Коршунов Федор Павлович

Номер патента: 17799

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/263

Метки: обработки, диодов, лавинных, способ, кремниевых

Текст:

...(РД). Если создать условия, при которых ГУ, попадающие в ООЗ перехода,остаются заполненными носителями заряда, то при подаче отрицательного смещения величина напряжения на диоде в начальной стадии пробояможет быть выше стационарного (расчетного) напряжения пробояна величину перенапряжения-.-образность ВАХ исчезает только после опустошения ГУ. При достаточно высокой концентрации ГУ их перезарядка способна оказать существенное влияние на...

Номер патента: 15639

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Гурин Павел Михайлович, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/263

Метки: кремниевых, приборов, изготовления, быстродействующих, способ

Текст:

...сильно облученных кремниевых -переходах процессы рекомбинации, генерации и захвата носителей заряда идут через различные радиационные дефекты - центры (РД). Это обстоятельство делает возможным независимое влияние на такие характеристики эпитаксиальных приборов, как генерационный ток, прямое падение напряжения и время жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ). При оптимальных, для конкретных приборных структур, режимах облучения и...

Номер патента: 13703

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/00

Метки: биполярных, радиационной, повышения, кремниевых, структур, способ, стойкости

Текст:

...стойкости биполярных кремниевых структур, при котором осуществляют их термообработку при температуре 400-450 С в течение 18002700 с и воздействуют проникающим излучением. Новым, по мнению авторов, является то, что в процессе термообработки облучают упомянутые структуры пучком электронов с интенсивностью от 11010 до 51010 см-2 с-1. Сущность изобретения. Известно, что термообработка кислородного -типа кремния в диапазоне 400-500 С существенно...

Номер патента: 13506

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Медведева Ирина Федоровна, Коршунов Федор Павлович, Мурин Леонид Иванович

МПК: H01L 21/66, G01N 27/20

Метки: водорода, концентрации, кремнии, определения, примесных, атомов, способ

Текст:

...только в спектрах ИК поглощения 4), что делает данный центр непригодным для контроля содержания водорода в малых концентрациях. Комплекс является электрически активным центром с глубокими уровнями, однако вследствие возможного захвата второго атома водорода и трансформации данного центра в электрически неактивный комплекс 2 его концентрации могут сильно отличаться от концентрации водорода в образцах кремния. Для контроля содержания...

Номер патента: 13236

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: структур, полупроводниковых, кремниевых, способ, диодных, разбраковки

Текст:

...прикладывают к тестовой структуре контакты и пропускают через нее импульсы прямого, а затем обратного тока, измеряют прямое падение напряжения и определяют время жизни неосновных носителей заряда в 2 13236 1 2010.06.30 базовой области, по которому осуществляют разбраковку структур, причем измеряют прямое падение напряжения посредством дополнительных контактов, прикладываемых к тестовой структуре. Сущность изобретения заключается в том,...

Номер патента: 12994

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Гурин Павел Михайлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: изготовления, способ, основе, тиристоров, кремния, быстродействующих

Текст:

...пробега электронов в материале экрана, и с расположением отверстий, соответствующим расположению отверстий шаблона для нанесения на кремниевую пластину контактов к управляющему электроду, подвергают воздействию тормозного гаммаизлучения весь объем структуры. Сущность способа состоит в следующем. В случае формирования в четырехслойной приборной структуре зоны повышенной рекомбинации (ЗПР) цилиндрической формы 5,когда ЗПР совпадает с...

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: способ, радиационной, отбраковки, полупроводниковых, кремния, приборов, стойкости, основе

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Номер патента: 11372

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: мощных, тиристоров, быстродействующих, способ, изготовления

Текст:

...части -базы. Наличие профиля радиационных дефектов в широкой базе с минимумом концентрации вблизи эмиттерного р-перехода и максимумом у коллекторного рперехода приводит к следующему 1. Область повышенной концентрации рекомбинационных центров оттесняется к коллекторному переходу, т.е. вблизи него создается область повышенной рекомбинации, что способствует увеличению быстродействия при меньшем росте остаточного напряжения. 2. Вблизи анодного...

Номер патента: 11307

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Кульгачев Владимир Ильич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, диодов, высоковольтных, способ, быстродействующих

Текст:

...в базе приборов эффективных центров рекомбинации, снижающих время жизни неосновных носителей заряда и способствующих увеличению быстродействия приборов. Однако снижение времени жизни приводит к росту прямого падения напряжения диодов (Ипр) и его выходу за рамки, определяемыми техническими условиями ТУ, вследствие уменьшения глубины модуляции проводимости базовой области неосновными носителями заряда. Изменение Ипр при этом определяется...

