Яблонский Геннадий Петрович
Полихроматический лазерный имитатор солнечного излучения
Номер патента: U 10300
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Луценко Евгений Викторович, Павловский Вячеслав Николаевич, Яблонский Геннадий Петрович, Ржеуцкий Николай Викторович, Свитенков Илья Евгеньевич
МПК: G01R 31/40
Метки: солнечного, полихроматический, излучения, лазерный, имитатор
Текст:
...солнечного элемента. Полихроматический лазерный имитатор солнечного излучения работает следующим образом излучение всех шести лазеров 1-6 сводят стеклянной призмой 7 в один световой пучок, который затем фокусируют линзовой системой 8, 9 на поверхность солнечного элемента 10, интенсивность излучения лазеров на поверхности солнечного элемента устанавливают так, чтобы их вклад в общее излучение соответствовал таблице, а суммарная...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GаN
Номер патента: 13504
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Данильчик Александр Викторович, Стогний Александр Иванович, Шуленков Алексей Серафимович, Луценко Евгений Викторович, Новицкий Николай Николаевич, Яблонский Геннадий Петрович, Павловский Вячеслав Николаевич
МПК: H01L 33/00, H01L 21/02
Метки: омического, изготовления, прозрачного, контакта, эпитаксиальному, слою, способ, p-gan
Текст:
...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...
Способ повышения эффективности излучения пленки органического полупроводника
Номер патента: 11684
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Хойкен Михаель, Павловский Вячеслав Николаевич, Гурский Александр Леонидович, Яблонский Геннадий Петрович, Луценко Евгений Викторович, Осипов Константин Александрович
МПК: H01L 21/02, H01L 33/00
Метки: эффективности, пленки, излучения, способ, органического, повышения, полупроводника
Текст:
...Способ повышения эффективности люминесценции органических полупроводниковых пленок рассмотрим на примере термического отжига органического полупроводника,(1-) - ,(1,1-)-4,4- (-). Заявленный способ проиллюстрирован чертежами 2 11684 1 2009.02.28 Фиг. 1 - схематическое изображение стенда для термической обработки пленок органических полупроводников. Фиг. 2 - график зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) органического...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN
Номер патента: 8569
Опубликовано: 30.10.2006
Авторы: Хойкен Михаель, Стогний Александр Иванович, Яблонский Геннадий Петрович, Шуленков Алексей Серафимович, Шинеллер Бернд, Луценко Евгений Викторович
МПК: H01L 33/00, H01L 21/28, H01L 21/283...
Метки: эпитаксиальному, слою, изготовления, контакта, прозрачного, омического, способ, p-gan
Текст:
...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...