Калантаева Татьяна Владимировна
Способ изготовления полупроводникового термоэлемента
Номер патента: 7007
Опубликовано: 30.06.2005
Авторы: Калантаева Татьяна Владимировна, Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович, Шамкалович Владимир Иванович
МПК: H01L 35/28
Метки: термоэлемента, полупроводникового, способ, изготовления
Текст:
...выполнена из широкозонного бинарного соединения баАз, то варизонный слой реализуется структурой 1 пх 6 а 1 ХА 5, где х - параметр степени концентрации компонента в растворе, путем монотонного снижения интенсивности потока компонента Ап 1 от максимального значения до нуля и монотонного повышения интенсивности потока компонента Ап 2 от нуля до максимального значения. Параметр х изменяется от 1 до нуля. Режим формирования варизонного слоя Ап 1...