Пеньков Анатолий Петрович
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 8449
Опубликовано: 30.08.2006
Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Пеньков Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Карпов Иван Николаевич
МПК: H01L 21/328, H01L 21/329, H01L 29/47...
Метки: способ, изготовления, шоттки, диода
Текст:
...адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминий-кремний, во-вторых,4 8449 1 2006.08.30 структура - стойка к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения 3. Толщина слоя титана 0,07-0,15 мкм выбирается как из приведенных выше соображений, так и из условия минимизации механических напряжений в многослойной структуре /////. Сущность изобретения поясняется фиг....
Способ измерения глубины нарушенного слоя на поверхности кремниевой полупроводниковой пластины
Номер патента: 5907
Опубликовано: 30.03.2004
Авторы: Ухов Виктор Анатольевич, Пеньков Анатолий Петрович, Ануфриев Леонид Петрович, Чигирь Григорий Григорьевич
МПК: H01L 21/66
Метки: слоя, измерения, полупроводниковой, глубины, поверхности, способ, нарушенного, кремниевой, пластины
Текст:
...слои,что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению нарушенного слоя. При использовании углов падения пучка ионов в диапазоне 10-45 увеличения нарушенного слоя и формирования микрорельефа на поверхности кремниевой пластины не наблюдается при выборе пучка ионов с атомным номером менее 7 (легкие ионы) наблюдается внедрение падающих ионов в поверхностные слои, что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению...