H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 15626

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: способ, диодов, изготовления, кремниевых, силовых

Текст:

...(ЗПР) неравновесных носителей заряда (ННЗ) в приборной структуре, обеспечивая тем самым низкое значение прямого падения напряжения на диодепри необходимом быстродействии, нуждаются в доводке параметров на заключительном этапе их производства. Дело в том, что введение ЗПР в диодные структуры до посадки их в корпуса бесспорно технологично, но посаженные в корпуса диодные структуры имеют больше допустимого разброс по быстродействию времени...

Номер патента: 15625

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбора, способ, аппаратов, космических, силовых, кремниевых, диодов

Текст:

...к наличию любых структурных дефектов, в том числе и радиационных, является время жизни неравновесных носителей зарядаННЗ в базовой, наименее легированной области диодной структуры. Экспериментально установлено 6, что этот электрический параметр в диодах на кремнии в достаточно широком и важном для практики диапазоне доз облучения (Ф)(гамма-квантами, быстрыми электронами, нейтронами и протонами) сохраняет линейный характер зависимости...

Номер патента: 15410

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: ХААСС, Франк

МПК: H01L 35/16, C30B 29/46

Метки: применения, легированные, теллуриды, свинца, термоэлектрического

Текст:

...дробление материала, полученного на этапе (1)(3) прессование материала, полученного на этапе (2), до формованных изделий и(4) спекание формованных изделий, полученных на этапе (3). Другим предметом данного изобретения является применение описанного выше полупроводникового материала и полупроводникового материала, полученного с помощью описанного выше способа, в качестве термоэлектрического генератора или устройства Пельтье. Еще одним...

Номер патента: U 8036

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 21/00

Метки: солнечный, элемент

Текст:

...усеченных прямоугольных пирамид расположены диэлектрические концентраторы с зеркальной внешней поверхностью, оптически связанные с первым слоем полупроводникового материала первый слой полупроводникового материала содержит варизонные структуры, а на участках прозрачной проводящей пленки между металлическими усеченными прямоугольными пирамидами выполнены массивы щелевых плазменных волноводов в виде периодических металлических...

Номер патента: U 8037

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Кравченко Владимир Михайлович, Залесский Валерий Борисович, Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 29/86

Метки: балочными, диод, детекторный, выводами

Текст:

...контакт к -слою, анодный контакт к -слою,балочные выводы к контактам и слой эластичного диэлектрика, расположенный над катодным и анодным балочными выводами, имеющий в центре над всей областью диода окно,перпендикулярно к балочным выводам в противоположных направлениях сформированы нерегулярные полосковые линии, на которых расположены крайние части слоя эластичного диэлектрика, выполненные в виде периодических решеток с изменяющимся...

Номер патента: 15451

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Унучек Денис Николаевич, Башкиров Семен Александрович, Иванов Василий Алексеевич

МПК: C30B 29/46, C23C 28/00, H01L 31/18...

Метки: элементов, тонкопленочной, способ, структуры, основе, получения, солнечных

Текст:

...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...

Номер патента: 15321

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 21/322, C23C 16/22

Метки: кремниевых, покрытия, геттерирующего, полупроводниковых, пластин, способ, формирования

Текст:

...перед нанесением слоя поликристаллического кремния дополнительно проводят осаждение пленки гидрогенизированного аморфного кремния толщиной 10-100 нм а также тем, что осаждение пленок гидрогенизированного аморфного кремния и слоя поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с...

Номер патента: 15320

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 14/34

Метки: способ, кремния, изготовления, полупроводниковых, пластин

Текст:

...для эпитаксиальной рекристаллизации поликристаллического кремния (поли-). В то же время они не являются барьером для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера, поскольку имеют одинаковую с ними химическую природу - неконтролируемые примеси существуют в кремнии преимущественно в виде силицидов. Выбор из всей совокупности силицидов именно силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются...

