H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 15075

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, способ, полупроводниковых, кремния, ориентации, изготовления, 111

Текст:

...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы 5 15075 1 2011.12.30 меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше...

Номер патента: 15192

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, кремния, 111, изготовления, пластин, способ, полупроводниковых

Текст:

...первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно,что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит...

Номер патента: 15191

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: способ, кремниевых, покрытия, функционального, ориентации, полупроводниковых, 111, формирования, пластинах

Текст:

...основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в покрытии. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование...

Номер патента: 15074

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, полупроводниковых, ориентации, изготовления, пластин, способ, 111

Текст:

...что то же самое, при соблюдении заявляемой ориентации углов элементов) кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элемента, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...

Номер патента: 15190

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, ориентации, кремния, изготовления, пластин, способ, 111

Текст:

...находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование 5 15190 1 2011.12.30 второго тетраэдра и октаэдра...

Номер патента: 15078

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, 111, пластин, функционального, полупроводниковых, способ, формирования, покрытия, кремниевых

Текст:

...были контрастными по отношению к первичному. Если первичным элементом является островок, в него вписывают только окна. В эти окна новые элементы рисунка не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное...

Номер патента: 15189

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: формирования, ориентации, функционального, покрытия, пластинах, полупроводниковых, способ, 111, кремниевых

Текст:

...первичного элемента окна или островка нитрида кремния принципиального значения не имеет. Важно, чтобы все вновь вписываемые элементы рисунка были контрастными по отношению к первичному. Если первичным элементом является островок, в него вписывают только окна. В эти окна новые островки не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе...

Номер патента: 15188

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: функционального, ориентации, формирования, полупроводниковых, способ, пластинах, кремниевых, покрытия, 111

Текст:

...плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры октаэдра. Его можно рассматривать также как фигуру, образованную в результате пересе 5 15188 1 2011.12.30 чения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по...

Номер патента: 15294

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: 111, способ, структуры, эпитаксиальной, ориентации, кремниевой, изготовления

Текст:

...частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой...

Номер патента: 15260

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластина, кремниевая, полупроводниковая, ориентации, 111

Текст:

...гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения (110), находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости...

Номер патента: 15305

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, полупроводниковая, ориентации, кремниевая, пластина

Текст:

...в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости (111). Это приводит к самоформированию вторичных тетраэдров,...

Номер патента: 15077

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: 111, эпитаксиальной, структуры, изготовления, кремниевой, способ, ориентации

Текст:

...эпитаксиальной структуры ориентации (111) механические нарушения, в соответствии с заявляемым техническим решением, могут быть сформированы, по крайней мере, в одном из трех равнозначных кристаллографических направлений - 1 1 0 ,10 1 или 01 1. В случае формирования механических нарушений в двух или трех направлениях одновременно плотность генерируемой дислокационной структуры возрастает, эффективность захвата неконтролируемых примесей...

Номер патента: 15132

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: ориентации, изготовления, структуры, способ, 001, эпитаксиальной, кремниевой

Текст:

...направлений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно плотность дислокационной сетки в объеме подложки и эффективность захвата неконтролируемых примесей возрастают. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки), режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических...

Номер патента: 15059

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: полупроводниковой, ориентации, изготовления, способ, 111, пластины, кремниевой

Текст:

...эпитаксии и т.п. Если контролируемые нарушения выполнены вдоль одного из направлений типа 112, дислокации генерируются преимущественно в одной из соответствующих конкретно выбранному направлению плоскостей (1 1 0 ) , (10 1 ) и (01 1 ) , перпендикулярных плоскости (111), и при последующих операциях беспрепятственно достигают рабочей поверхности пластины, усиливая тем самым рост линий скольжения. Требования по шагу расположения линий...

Номер патента: 15214

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Довнар Николай Александрович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...

Номер патента: 14849

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Тептеев Алексей Алексеевич, Савостьянова Наталья Александровна

МПК: H01L 21/306, C09K 13/00

Метки: селективный, относительно, ingaasp, травитель, слоев, ingaas

Текст:

...под действием перекиси водорода происходит окисление поверхности эпитаксиального слоя с образованием соответствующих оксидов. Затем под действием молочной кислоты образованные оксиды растворяются. Чистота (марка) применяемых компонентов, используемых при изготовлении селективного травителя, определяется требованиями конкретного технологического процесса производства изделий микроэлектроники. 14849 1 2011.10.30 Выбранный состав травителя...

Номер патента: 15018

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Бармин Михаил Дмитриевич, Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Соловьев Ярослав Александрович, Ковальчук Наталья Станиславовна, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: способ, изготовления, диода, шоттки

Текст:

...уменьшает обратный ток диода Шоттки. Кроме того, область -типа проводимости является геттером для примесных и структурных дефектов, что также способствует уменьшению обратного тока диода Шоттки. Удаление слоя окисла кремния после формирования ограничительного кольца -типа проводимости необходимо для обеспечения непосредственного электрического контакта слоя полуизолирующего поликристаллического кремния (ППК) защитного диэлектрического покрытия...

