H01L 29/47 — электроды с барьером Шотки

Номер патента: 16468

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Сарычев Олег Эрнстович, Пуцята Владимир Михайлович, Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: быстродействующий, высоковольтный, диод

Текст:

...функцию резистивной полевой обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии наблюдаются существенные внутренние механические напряжения, которые могут привести...

Номер патента: 15400

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Высоцкий Виктор Борисович, Голубев Николай Федорович, Сарычев Олег Эрнстович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: шоттки, диод

Текст:

...поликристаллического кремния (ППК) в составе защитного диэлектрического покрытия выполняет функцию резистивной обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии...

Номер патента: 15214

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Довнар Николай Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Текст:

...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...

Номер патента: 15018

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Ковальчук Наталья Станиславовна, Бармин Михаил Дмитриевич, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: способ, изготовления, диода, шоттки

Текст:

...уменьшает обратный ток диода Шоттки. Кроме того, область -типа проводимости является геттером для примесных и структурных дефектов, что также способствует уменьшению обратного тока диода Шоттки. Удаление слоя окисла кремния после формирования ограничительного кольца -типа проводимости необходимо для обеспечения непосредственного электрического контакта слоя полуизолирующего поликристаллического кремния (ППК) защитного диэлектрического покрытия...

Номер патента: 14848

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Голубев Николай Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Текст:

...кольца будет сравнительно большим, что не позволит заметно улучшить устойчивость диода Шоттки к воздействию статического электричества. Превышение произведения ширины охранного кольца на глубину его залегания более 80 мкм 2 не приводит к дальнейшим улучшениям, что экономически нецелесообразно. При отношении глубины охранного кольца к толщине эпитаксиального слоя в диапазоне от 0,16 до 0,32 обеспечивается равномерное протекание ударного...

Номер патента: 8380

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Баранов Валентин Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Тарасиков Михаил Васильевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Текст:

...раскислять естественный 2 с образованием проводящих оксидов рения, стабилизирующих границу раздела. Кроме того, сплав - обладает по сравнению сболее высокой прочностью при сохранении относительно высокой пластичности 5. 3 8380 1 2006.08.30 Слой титана в многослойном электроде толщиной 0,07-0,15 мкм является адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминийкремний, во-вторых структура / устойчива к...

Номер патента: 8449

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Карпов Иван Николаевич, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Пеньков Анатолий Петрович

МПК: H01L 29/47, H01L 21/329, H01L 21/328...

Метки: способ, изготовления, шоттки, диода

Текст:

...адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминий-кремний, во-вторых,4 8449 1 2006.08.30 структура - стойка к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения 3. Толщина слоя титана 0,07-0,15 мкм выбирается как из приведенных выше соображений, так и из условия минимизации механических напряжений в многослойной структуре /////. Сущность изобретения поясняется фиг....

Номер патента: 7113

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Баранов Валентин Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...процессе сборки диффундируют преимущественно в виде ионов и поэтому они оказываются связанными зарядовыми ловушками, расположенными на границе раздела диэлектрических слоев 51 О 2/Та 2 О 5. По этой причине их присутствие в обедненном слое контакта Шоттки практически исключается и дестабилизирующего действия примесей во время работы прибора не происходит.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором представлен поперечный разрез диода...