H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 10818

Опубликовано: 30.06.2008

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковой, ионного, дозы, определения, способ, легирования, структуры

Текст:

...см-3 и 1,041019 см-3 3, 10, т.е. все функции 11, 12, 13 описывают реакцию невырожденногона ионное облучение. Резистивный 1 и переходный 4 слои могут быть получены любым традиционным способом - эпитаксия осаждение поликристаллического полупроводника с одновременным или последующим его легированием до уровня не ниже (2-3)10 см-3 ионная имплантация. В последнем случае структура -(-) не имеет резкой границы, которая тогда условно...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: источников, приборов, изготовлении, интегральных, диффузии, полупроводниковых, способ, твердых, микросхем, бора

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Номер патента: 10429

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: создании, полупроводниковых, изготовления, способ, схем, планарных, бора, интегральных, твердых, источников, приборов

Текст:

...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...

Номер патента: 10595

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, носителей, приборах, ядернолегированного, базе, неосновных, кремния, изготавливаемых, заряда, способ, жизни, регулирования, высоковольтных, быстродействующих, времени, мощных

Текст:

...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...

Номер патента: 10443

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Голубев Николай Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: изготовления, шоттки, диода, способ

Текст:

...платины. При меньших значениях температуры термообработки и времени ее проведения не происходит полного перехода платины в силицид, что приводит к росту обратных токов, ухудшению качества и снижению выхода годных. При температуре термообработки более 575 С и времени термообработки более 60 мин наблюдаются рост обратных токов и снижение выхода годных диодов Шоттки, связанные с диффузией кислорода в слой силицида, диффузией никеля к границе...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Плебанович Владимир Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48, H01L 23/52...

Метки: изготовления, приборов, кремниевых, полупроводниковых, системы, металлизации, способ

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Номер патента: 10417

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02

Метки: полупроводникового, металлизация, прибора

Текст:

...кристалла и кристаллодержателя. При суммарной толщине слоев многослойной структуры серебро-олово более 15 мкм не происходит дальнейшего улучшения качества присоединения кремниевого кристалла к подложкодержателю полупроводникового прибора, поскольку излишки расплавленного припоя выдавливаются из-под кристалла, что экономически нецелесообразно. Для обеспечения качества сборки ИСМЭ необходимо, чтобы температура плавления припоя...

Номер патента: 10510

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Жигалко Игорь Борисович, Алиев Алигаджи Магомедович, Карпов Иван Николаевич, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: дмоп, изготовления, транзистора, способ, мощного, высоковольтного

Текст:

...ДМОП-транзистора по способу-прототипу, а фиг. 10-18 - по предлагаемому способу. На фиг. 1 изображено поперечное сечение после формированияэпитаксиальной структуры 1, окисного слоя 2, создания фотолитографией рисунка охранных областей-типа проводимости 3. На фиг. 2 - структура после ионного легирования бором, удаления фоторезистивной маски и разгонки внедренной примеси, где 4 - -охранная область. На фиг. 3 - структура после...

Номер патента: 10225

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: низковольтных, стабилитронов, способ, обработки

Текст:

...появление в запрещенной зоне полупроводника энергетических уровней. В низковольтных стабилитронах они проявляют себя, главным образом, как компенсирующие центры, снижающие концентрацию основных носителей заряда в полупроводнике, и как дополнительные энергетические состояния в запрещенной зоне,способствующие более эффективному туннельному просачиванию носителей 5. Первый из этих эффектов (снижение проводимости) ведет к росту...

Номер патента: 10252

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Карпов Иван Николаевич, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/66, H01L 29/00

Метки: диод, шоттки

Текст:

...счет уменьшения механических напряжений в первом барьерном слое, величина которых может превышать 1 ГПа. Никель также блокирует диффузию кислорода в силицид платины и обеспечивает формирование платиносодержащего первого барьерного слоя диода Шоттки с однородными свойствами, что, в свою очередь, приводит к снижению обратных токов, улучшению качества диодов Шоттки и повышению выхода годных. Кроме того, никель снижает высоту барьера барьерного...