Номер патента: 15319

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 8/02

Метки: изготовления, способ, полупроводниковых, кремния, пластин

Текст:

...в течение 30-150 с, далее в плазме аргона в течение 10-60 с, а затем в плазме кислорода в течение времени, необходимого для получения пленки требуемой толщины. Сущность заявляемого технического решения заключается в полном удалении оксида кремния, образовавшегося в результате проведения химобработки и при хранении пластин на воздухе, и последующем окислении чистой поверхности кремния в плазме кислорода. Процессы химической отмывки...

Номер патента: 15476

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: формирования, способ, покрытия, пластин, функционального, ориентации, кремниевых, 001, полупроводниковых

Текст:

...в 3 раза меньше размеров первичных элементов, глубина проникновения генерируемых ими 5 15476 1 2012.02.28 дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность таких вновь образованных окон в нитриде кремния (или островков диоксида кремния, что то же самое) можно рассматривать как...

Номер патента: 15475

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: кремниевых, формирования, покрытия, 001, пластин, ориентации, функционального, полупроводниковых, способ

Текст:

...и 2) с размером сторонына 9 равных частей квадратной формы и замена центральной части на контрастную по отношению к данному элементу приводят к возникновению нового элемента (34 в случае выбора в качестве первичного элемента 2 и, соответственно, 2 в случае выбора 34) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение но 5 15475 1 2012.02.28...

Номер патента: 15474

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, 001, покрытие, пластин, кремниевых, функциональное, ориентации

Текст:

...равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно...

Номер патента: 15473

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: пластин, покрытие, ориентации, 001, кремниевых, полупроводниковых, функциональное

Текст:

...второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения,...

Номер патента: 15472

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: ориентации, структур, изготовления, способ, кремниевых, 001, эпитаксиальных

Текст:

...пирамидальных дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый, второй уровень кристаллографических дефектов (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей первичных элементов пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и замена...

Номер патента: 15465

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: ориентации, структура, кремниевая, 001, эпитаксиальная

Текст:

...структуры. Фрактальный характер вытравленного рисунка обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо друг от друга, а активно взаимодействуют друг с другом с образованием новых элементов дислокационной структуры за счет явления самоформирования. Их взаимодействие обусловлено, с одной стороны, взаимодействием полей механических напряжений, а с другой стороны, тем, что при...

Номер патента: 15471

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: структур, способ, ориентации, эпитаксиальных, кремниевых, изготовления, 001

Текст:

...дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. 15471 1 2012.02.28 С каждым новым этапом формирования элементов возникает все новый уровень дислокационной структуры. Фрактальный характер вытравленного рисунка обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо...

Номер патента: 15463

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: покрытие, ориентации, полупроводниковых, 001, пластин, кремниевых, функциональное

Текст:

...на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных окон и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом формирования элементов покрытия возникает все новый уровень дислокационной структуры. Фрактальный характер рисунка в слое 34 обеспечивает...

Номер патента: 15470

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: кремниевых, ориентации, покрытие, функциональное, пластин, 001, полупроводниковых

Текст:

...разделение оставшихся восьми частей островков слоя 34 по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и замена центральной части на дополнительный диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом формирования элементов...

Номер патента: 15464

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: 001, пластин, кремния, способ, полупроводниковых, изготовления, ориентации

Текст:

...образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения...

Номер патента: 15439

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Труханов Алексей Валентинович, Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич, Пашкевич Михаил Викторович

МПК: H01L 21/02, B82B 3/00, H01L 33/00...

Метки: контакта, способ, нитрида, омического, изготовления, прозрачного, эпитаксиальному, слою, галлия, p-gan

Текст:

..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...

Номер патента: 15400

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Высоцкий Виктор Борисович, Голубев Николай Федорович, Сарычев Олег Эрнстович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...поликристаллического кремния (ППК) в составе защитного диэлектрического покрытия выполняет функцию резистивной обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии...

Номер патента: 15468

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: кремниевая, пластина, ориентации, полупроводниковая, 111

Текст:

...нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к первичному тетраэдру и т.д. Высота тетраэдров каждый раз уменьшается в 2 раза. При этом вершины тетраэдров одного уров 5 15468 1...

Номер патента: 15467

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: 111, ориентации, пластина, кремниевая, полупроводниковая

Текст:

...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...

