Патенты с меткой «диод»
Диод Шоттки
Номер патента: 18438
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Чиж Александр Леонидович, Блынский Виктор Иванович, Малышев Сергей Александрович
МПК: H01L 29/872
Текст:
...с одинаковым шагом, образующие с подложкой омический контакт, причем упомянутые локальные области выполнены с шириной в области эпитаксиального слоя, большей 2 мкм, и высотой, большей 0,1 толщины эпитаксиального слоя, но меньшей глубины залегания перехода охранного кольца. Барьерный электрод может быть сформирован в выемке глубиной от 0,1 до 0,3 мкм,выполненной в эпитаксиальном слое, что позволит улучшить чистоту границы раздела...
Диод Шоттки
Номер патента: 18137
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Голубев Николай Федорович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 29/872
Текст:
...РСЭ проходит через металлизацию анода и рассеивается через охранное кольцо и локальные области -типа проводимости. Наличие локальных областей -типа проводимости обуславливает дополнительные пути рассеивания импульса РСЭ и позволяет повысить устойчивость диода Шоттки к воздействию РСЭ. Увеличение выхода годных достигается благодаря выбору оптимальной концентрации областей -типа проводимости за счет снижения сопротивления и выравнивания...
Детекторный диод с балочными выводами
Номер патента: U 9936
Опубликовано: 28.02.2014
Авторы: Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович, Кулешов Владимир Константинович
МПК: H01L 29/86
Метки: диод, балочными, выводами, детекторный
Текст:
...с окном в центре над всей областью диода, а крайние части эластичного диэлектрика выполнены в виде периодических решеток, вокруг отверстий которых расположены прямоугольные разомкнутые микрорезонаторы, прямоугольные разомкнутые микрорезонаторы соединены между собой металлическими проводниками с образованием дополнительных вариантов резонансных комбинаций микрорезонаторов, а геометрические размеры сечений металлических проводников и...
Детекторный диод с балочными выводами
Номер патента: U 9332
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Есман Александр Константинович, Кулешов Владимир Константинович, Залесский Валерий Борисович, Зыков Григорий Люцианович
МПК: H01L 29/86
Метки: выводами, детекторный, диод, балочными
Текст:
...счет уменьшения потерь на отражение. Поставленная техническая задача решается тем, что детекторный диод с балочными выводами, содержащий последовательно расположенные друг над другом подложку, -слой, -слой и слой диэлектрика, катодный контакт к-слою, анодный контакт к слою, балочные выводы к контактам и слой эластичного диэлектрика, расположенный на катодном и анодном балочных выводах, имеющий в центре над всей областью диода окно,а крайние...
Высоковольтный быстродействующий диод
Номер патента: 16468
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Пуцята Владимир Михайлович, Голубев Николай Федорович, Сарычев Олег Эрнстович
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Метки: быстродействующий, высоковольтный, диод
Текст:
...функцию резистивной полевой обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии наблюдаются существенные внутренние механические напряжения, которые могут привести...
Диод Шоттки
Номер патента: 16184
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Чиж Александр Леонидович, Василевский Юрий Георгиевич, Малышев Сергей Александрович, Блынский Виктор Иванович, Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 29/872
Текст:
...электрических импульсов за счет того, что выделение тепла в точках локального пробоя (приводящее к необратимым изменениям в полупроводнике и выходу из строя диода Шоттки или ухудшению его параметров) происходит одновременно во многих точках ОПЗ, распределенных по его объему, что уменьшает их локальный перегрев и обуславливает лучшие условия теплоотвода. Сущность изобретения поясняется на фигуре, где 1 - полупроводниковая подложка 2 -...
Детекторный диод с балочными выводами
Номер патента: U 8037
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Есман Александр Константинович, Залесский Валерий Борисович, Кравченко Владимир Михайлович, Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович
МПК: H01L 29/86
Метки: диод, детекторный, балочными, выводами
Текст:
...контакт к -слою, анодный контакт к -слою,балочные выводы к контактам и слой эластичного диэлектрика, расположенный над катодным и анодным балочными выводами, имеющий в центре над всей областью диода окно,перпендикулярно к балочным выводам в противоположных направлениях сформированы нерегулярные полосковые линии, на которых расположены крайние части слоя эластичного диэлектрика, выполненные в виде периодических решеток с изменяющимся...
Диод Шоттки
Номер патента: 15400
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Голубев Николай Федорович, Высоцкий Виктор Борисович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Текст:
...поликристаллического кремния (ППК) в составе защитного диэлектрического покрытия выполняет функцию резистивной обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии...
Диод Шоттки
Номер патента: 15214
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Текст:
...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...
Диод Шоттки
Номер патента: 14848
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Голубев Николай Федорович, Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 29/47, H01L 29/872
Текст:
...кольца будет сравнительно большим, что не позволит заметно улучшить устойчивость диода Шоттки к воздействию статического электричества. Превышение произведения ширины охранного кольца на глубину его залегания более 80 мкм 2 не приводит к дальнейшим улучшениям, что экономически нецелесообразно. При отношении глубины охранного кольца к толщине эпитаксиального слоя в диапазоне от 0,16 до 0,32 обеспечивается равномерное протекание ударного...
Диод Шоттки
Номер патента: 10252
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Карпов Иван Николаевич, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 29/00, H01L 29/66
Текст:
...счет уменьшения механических напряжений в первом барьерном слое, величина которых может превышать 1 ГПа. Никель также блокирует диффузию кислорода в силицид платины и обеспечивает формирование платиносодержащего первого барьерного слоя диода Шоттки с однородными свойствами, что, в свою очередь, приводит к снижению обратных токов, улучшению качества диодов Шоттки и повышению выхода годных. Кроме того, никель снижает высоту барьера барьерного...
Диод Шоттки
Номер патента: 8380
Опубликовано: 30.08.2006
Авторы: Тарасиков Михаил Васильевич, Баранов Валентин Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Текст:
...раскислять естественный 2 с образованием проводящих оксидов рения, стабилизирующих границу раздела. Кроме того, сплав - обладает по сравнению сболее высокой прочностью при сохранении относительно высокой пластичности 5. 3 8380 1 2006.08.30 Слой титана в многослойном электроде толщиной 0,07-0,15 мкм является адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминийкремний, во-вторых структура / устойчива к...
Диод Шоттки
Номер патента: 7113
Опубликовано: 30.06.2005
Авторы: Тарасиков Михаил Васильевич, Баранов Валентин Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Текст:
...процессе сборки диффундируют преимущественно в виде ионов и поэтому они оказываются связанными зарядовыми ловушками, расположенными на границе раздела диэлектрических слоев 51 О 2/Та 2 О 5. По этой причине их присутствие в обедненном слое контакта Шоттки практически исключается и дестабилизирующего действия примесей во время работы прибора не происходит.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором представлен поперечный разрез диода...