Номер патента: 10226

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Василевский Юрий Георгиевич, Чиж Александр Леонидович

МПК: H01L 31/102, H01L 31/10

Метки: фотодиод, основе, перехода, варианты, вертикально-освещаемый

Текст:

...и второго металлического электрода, образующего омический контакт, в котором сформировано отверстие для ввода оптического излучения, в котором сформирован дополнительный металлический электрод относительно центра отверстия на расстоянии,обеспечивающем наилучшую равномерность электрического потенциала по фоточувствительной поверхности фотодиода при подаче оптического излучения, который образует омический контакт и электрически соединен со...

Номер патента: 10215

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Пономарь Владимир Николаевич

МПК: G01L 1/25, H01L 21/66

Метки: напряжений, механических, пленка sio2–подложка si, способ, кремниевой, структуре, контроля

Текст:

...плотность интерференционных линий вне зависимости от ориентации сторон сосредоточена в углах окна. В случае круглого окна в каждой его точке создаются равные условия формирования интерференционной картины, зависящие только от действительных значений напряжений в данном азимутальном направлении. Выбор радиального направления для определения относительного удлинения отделенной от подложки пленки обусловлен тем, что только это удлинение...

Номер патента: 10231

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/00

Метки: термокомпенсированных, стабилитронов, способ, изготовления

Текст:

...при 77-213 , используются пониженные температуры облучения. Сущность изобретения состоит в том, что готовые приборы подвергают электронному облучению определенными дозами, поддерживая в зоне облучения заданную температуру. Такая радиационная обработка приводит к введению в требуемой концентрации в активные физические области полупроводниковой структуры стабилитрона радиационных дефектов. Возникающие дефекты создают новые энергетические уровни...

Номер патента: 10214

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Плебанович Владимир Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66, G01B 11/30...

Метки: качества, поверхности, способ, контроля, изделия

Текст:

...областью в виде квадратного фрагмента размером . Фактический диаметр изображения всей поверхности пластины составляет 200 мм (1000 мм, т.е./2), фактический размер изображения фрагмента, т.е.40 мм (примечание в данном случае при печати все размеры несколько уменьшены). На фиг. 3 приведен упомянутый выделенный фрагмент изображения поверхности пластины с разделением его на четыре равных элемента размером , с усреднением яркости изображения...

Номер патента: 10213

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: G01B 11/30, H01L 21/66, G01N 21/88...

Метки: контроля, поверхности, способ, изделия, качества

Текст:

...таких поверхностей лучшую планаризацию. Материалы разных слоев покрытия также могут быть разными. Шероховатость поверхностей, используемых в изделиях микроэлектроники, оптики,точного машиностроения и др. областей науки и техники, где наличие дефектов поверхности является одним из показателей ее качества, соответствует преимущественно 6-14 классам. Поверхности 13-го и 14-го класса шероховатости являются зеркальными. Для контроля их качества...

Номер патента: 10299

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Мурин Леонид Иванович, Комаров Борис Анатольевич

МПК: G01L 27/00, H01L 21/66

Метки: методом, уровней, концентрации, железа, спектроскопии, емкостной, глубоких, способ, определения, кремниевых, p+-n-структурах

Текст:

...неразрушающего контроля к промышленным диффузионным переходам, в особенности к кремнию -типа. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения концентрации железа в кремниевых рструктурах методом емкостной спектроскопии глубоких уровней кремниевые рструктуры облучают при комнатной температуре высокоэнергетическими частицами с энергиями частиц больше граничной энергии для образования пар Френкеля в кремнии и такой дозой,...

Номер патента: 10086

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Мороз Иван Иванович, Олехнович Николай Михайлович, Пушкарев Анатолий Васильевич, Радюш Юрий Владимирович

МПК: H01G 4/12, H01B 3/12, C04B 35/462...

