H01L 21/58 — крепление полупроводникового прибора на опоре

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Подковщиков Николай Николаевич, Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: кристалла, способ, прибора, обратной, стороны, металлизации, полупроводникового, формирования

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: обратной, стороны, прибора, кристалла, металлизация, полупроводникового

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: полупроводникового, способ, кристалла, кремниевого, прибора, присоединения, кристаллодержателю

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Номер патента: 8885

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Зубович Анатолий Николаевич

МПК: H01L 21/60, H01L 21/58

Метки: способ, кремниевого, присоединения, кристалла, полупроводникового, прибора, кристаллодержателю

Текст:

...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...

Номер патента: 8759

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/60, H01L 21/58

Метки: способ, присоединения, кристаллодержателю, кристалла, прибора, полупроводникового, кремниевого

Текст:

...требований технологического процесса сборки. С другой стороны, для получения качественного присоединения кристалла к кристаллодержателю полупроводникового при ВУ 8759 С 12006.12.30бора И достижения высокого выхода годных приборов необходимо обеспечить полное и равномерное растекание припоя по паяемой поверхности кремниевого кристалла и кристаллодержателя во время присоединения, а также согласовать их термические коэффициенть 1 линейного...