Номер патента: 14870

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кривчик Петр Петрович, Становский Владимир Владимирович, Мышук Виктор Иванович, Глухманчук Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович

МПК: C30B 25/20, H01L 21/36

Метки: способ, структур, эпитаксиальных, кремниевых, изготовления

Текст:

...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...

Номер патента: 14985

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Выговский Станислав Вячеславович, Керенцев Анатолий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Зубович Анатолий Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/12

Метки: изготовления, способ, мощного, прибора, полупроводникового

Текст:

...металлокерамических корпусов. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления мощного полупроводникового прибора, при котором выполняют части его корпуса в виде основания, обечайки,выводов, ободка, крышки и термокомпенсатора, в обечайке выполняют два сквозных отверстия и выемку для выводов, упомянутые части корпуса обезжиривают, промывают в деионизованной воде, сушат и отжигают изготавливают керамические изоляторы...

Номер патента: 14912

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/302

Метки: структура, ориентации, 111, эпитаксиальная, кремниевая

Текст:

...Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости 111. Это приводит к самоформированию вторичных тетраэдров, находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями...

Номер патента: 14949

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, ориентации, кремниевая, эпитаксиальная, структура

Текст:

...скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка, например треугольной ямкой. При первом разделении первичных элементов рисунка на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания...

Номер патента: 14911

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, способ, кремниевых, структур, эпитаксиальных, ориентации, изготовления

Текст:

...вписывание элементов двух типов ямок и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит из элементов одинакового минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать...

Номер патента: 14851

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Довнар Николай Александрович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/02, H01L 23/48...

Метки: металлизация, схемы, интегральной

Текст:

...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....

Номер патента: 14850

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Довнар Николай Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Лабан Эдуард Казимирович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/28, H01L 23/48, H01L 21/02...

Метки: способ, межэлементных, микросхемы, изготовления, соединений

Текст:

...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...

Номер патента: 14848

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Голубев Николай Федорович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: шоттки, диод

Текст:

...кольца будет сравнительно большим, что не позволит заметно улучшить устойчивость диода Шоттки к воздействию статического электричества. Превышение произведения ширины охранного кольца на глубину его залегания более 80 мкм 2 не приводит к дальнейшим улучшениям, что экономически нецелесообразно. При отношении глубины охранного кольца к толщине эпитаксиального слоя в диапазоне от 0,16 до 0,32 обеспечивается равномерное протекание ударного...

Номер патента: 14926

Опубликовано: 30.10.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: ориентации, кремниевой, пластины, 001, полупроводниковой, способ, изготовления

Текст:

...направ 3 14926 1 2011.10.30 лений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно эффективность блокирования роста линий скольжения соответственно повышается. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки),режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических нарушений продиктованы...

Номер патента: 15054

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Сивец Василий Иосифович

МПК: H01L 27/14, H01L 31/00

Метки: способ, фотодиода, изготовления

Текст:

...2011.10.30 формированием контактов к областям анода и катода, причем легирование ионами гелия проводят дозой 1013-1015 см-2, энергией 30-150 кэВ, а отжиг проводят при температуре 500-750 С в течение 0,5-6 ч. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ отличается от известного тем, что легирование ионами гелия и отжиг в среде азота выполняют перед формированием контактов к областям катода и анода,...

Номер патента: U 7483

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Блынский Виктор Иванович, Лемешевская Алла Михайловна, Голуб Елена Степановна, Цымбал Владимир Сергеевич

МПК: H01L 21/00

Метки: фотодиод

Текст:

...точек их генерации до области полупроводника с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки. Большая глубина рельефа перехода позволяет увеличить чувствительность фотодиода не только к фиолетовому и голубому, но и к зеленому свету. Сущность полезной модели поясняется фигурами, где 1 - подложка,2 - первая область,3 - вторая область,4 - локальная область,5 - область пространственного заряда - перехода,6 - охранное кольцо,7 -...

Номер патента: 14780

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич, Пашкевич Михаил Викторович, Труханов Алексей Валентинович

МПК: C30B 29/32, C30B 23/06, H01L 27/00...

Метки: получения, baxsr1-xtio3, способ, пленок, наноразмерных

Текст:

...пленки титаната бария-стронция, который заключается в том, что с помощью ионно-лучевого распыления в среде смеси газов аргона и кислорода напыляли буферный слой диоксида титана (2) на подложку из ситала. В дальнейшем на слой Т 2 методом ионно-лучевого распыления при температуре 620640 С наносили наноразмерную пленку 1-3. Недостатком данного способа является большая толщина гетероструктуры пленка 1-3 - буферный слой за счет большей (20 нм)...