Номер патента: 15361

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: структура, 111, ориентации, кремниевая, эпитаксиальная

Текст:

...Эти плоскости наклонены к поверхности пластины и пересекаются на некотором расстоянии от ее поверхности опять-таки в плоскости ( 1 1 1 ) (или в плоскости (111), что то же самое), которая также является плоскостью скольжения. Пересечение рассматриваемых плоскостей скольжения приводит к блокированию дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях с образованием дислокационных полупетель, закрепленных концами на обратной стороне...

Номер патента: 15360

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: структура, эпитаксиальная, кремниевая, 001, ориентации

Текст:

...чем в плоскостях (110) и (1 1 0) . Наличие на нерабочей поверхности пластины механических нарушений в виде параллельных линий в кристаллографическом направлении 100 или 010 приводит к генерации дислокаций в плоскостях (101), (10 1 ) , (011) и (0 1 1) , которые наклонены к поверхности под углом 45. Генерация дислокаций именно в этих плоскостях в данном случае энергетически наиболее выгодна и обусловлена тем, что возникающие от механических...

Номер патента: 15359

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: пластина, ориентации, кремниевая, полупроводниковая, 111

Текст:

...1 ) и (01 1 ) под действием термомеханических напряжений в области дефектов на торце пластины, скользят по направлению к центру пластины. На своем пути они встречают дислокации, генерируемые контролируемыми нарушениями и расположенные в плоскостях (110), (11 1 ), (101), (1 1 1),(011), ( 1 11) , и блокируются ими с образованием дислокационных полупетель, закрепленных одним концом на торце пластины, а другим - на обратной стороне пластины....

Номер патента: 15358

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: ориентации, пластина, полупроводниковая, 001, кремниевая

Текст:

...пути встречают дислокации, расположенные в одной из плоскостей (101), (10 1 ) , (011) и (0 1 1) , и блокируются ими с образованием дислокационных полупетель, закрепленных одним концом на торце пластины, а другим - на обратной стороне пластины. Скольжение дислокаций переходит в другую кристаллографическую плоскость, рост линии скольжения прекращается. В итоге рабочая поверхность пластины сохраняет высокое первоначальное качество. На поверхности...

Номер патента: 15265

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Снитовский Юрий Павлович, Ефремов Василий Андреевич, Нелаев Владислав Викторович

МПК: H01L 21/331

Метки: способ, транзистора, изготовления

Текст:

...внедряемой примеси того же типа, которой легирован кремний 3) образованием атомов отдачи молибдена в приповерхностном слое (молибденпримесь -типа проводимости) кремния в эмиттере 4) образованием большого количества радиационных дефектов под действием как основного потока ионов фосфора, так и атомов отдачи молибдена, которые при достаточной дозе легирования образуют аморфизованный слой кремния. Низкотемпературная термообработка (отжиг)...

Номер патента: 15155

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: холодильник, термоэлектрический, солнечный

Текст:

...подложке, на столбиковую поверхность которой последовательно методом газофазной эпитаксии нанесен -слой 2, -слой 3, -слой 4 и методом ионного распыления электропроводящий слой 5 из светопрозрачного материала. В соответствии с результатами расчета оптимальная высота столбиков диаметром(50200) микрон составляет (50150) микрон, а расстояние между столбиками (50100) микрон. В результате суммарная площадь фоточувствительной структуры типа-...

Номер патента: 15176

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Денисенко Михаил Фёдорович, Латышев Сергей Викторович, Леонов Василий Севастьянович

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователя, энергии, солнечной, способ, электрическую, изготовления

Текст:

...гидридной эпитаксии(600700) С, а средняя скорость наращивания эпитаксиального слоя составляет (2030) /сек. Методом термической диффузии на -слое широкозонного полупроводника (кремния) формируют -слой, легированный акцепторной примесью - бором с концентрацией(10161017) см-3, толщиной (0,30,6) мкм. Температура процесса диффузии бора(10001100) С, а время процесса составляет (0,60,9) часа. Методом термической диффузии на -слое кремния формируют...