Метки: материал, керамический, сегнетоэлектрический

Текст:

...проницаемости. Поставленная задача решается тем, что сегнетоэлектрический керамический материал на основе титаната бария (ВаТ 3) дополнительно содержит ниобат лития (3). Состав материала определяется формулой (3)1(3). Оптимальная величина молярной доли 3 в конечном продукте лежит в пределах 0,01 х 0,20. В качестве исходной шихты используют смесь порошков ВаТ 3 и 3 при молярной доле 3, лежащей в указанных пределах. Способ...

Номер патента: 10133

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: радиационной, стойкости, полупроводниковых, отбраковки, приборов, кремния, основе, способ

Текст:

...полученном одним и тем же способом, может существенно различаться. Так, в тянутом кремнии, выращенном методом Чохральского и являющемся базовым материалом большинства диодов, транзисторов и тиристоров средней мощности,концентрация кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: носителей, неосновных, заряда, регулирования, быстродействующих, приборов, времени, способ, полупроводниковых, жизни, изготовлении

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: интегральных, приборов, бора, диффузии, изготовления, твердый, полупроводниковых, схем, планарный, источник

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...

Номер патента: 9889

Опубликовано: 30.10.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02, H01L 21/00...

Метки: система, приборов, полупроводниковых, токопроводящая, пленочная, кремниевых

Текст:

...Стандартно используемые толщины пленок сплавов алюминия, как следует из описания прототипа, составляют от 0,5 до 2,0 мкм. При этом размер зерна на ее поверхности может на порядок превышать размер зерна на границе с барьерным слоем. Наличие мелкокристаллической фазы в полученной токоведущей системе в области барьерного слоя отрицательно сказывается на устойчивости к электромиграции, поскольку основным его механизмом является перенос вещества...

Номер патента: 9651

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Чиж Александр Леонидович, Малышев Сергей Александрович

МПК: H01L 31/00, H01L 27/14

Метки: ёмкостью, p-i-n-фотодиод, излучением, оптическим, управляемой

Текст:

...проводимостью. Совокупность указанных признаков позволяет увеличить сопротивление - перехода и создать условие накопления фотоносителями избыточного электрического заряда в поглощающем полупроводнике с собственной проводимостью, что приводит к увеличению добротности фотодиода и уменьшению необходимой для управления оптической мощности. Данный фотодиод может также использоваться при оптическом управлении СВЧ цепями в качестве...

Номер патента: 9717

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Ефремов Георгий Игнатьевич, Мухуров Николай Иванович

МПК: H01L 21/02, H01H 59/00

Метки: микрореле, планарное, электростатическое

Текст:

...1 - диэлектрическая подложка,2 - диэлектрический якорь,3 - паз,4 - диэлектрическая площадка,5 - неподвижный выступ,6 - параллельная сторона якоря,7 - поперечная сторона якоря,8 - подвижный выступ,9 - выступ,10 - лепесток,11 - неподвижный управляющий тонкопленочный электрод,12 - подвижный управляющий тонкопленочный электрод,13 - тонкопленочная контактная дорожка,14 - тонкопленочная контактная площадка,15 - подвижный тонкопленочный контакт...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: металло-кремнийорганических, интегральных, удаления, изготовлении, кремниевых, микросхем, полимерных, состав, остатков

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Номер патента: 9545

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: контроля, поверхности, изделий, качества, способ

Текст:

...оптического диапазона от точечного источника и анализ отраженного на экран светотеневого изображения 4.При Контроле поверхности согласно способу-прототипу свет от точечного источника направляют на контролируемую поверхность, а отраженный световой поток - на экран. Наличие дефектов поверхности приводит К локальному изменению угла отражения падающего света, что проявляется в изменении интенсивности освещения соответствующих этим дефектам...

