нагрузка - лампы накаливания и конденсаторы, в различных комбинациях подключаемые к соответствующим фазным напряжениям трехфазной сети с помощью соответствующих однофазных коммутационных аппаратов, позволяют...

Номер патента: 11849

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: дестабилизирующим, способ, повышенной, ускоренной, полупроводниковых, чувствительностью, приборов, воздействиям, отбраковки, параметров

Текст:

...смещения. Даже при современных методах создания приборных структур, в которых защитные покрытия поверхности весьма совершенны, в них происходят процессы генерации и перемещения зарядов. Анализ источников этих зарядов применительно к кремниевым структурам показывает, что при воздействии ионизирующего облучения происходит увеличение скорости накопления поверхностных зарядов и изменение соответствующих параметров испытуемых структур. Причины...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Бересневич Людмила Брониславовна, Мойсейчук Константин Леонидович, Кузик Сергей Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, источников, получения, композиция, твердых, изготовлении, полупроводниковых, интегральных, схем, бора

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбраковки, способ, радиационной, приборов, кремния, стойкости, полупроводниковых, основе

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Номер патента: 11575

Опубликовано: 28.02.2009

Автор: Шишкин Игорь Петрович

МПК: G02B 13/14, G02B 9/00

Метки: объектив, видения, приборов, ночного

Текст:

...обеспечивает высокое качество изображения при совместной работе с ЭОПами нулевого поколения, имеющими катод сферической формы, и который имеет при этом малое количество элементов. Поставленная задача достигается тем, что в объективе для приборов ночного видения,содержащем установленные по ходу луча первый элемент в виде одиночной положительной плосковыпуклой линзы, обращенной выпуклостью к предмету, второй элемент в виде склейки из...

Номер патента: 11325

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Пуцята Владимир Михайлович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: многослойное, приборов, высоковольтных, покрытие, полупроводниковых, пассивирующее

Текст:

...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...

Номер патента: 11322

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Глоба Иван Иванович, Крутько Эльвира Тихоновна, Галиева Жаннета Николаевна, Жарская Тамара Александровна, Глоба Анастасия Ивановна

МПК: C08L 79/00

Метки: приборов, защиты, полупроводниковых, кристаллов, интегральных, полиимидная, композиция, схем

Текст:

...влияние на теплофизические характеристики покрытия, благодаря чему достигается меньшая разница между коэффициентами термического расширения материалов, из которых изготовлены функциональные элементы кристалла, и защитного покрытия, обеспечивая меньшую вероятность повреждения микроэлементов структуры по причине несогласованности этих характеристик. Экспериментально установлено, что эффект снижения усадки защитного покрытия и повышения выхода...

Номер патента: U 4930

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Поконечный Здислав Иосифович, Топленикова Татьяна Васильевна, Горбачевская Ольга Романовна, Неменёнок Александр Иванович, Тареев Анатолий Михайлович

МПК: F41G 7/00

Метки: расходимости, система, наведения, лазерного, приборов, угла, изменения, излучения, направления

Текст:

...на первой оптической оси под углом 45 к ней перед первым блоком 1 линз панкратической системы с возможностью вывода из хода лучей света первого блока 1 и второго блока 7 линз панкратической системы в направлении, параллельном его отражающей плоскости. Отражатель 13 установлен на второй оптической оси перед вторым блоком 7 линз панкратической системы и параллелен первому отражателю 12. В конкретном исполнении отражатели 12 и 13 выполнены в...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович, Кресло Сергей Михайлович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: акцепторных, пластины, кремниевые, диффузии, примесей, способ, приборов, изготовления, полупроводниковых, силовых

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: бора, приборов, способ, изготовлении, полупроводниковых, диффузии, источников, твердых, интегральных, микросхем

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Номер патента: 10502

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Тареев Анатолий Михайлович, Кунделева Наталия Ефимовна

МПК: F41G 7/00, G02B 23/02

Метки: угла, расходимости, наведения, приборов, лазерного, изменения, система, излучения

Текст:

...его вывода с первой оси в направлении, параллельном его отражающей плоскости. Введение в систему изменения угла расходимости лазерного излучения приборов наведения последовательно установленных на второй оптической оси, параллельной первой,второго блока линз панкратической системы, второго объектива и оптического компенсатора, а также установленного на второй оси перед вторым блоком линз панкратической системы второго отражателя, оптически...

Номер патента: 10429

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, схем, создании, изготовления, интегральных, планарных, приборов, способ, твердых, источников, бора

Текст:

...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02, H01L 23/52...

Метки: полупроводниковых, изготовления, приборов, кремниевых, системы, способ, металлизации

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Номер патента: 10133

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: способ, стойкости, кремния, отбраковки, радиационной, приборов, основе, полупроводниковых

Текст:

...полученном одним и тем же способом, может существенно различаться. Так, в тянутом кремнии, выращенном методом Чохральского и являющемся базовым материалом большинства диодов, транзисторов и тиристоров средней мощности,концентрация кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: времени, носителей, полупроводниковых, приборов, изготовлении, быстродействующих, способ, неосновных, жизни, регулирования, заряда

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: схем, источник, диффузии, полупроводниковых, приборов, бора, планарный, твердый, изготовления, интегральных

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...