Номер патента: 15175

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Денисенко Михаил Фёдорович, Леонов Василий Севастьянович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: энергии, преобразователь, электрическую, солнечной

Текст:

...полупроводника легирован акцепторной примесью с концентрацией (10161017) см-3, его толщина обусловливается максимальным переносом фото -инжектированных в -слое 2 носителей к-слою 4. Как показали результаты эксперимента, толщина -слоя 3 широкозонного полупроводника составляет (0,20,4) . Сильнолегированный -слой 4 широкозонного полупроводника сформирован на р-слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021)...

Номер патента: 15154

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04, H01L 35/28

Метки: способ, холодильника, изготовления, термоэлектрического, солнечного

Текст:

...процесса диффузии бора 10001100 С, а время процесса составляет 0,30,5 часа. Методом термической диффузии на поверхности кремниевой монокристаллической области (подложки) формируют сильнолегированный слой-типа толщиной 0,10,3 мкм введением акцепторной примеси - бора с концентрацией (10201021) см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 С, а время процесса составляет 0,20,5 часа. На сформированный-слой широкозонного полупроводника со...

Номер патента: 15174

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04, H01L 35/28

Метки: способ, изготовления, солнечного, термоэлектрического, холодильника

Текст:

...арсенида галлия, легированный -акцепторной примесью с концентрацией 31020 см-3, толщиной 0,1 микрон, который является омическим контактом к решетчатому верхнему металлическому контакту солнечного термоэлектрического холодильника -, осуществляют при температуре основания 400450 С со средней скоростью 2030 /сек. На торцевую сторону солнечного термоэлектрического холодильника по периметру наносят защитный диэлектрический слой диоксида кремния (2)...

Номер патента: 15299

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Комаров Фадей Фадеевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/205, C23C 16/30

Метки: тонких, способ, осаждения, пленок

Текст:

...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...

Номер патента: 15149

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Каленик Вера Ивановна, Турцевич Аркадий Степанович, Сидерко Александр Александрович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C23C 16/14, H01L 21/285

Метки: пленок, газовой, фазы, способ, вольфрама, осаждения, химического

Текст:

...от 360 до 475 С и давлении от 4 до 60 мм рт.ст., с подачей или без подачи азота, прекращение подачи моносилана и гексафторида вольфрама, создание в реакторе давления для осаждения основного слоя и осаждение основного слоя вольфрама восстановлением гексафторида вольфрама водородом при температуре от 360 до 475 С и давлении от 70 до 90 мм рт.ст. перед осаждением зародышевого слоя проводят выдержку пластины в среде моносилана с потоком от...

Номер патента: 15120

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шелег Александр Устинович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C01G 28/00, C30B 23/06, C30B 29/10...

Метки: материалов, способ, получения, гетероструктуры, полупроводниковых, основе

Текст:

...в однотемпературную печь сопротивления, температура в которой контролируется регулятором температуры (РИФ-101). Процесс взаимодействия компонентов проводят при температурах 1070-1080 в течение 120-150 часов. Затем печь выключают и извлекают слиток. Однофазность твердых растворов (1-)3(1-) подтверждена рентгенофазовым анализом (ДРОН-3). На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа твердого раствора состава(0,060,94)3(0,80,2)2. На...

Номер патента: 15194

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевой, пластины, ориентации, полупроводниковой, покрытие, 111, функциональное

Текст:

...тетраэдров,находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями скольжения 111 и 110, обеспечивает получение устойчивой взаимосвязанной структуры, состоящей из дислокаций и дефектов упаковки и управляемой параметрами рисунка покрытия. Дальнейшее разделение элементов рисунка в покрытии приводит к образованию...

Номер патента: 15080

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, ориентации, функциональное, покрытие, полупроводниковых, кремниевых, пластин

Текст:

...формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении первичных элементов покрытия на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором...

Номер патента: 15193

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: покрытие, кремниевой, пластины, ориентации, функциональное, 111, полупроводниковой

Текст:

...элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении...

Номер патента: 15079

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, кремниевых, полупроводниковых, покрытие, ориентации, функциональное, 111

Текст:

...совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основа 5 15079 1 2011.12.30 нию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е....