Номер патента: 14775

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Колупаев Владимир Дмитриевич, Пушкин Леонид Владимирович, Аваков Сергей Мирзоевич, Есьман Василий Михайлович

МПК: H01L 21/027, G02B 27/18

Метки: изображений, генератор, многоканальный

Текст:

...источника излучения на датчик углового положения луча 4. Основная часть света проходит далее через корректор разме 2 14775 1 2011.08.30 ров световых пятен 5, расщепитель луча 6 (который расщепляет луч на семнадцать пучков одинаковой интенсивности) и осветитель, состоящий из элементов 7 и 8. Таким образом,на входе в многоканальный затвор 9 формируется шестнадцать параллельных между собой пучков с равным расстоянием между соседними пучками (в...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Становский Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: акцепторных, приборов, пластины, силовых, полупроводниковых, изготовления, примесей, диффузии, кремниевые, способ

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Номер патента: 14465

Опубликовано: 30.06.2011

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: способ, отбора, радиационной, силовых, повышенной, стойкостью, диодов

Текст:

...после воздействия и отбор диодов по изменению этих параметров. Новым, по мнению авторов, является то, что облучение электронами проводят при температуре от 130 до 150 С флюенсами, составляющими от 10 до 15 от численного значения концентрации основной легирующей примеси в исходном полупроводниковом материале диодов. Сущность способа заключается в реализации возможности проведения полного цикла отбраковочных испытаний силовых диодов на...

Номер патента: 14452

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Мильчанин Олег Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Комаров Фадей Фадеевич, Довнар Николай Александрович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: изготовления, диода, способ, шоттки

Текст:

...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...

Номер патента: 14404

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Паращук Валентин Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Беляева Ада Казимировна, Телеш Евгений Владимирович, Рябцев Геннадий Иванович

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00, H01S 3/04...

Метки: диодных, лазерных, изготовления, основания, алмазного, структур, способ, теплоотводящего

Текст:

...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...

Номер патента: 14195

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66, G01B 11/30...

Метки: структуры, изделия, способ, частности, контроля, поверхности, пластины, полупроводниковой, качества

Текст:

...дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема осуществления контроля, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого способа (б). Свет от точечного источника...

Номер патента: 14194

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01B 9/00, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: поверхности, пластины, устройство, полупроводниковой, изделия, контроля, частности, качества, структуры

Текст:

...где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого устройства (б). Заявляемое устройство содержит точечный источник оптического излучения 1, держатель образцов 2, выполненный в виде кольцевой опоры, внутри которой создается разрежение за счет подключения к вакуумной магистрали или насосу...

Номер патента: 14249

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: запираемых, тиристоров, изготовления, способ

Текст:

...2 ч,то отжигается незначительная часть термостабильных дефектов с уровнем ЕС 0,36 эВ и приборы не переключаются в открытое состояние токами управления , оговоренными ТУ. Наряду с дефектом с уровнем ЕС 0,17 эВ в материал -базы при облучении вводится также дефект с акцепторным уровнем ЕС 0,34 эВ в верхней половине запрещенной зоны. Данный дефект не является эффективным центром рекомбинации и отжигается в интервале температур 550-560 С. На...

Номер патента: 14223

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Кульгачев Владимир Ильич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: транзисторов, изготовления, быстродействующих, способ

Текст:

...их в корпуса, за счет электронного облучения и отжига бесспорно технологично, но транзисторные структуры, посаженные в корпуса требуют небольшой корректировки своих параметров по быстродействию (времени выключения). Выбор флюенса повторного облучения (в пределах до 81013 см-2) обусловлен необходимостью получения транзисторов с минимальным разбросом по времени выключения,допустимым изменением статических характеристик и максимальным...

Номер патента: U 7262

Опубликовано: 30.04.2011

Автор: Блынский Виктор Иванович

МПК: H01L 21/00

Метки: интегральная, фоточувствительная, схема

Текст:

...случае расстояние от фоточувствительной поверхности фотоприемника до легированной золотом области должно равняться этой величине. На большей глубине поглощается в основном ИК-излучение. Вследствие большого коэффициента диффузии золота, легированная золотом область не имеет четкой границы. Поэтому при ширине легированной золотом области, большей ширины фотоприемника в случае, если легированная золотом область примыкает к переходу...

Номер патента: U 7184

Опубликовано: 30.04.2011

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод, полупроводниковый

Текст:

...стопроцентной рекомбинацией инжектированных в его область через прямосмещенные - первый переход дырок и - второй прямосмещенный переход электронов и составляет (1,11,6), где- диффузионная длина носителей заряда. Сильнолегированный -слой 1 широкозонного полупроводника сформирован на металлическом основании 2 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021) см 3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает...