H01L 23/48 — приспособления для подвода или отвода электрического тока в процессе работы приборов на твердом теле, например провода или вводы

Номер патента: 14851

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Шильцев Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48, H01L 21/28...

Метки: схемы, интегральной, металлизация

Текст:

...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....

Номер патента: 14850

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Лабан Эдуард Казимирович, Кузик Сергей Владимирович, Довнар Николай Александрович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/28, H01L 23/48...

Метки: соединений, способ, изготовления, микросхемы, межэлементных

Текст:

...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...

Номер патента: 13808

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Колос Светлана Валентиновна, Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: C22C 19/05, H01L 23/48

Метки: омического, кремнию, тонкопленочного, контакта, материал

Текст:

...ванадий 0,5-1,2 алюминий 0,5-1,5 никель остальное. Сущность заявляемого технического решения заключается в обеспечении химического взаимодействия между формируемой пленкой и полупроводниковой подложкой. Полупроводниковая пластина при хранении на воздухе тут же окисляется с образованием оксида кремния толщиной около 2 нм. Эта тонкая пленка химически достаточно инертна и препятствует взаимодействию никеля и кремния для образования...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 23/52, H01L 23/48, H01L 21/02...

Метки: способ, изготовления, кремниевых, приборов, металлизации, системы, полупроводниковых

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Номер патента: 10417

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: металлизация, полупроводникового, прибора

Текст:

...кристалла и кристаллодержателя. При суммарной толщине слоев многослойной структуры серебро-олово более 15 мкм не происходит дальнейшего улучшения качества присоединения кремниевого кристалла к подложкодержателю полупроводникового прибора, поскольку излишки расплавленного припоя выдавливаются из-под кристалла, что экономически нецелесообразно. Для обеспечения качества сборки ИСМЭ необходимо, чтобы температура плавления припоя...

Номер патента: 9889

Опубликовано: 30.10.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02, H01L 21/00...

Метки: приборов, пленочная, система, кремниевых, полупроводниковых, токопроводящая

Текст:

...Стандартно используемые толщины пленок сплавов алюминия, как следует из описания прототипа, составляют от 0,5 до 2,0 мкм. При этом размер зерна на ее поверхности может на порядок превышать размер зерна на границе с барьерным слоем. Наличие мелкокристаллической фазы в полученной токоведущей системе в области барьерного слоя отрицательно сказывается на устойчивости к электромиграции, поскольку основным его механизмом является перенос вещества...

Номер патента: 9585

Опубликовано: 30.08.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02

Метки: кремниевых, системы, способ, приборов, полупроводниковых, изготовления, металлизации

Текст:

...пленки, в том числе и в составе рассматриваемой системы, зависит от глубины. На границе с барьерным слоем поликристаллического или аморфного кремния металлическая пленка является мелкокристаллической. Это обусловлено как особенностями конденсации пленки на подложке при ее вакуумном напылении,так и последующим их взаимодействием. Более высокая концентрация кремния в металлической пленке со стороны подложки приводит к меньшему размеру...

Номер патента: 9677

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: стороны, металлизации, формирования, кремниевой, обратной, способ, пластины

Текст:

...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...

Номер патента: 8858

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Кавунов Андрей Петрович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/60, H01L 23/482...

Метки: полупроводникового, прибора, металлизация

Текст:

...полупроводникового прибора.Адгезионный слой титана толщиной (0,07-0,15) мкм служит для улучшения адгезии слоя никеля или никеля с ванадием к буферному слою алюминия или его сплава, вовторь 1 х, структура А 1/Т 1 устойчива к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения А 1 Т 13. Интерметаллическое соединение А 1 Т 13 образуется на границе раздела алюминий - титан во время присоединения кремниевого...

Номер патента: 8887

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Портнов Лев Яковлевич, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/482, H01L 23/48, H01L 21/60...

Метки: прибора, полупроводникового, металлизация

Текст:

...(О,1-1,О) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационного хранения пластин, а также первичное смачивание поверхности кристаллодержателя во время присоединения кремниевого кристалла. Верхний слой олова толщиной менее 0,1 мкм не обеспечивает достаточной защиты от окисления нижележащего слоя свинца, что приводит к ухудшению смачиваемости кристаллодержателя при посадке и снижению качества монтажа...

Номер патента: 3537

Опубликовано: 30.09.2000

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Старовойтов Иван Васильевич, Урбан Михаил Владимирович, Дереченник Станислав Станиславович, Корчаго Наталия Васильевна, Баранов В. В.

МПК: H01L 23/48

Метки: полупроводниковый, прибор

Текст:

...а такжепоявления значительных обратных токов иснижения пробивного напряжения обратноемещенного диода в случаях касания проволочным проводом защитно-пассивирующего покрытия на планерной стороне. кристалла. Вероятность-такого касания существует по следующим причинамугловое смещение (перекос) вывода 10 при сборке из-за размягчения стекла баллона 13 в процессе образования метаплостеклянного спая. вероятного расположения кристалла со...

Номер патента: 2146

Опубликовано: 30.06.1998

Авторы: Ковалевский Александр Адамович, Лях Николай Иванович, Калиберда Эмма Федоровна

МПК: H01L 23/48

Метки: полупроводниковых, драгоценными, обработки, покрытием, микроэлектронных, железо-никелевого, металлами, приборов, способ, выводной, сплава, рамки

Текст:

...полученной смешиванием азотной и уксусной кислот в соотношении 37, введением 8 - 10 мл хлористо-водородной кислоты на 1 л смеси и растворения никеля металлического до его концентрации 0,05 - 5 г/л в совокупности указанных признаков, позволяют исключить наличие железа на поверхности выводной рамки под золочение или серебрение, тем самым исключив его диффузию в процессе сборочных операций, создать сплошной блестящий слой никеля химическим...

Номер патента: 1957

Опубликовано: 30.12.1997

Авторы: Яворович Алексей Алексеевич, Дударчик Анатолий Иванович, Чижик Александр Георгиевич, Лях Николай Иванович, Ковалевский Александр Адамович, Сычевская Регина Фоминична

МПК: H01L 23/48

Метки: обработки, сплавов, железоникелевых, способ, рамок, золочением, выводных

Текст:

...пятен, протравов и раковин помещали в ванну с раствором для консервации, затем использовали и для золочения. Определив ВРЗМН золочения рамок по контрольному процессу длн обеспеченя толщины (1,03,0) мкм помещали их по 12 штук в установку для локального ЗОЛОЧЕНИВ выводных рамок и проводили локальноепосле золочения выводные рамки выгружались и проводилась оценка их качества и толщины. Оцена толщины проводилась весовым методом.Внешний вид...