Номер патента: 9585

Опубликовано: 30.08.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: приборов, кремниевых, системы, способ, металлизации, изготовления, полупроводниковых

Текст:

...пленки, в том числе и в составе рассматриваемой системы, зависит от глубины. На границе с барьерным слоем поликристаллического или аморфного кремния металлическая пленка является мелкокристаллической. Это обусловлено как особенностями конденсации пленки на подложке при ее вакуумном напылении,так и последующим их взаимодействием. Более высокая концентрация кремния в металлической пленке со стороны подложки приводит к меньшему размеру...

Номер патента: 9677

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02

Метки: обратной, стороны, пластины, металлизации, формирования, способ, кремниевой

Текст:

...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...

Номер патента: 9672

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Скубилин Михаил Демьянович, Письменов Александр Владимирович, Бублей Сергей Евгеньевич

МПК: G01J 5/58, H01L 21/66

Метки: пирометр

Текст:

...на частоте модуляции, выделение переменной состав ВУ 9672 С 1 200741830ляющей, регистрацию излучения под углом от нормали К поверхности излучения, равным главному углу падения луча, и выделение в детектируемом сигнале разности ортогонально поляризованных компонент излучения, по которой определяется температура поверхности объекта.Недостатки известного пирометра - необходимость модуляции излучения и выделения переменной составляющей...

Номер патента: U 3736

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Ковальчук Геннадий Филиппович, Белолипецкий Сергей Александрович, Бондарчук Виталий Сидорович, Школык Святослав Борисович, Нейман Александр Федорович

МПК: B28D 1/00, H01L 21/00

Метки: пластин, разделения, установка

Текст:

...4, а каретка координаты 4 установлена на основании 1 в аэростатических подшипниках. Такая конструкция позволяет обеспечить совмещение движения планшайбы 2 по координатамив одной плоскости, а также дает возможность закрепления корпуса электрошпинделя 5 таким образом, чтобы исключить консольность и максимально снизить вибрацию. В верхней части установки расположены устройства, обеспечивающие выполнение технологической операции резки и...

Номер патента: 9415

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Турыгин Анатолий Викторович, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: алюминия, основе, пленок, поверхности, состав, химической, очистки

Текст:

...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...

Номер патента: 9449

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/872, H01L 21/329

Метки: диода, изготовления, способ, шоттки

Текст:

...дислокаций кристаллической структуры с поверхностной плотностью порядка 108 см-2. Такая поверхность является эффективным геттерирующим слоем, оттягивающим на себя металлические примеси из объема кремниевой подложки во время высокотемпературных обработок. Последующее полирование планарной стороны подложки приводит к удалению геттерирующего слоя только с планарной стороны, что обусловливает низкую плотность дефектов кристаллической структуры в...

Номер патента: 9319

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Сенько Александр Сергеевич, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01N 21/88, G01B 9/00, G01B 11/30...

Метки: поверхности, изделий, устройство, контроля, качества

Текст:

...Направление отраженного света обусловлено всевозможной пространственной ориентацией граней, приводя к диффузному отражению, т.е. рассеянию света. При больщих углах падения света часть граней неровностей попадает в область тени соседних неровностей поверхности.При этом освещается только часть граней неровностей поверхности, находящаяся вне тени И обращенная К источнику света. При дальнейшем увеличении угла падения света освещается все...

Номер патента: 9318

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88, G01B 11/30...

Метки: контроля, поверхности, изделий, качества, способ

Текст:

...размер проекции микронеровностей на волновой фронтисточника излучения уменьшается пропорционально косинусу угла падения. При некотором достаточно большом угле этот размер становится меньше четверти длины волны, что приводит К возникновению зеркальной Компоненты в отраженном световом потоке.Совокупность рассмотренных факторов позволяет получить псевдозеркальную компоненту отраженного света, обеспечивающую формирование изображения контролируемой...

Номер патента: 9339

Опубликовано: 30.06.2007

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: солнечный, термоэлектрический, холодильник

Текст:

...например из арсенида галлия, ее толщина определяется полным поглощением в ней тепловой энергии решетки электронами, экстрагируемыми из слоя 6 -узкозонного полупроводника через анизо-типный резкий р- гетеропереход, и,как показали результаты эксперимента, составляет (25). Сильнолегированный р-слой 10 представляет часть р-области 9, который сформирован путем введения высокой концентрации акцепторной примеси 1020 см-3, обладает малым...