Номер патента: 11192

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02, C30B 33/00, C30B 29/10...

Метки: способ, создания, термочувствительного, gaas-элемента

Текст:

...основных носителей заряда и их подвижность будут снижаться, что приведет к снижению электропроводности исходного материала. Начальная скорость удаления носителей для электронов с энергиями 2,5 и 10 МэВ составляет соответственно 5 и 9 см-1. Согласно модели радиационных нарушений полупроводников,степень заполнения ловушек, т. е. изменение концентрации носителей, зависит от положения уровня Ферми по отношению к уровню дефекта, которое...

Номер патента: 11098

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диодов, радиационной, способ, кремниевых, отбраковки, стойкости, высоковольтных, полупроводниковых

Текст:

...стойкость кремниевых диодов обычно определяется устойчивыми изменениями на прямой ветви вольтамперной характеристики, обусловленными радиационными эффектами смещений в кристалле кремния. Однако в ряде случаев радиационная стойкость кремниевых диодов может определяться изменениями на обратной 2 11098 1 2008.08.30 ветви вольтамперной характеристики, обусловленными поверхностными радиационными эффектами, наступающими даже при малых дозах...

Номер патента: 10862

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Гуринович Валентина Артемовна, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, структур, термообработки, кремниевых

Текст:

...получить оптимальное соотношение между процессами накопления термодоноров, дефектов акцепторного типа, обусловленных термоударом и снижающих время жизни носителей заряда, и возникновением механических напряжений в пластинах, увеличивающих бой на стадии фотолитографии и скрайбирования пластин. Если скорость охлаждения установить ниже заданной в формуле изобретения, то за счет увеличения вероятности образования термодоноров (при...

Номер патента: 10595

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: базе, регулирования, кремния, быстродействующих, способ, мощных, ядернолегированного, заряда, жизни, полупроводниковых, неосновных, приборах, времени, изготавливаемых, высоковольтных, носителей

Текст:

...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...

Номер патента: 10225

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/00

Метки: способ, низковольтных, обработки, стабилитронов

Текст:

...появление в запрещенной зоне полупроводника энергетических уровней. В низковольтных стабилитронах они проявляют себя, главным образом, как компенсирующие центры, снижающие концентрацию основных носителей заряда в полупроводнике, и как дополнительные энергетические состояния в запрещенной зоне,способствующие более эффективному туннельному просачиванию носителей 5. Первый из этих эффектов (снижение проводимости) ведет к росту...

Номер патента: 10231

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: стабилитронов, термокомпенсированных, изготовления, способ

Текст:

...при 77-213 , используются пониженные температуры облучения. Сущность изобретения состоит в том, что готовые приборы подвергают электронному облучению определенными дозами, поддерживая в зоне облучения заданную температуру. Такая радиационная обработка приводит к введению в требуемой концентрации в активные физические области полупроводниковой структуры стабилитрона радиационных дефектов. Возникающие дефекты создают новые энергетические уровни...

Номер патента: 10133

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: способ, отбраковки, стойкости, радиационной, полупроводниковых, приборов, основе, кремния

Текст:

...полученном одним и тем же способом, может существенно различаться. Так, в тянутом кремнии, выращенном методом Чохральского и являющемся базовым материалом большинства диодов, транзисторов и тиристоров средней мощности,концентрация кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовлении, быстродействующих, регулирования, носителей, неосновных, жизни, полупроводниковых, приборов, способ, времени, заряда

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...

Номер патента: 8754

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/263, H01L 21/26, H01L 21/322...

Метки: кремниевых, способ, полупроводниковых, обработки, радиационной, приборов

Текст:

...носителей заряда, можно достичь, если рекомбинационные центры распределены не равномерно по базовой области, а в виде профиля, спадающего вглубь базы. Это позволяет существенно (уменьшить) снизить энергопотери на приборе в проводящем состоянии.Сущность изобретения состоит в том, что готовые кремниевые приборы, находящиеся под обратным смещением, подвергают облучению пучком электронов при пониженной температуре 90-120 К. Такая...

Номер патента: 2282

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Шипило Виктор Брониславович, Попельнюк Галина Петровна, Шишонок Елена Михайловна

МПК: C30B 33/04, C01B 31/06, C30B 29/04...

Метки: алмаза, упрочнения, способ

Текст:

...атомы и вакансии. Молекулы углекислого газа, окружающие алмазный порошок во время облучения, диссоциируют на ионы углерода и кислорода. Последующая температурная обработка при Т 450-750 С интенсифицирует в алмазе диффузионные процессы, приводит к миграции по решетке междоузлий и вакансий. Прочность алмазных порошков, обработанных по данному способу, возрастает по двум основным причинам. Во-первых, за счет снижения в материале...