Номер патента: 9323

Опубликовано: 30.06.2007

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/265, H01L 21/66...

Метки: четырехзондовой, имплантации, дозиметрии, ионной, способ

Текст:

...концентрация основных носителей заряда о(х) постоянна по глубине х резистивного слоя 1 или модуль ее приведенного безразмерного градиента/1 при любом х, на точности косвенного измерения дозы по калибровочной кривой может негативно сказаться технологическая неоднородность / толщины выращенного резистивного слоя 1 в различных точках его поверхности. В случае о(х), известное выражение для ПС легированных полупроводниковых слоев 5 т.е....

Номер патента: U 3701

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Лишик Сергей Иванович, Трофимов Юрий Васильевич

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор, тонкопленочный

Текст:

...5 - второй электрод 6 - межэлектродный зазор 7 - нормаль к участку межэлектродного зазора 8 - оптически непрозрачный материал. Тонкопленочный фоторезистор состоит из диэлектрической подложки 1, на поверхности которой сформирован слой фоточувствительного материала 2, на поверхности которого сформирован слой контактной металлизации 3, состоящий из первого электрода 4 и второго 5 встречно-штыревых электродов, разделенных межэлектродным...

Номер патента: 9129

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Малый Игорь Васильевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Карпов Иван Николаевич

МПК: H01L 29/94, H01L 29/92

Метки: микросхем, конденсатор, интегральных

Текст:

...защиты второго слоя конденсаторного диэлектрика на границе обкладки из легированного поликристаллического кремния, что обеспечивает дополнительную возможность использовать легированный слой поликристаллического кремния в качестве разводки. Кроме того, легированный слой поликристаллического кремния выполнен кристаллитным по толщине, где 2-4. У данного слоя легированного поликристаллического кремния и нижняя, и верхняя поверхности...

Номер патента: 9140

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Мойсейчук Константин Леонидович, Шильцев Владимир Викторович, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Бересневич Людмила Брониславовна

МПК: H01L 21/225

Метки: пленкообразующая, композиция, получения, бора, источников, приборов, полупроводниковых, твердых, изготовлении

Текст:

...следующим образом.В качестве растворителя избран н-бутиловый спирт, поскольку в нем легко растворим ТЭОС и образующиеся олигополимеры (продукты неполного гидролиза ТЭОС), а также вода. Кроме того, он менее летуч и обладает большой вязкостью, чем обычно применяемые в пленкообразующих композициях растворители (этиловый спирт).При содержании ТЭОС в композиции менее 25 мас. происходит быстрое осаждение взвешенного оксида бора за счет...

Номер патента: 9069

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Шамкалович Владимир Иванович, Сычик Андрей Васильевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/0352, H01L 31/04, H01L 31/06...

Метки: преобразователь, энергии, солнечной

Текст:

...носителей заряда . Р-варизонный слой 7 создает градиент напряженности электрического поля, ускоряя перенос фотогенерированных носителей заряда. Для достижения оптимального по максимуму разделения генерированных в р-варизонном слое 7 носителей заряда в диапазоне энергии фотонов 12 ширина этого слоя не должна превышать диффузионной длины основных избыточных носителей и составляет(0,5-0,9), причем она максимальная для полупроводников с...

Номер патента: 8982

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Залесский Валерий Борисович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 25/03, H01L 29/74

Метки: полупроводниковый, выпрямитель

Текст:

...электродов, образующих омические Контакты к этим областям, по меньшей мере, два металлических электрода к локальным областям противоположного подложке типа проводимости частично расположены на сформированном между локальными областями диэлектрическом слое таким образом, что распространяются до границ смежных локальных областей противоположного подложке типа проводимости, электродь 1 к которым соединены вместе, а область того же типа...