H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Номер патента: 18058

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Петрович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: диодов, шоттки, отбраковки, радиационной, способ

Текст:

...до 5,1610-2 Кд/кг, одновременно пропуская через диоды прямой ток, величина которого составляет от 1 до 5 максимального прямого тока диода, измеряют величину пробивного напряжения у облученных диодов и осуществляют их отбраковку по изменению этой величины. Сущность способа состоит в следующем. Диоды Шоттки облучают при комнатной температуре малыми (относительно уровня легирования исходного полупроводника) дозами гамма-облучения при...

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66

Метки: кремния, способ, монокристаллического, пластины, контроля, качества, поверхности

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Номер патента: 17795

Опубликовано: 30.12.2013

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: биополярных, способ, транзисторов, радиационной, отбраковки

Текст:

...обратного тока упомянутых транзисторов для обеспечения активации поверхностных дефектов в переходах транзисторных структур осуществляют термическое воздействие на транзисторы в течение 50,5 ч при температуре 125 С при подаче на транзисторы смещения, составляющего не более 70 от максимально установленного запирающего напряжения для данных транзисторов, после чего осуществляют низкоинтенсивное радиационное и термическое воздействие на...

Номер патента: 17800

Опубликовано: 30.12.2013

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: аппаратуры, моп-транзисторов, космической, отбора, способ

Текст:

...отбор транзисторов. Отбраковываются изделия,изменения параметров которых выходят за пределы обычного статистического распределения. В основу предлагаемого метода положены следующие физические явления. При воздействии ионизирующих излучений в МОП-транзисторах происходят следующие процессы 6 генерация и накопление заряда в защитном диэлектрике изменение заряда поверхностных состояний на границе полупроводник-диэлектрик...

Номер патента: 17531

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Петлицкий Александр Николаевич, Филипеня Виктор Анатольевич, Чигирь Григорий Григорьевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/28

Метки: мдп-микросхемы, способ, подзатворного, наработки, определения, диэлектрика, времени, отказ

Текст:

...не протекает через диэлектрик и не создает вклада в деградацию диэлектрика, что приводит к увеличению погрешности измерений. С уменьшением длительности импульса величина погрешности возрастает, и при длительности импульса менее 5 мс точность измерений становится недопустимо низкой при использовании длительности импульса более 50 мс существенно возрастает время испытаний и нарушается экспрессность контроля. Время испытаний увеличивается до...

Номер патента: 17232

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Ходарина Людмила Петровна, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: G01L 1/25, H01L 21/66

Метки: покрытие sio2–основа si, способ, остаточных, структуре, контроля, напряжений, кремниевой

Текст:

...тонкой оболочки. По условию минимума свободной энергии край отделенной полоски покрытия должен был бы принять форму волны с осью симметрии,лежащей в срединной плоскости покрытия. Однако поскольку прогиб полоски возможен только в одну сторону (вверх от основы), то свободный край полоски изгибается по некоторой, как правило несимметричной, волнообразной кривой, смещенной вверх от основы. Волнообразный изгиб свободного края покрытия...

Номер патента: 15627

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: отбраковки, радиационной, способ, моп-транзисторов

Текст:

...а у приборов с небольшим количеством дефектов или бездефектных таких изменений значительно меньше. Так, количество накопленного при облучении в диэлектрике объемного заряда определяется дефектами роста пленки и количеством примесей в диэлектрике. Наличие указанных дефектов в МОП-транзисторах при одной и той же дозе излучения приводит к значительному сдвигу порогового напряжения по сравнению с транзисторами, не имеющими таких дефектов. 15627...

Номер патента: 15625

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: космических, кремниевых, отбора, силовых, способ, диодов, аппаратов

Текст:

...к наличию любых структурных дефектов, в том числе и радиационных, является время жизни неравновесных носителей зарядаННЗ в базовой, наименее легированной области диодной структуры. Экспериментально установлено 6, что этот электрический параметр в диодах на кремнии в достаточно широком и важном для практики диапазоне доз облучения (Ф)(гамма-квантами, быстрыми электронами, нейтронами и протонами) сохраняет линейный характер зависимости...

Номер патента: 14465

Опубликовано: 30.06.2011

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: способ, повышенной, стойкостью, диодов, радиационной, силовых, отбора

Текст:

...после воздействия и отбор диодов по изменению этих параметров. Новым, по мнению авторов, является то, что облучение электронами проводят при температуре от 130 до 150 С флюенсами, составляющими от 10 до 15 от численного значения концентрации основной легирующей примеси в исходном полупроводниковом материале диодов. Сущность способа заключается в реализации возможности проведения полного цикла отбраковочных испытаний силовых диодов на...

Номер патента: 14195

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88, G01B 11/30...

Метки: пластины, структуры, контроля, изделия, способ, поверхности, качества, полупроводниковой, частности

Текст:

...дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема осуществления контроля, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого способа (б). Свет от точечного источника...

Номер патента: 14194

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, G01B 9/00...

Метки: пластины, изделия, частности, поверхности, качества, устройство, полупроводниковой, контроля, структуры

Текст:

...где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого устройства (б). Заявляемое устройство содержит точечный источник оптического излучения 1, держатель образцов 2, выполненный в виде кольцевой опоры, внутри которой создается разрежение за счет подключения к вакуумной магистрали или насосу...

Номер патента: 13857

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: количественных, поверхности, характеристик, устройство, дефектов, изделий, получения

Текст:

...содержащее точечный источник оптического излучения, держатель изделий и экран, содержит расположенную между источником излучения и держателем изделий координатную сетку, а также тем, что в качестве координатной сетки используют фотошаблон топологических структур полупроводниковых приборов. Сущность заявляемого технического решения заключается в формировании на контролируемой поверхности светотеневой координатной сетки, искажение...

Номер патента: 13856

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88, G01B 11/30...

Метки: поверхности, качества, способ, контроля, изделий

Текст:

...в качестве координатной сетки. Формирование координатной сетки более дешевыми способами, например трафаретной печатью, как правило, повреждает поверхность полупроводниковых пластин. Поэтому их использование также ограничено. Таким образом, недостатки прототипа связаны с высокой трудоемкостью контроля,обусловленной как большим количеством технологических операций по приготовлению образцов для контроля, так и сложностью этих операций....

Номер патента: 13506

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Мурин Леонид Иванович, Коршунов Федор Павлович, Медведева Ирина Федоровна

МПК: G01N 27/20, H01L 21/66

Метки: атомов, определения, водорода, способ, примесных, кремнии, концентрации

Текст:

...только в спектрах ИК поглощения 4), что делает данный центр непригодным для контроля содержания водорода в малых концентрациях. Комплекс является электрически активным центром с глубокими уровнями, однако вследствие возможного захвата второго атома водорода и трансформации данного центра в электрически неактивный комплекс 2 его концентрации могут сильно отличаться от концентрации водорода в образцах кремния. Для контроля содержания...

Номер патента: 13236

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: разбраковки, полупроводниковых, кремниевых, способ, структур, диодных

Текст:

...прикладывают к тестовой структуре контакты и пропускают через нее импульсы прямого, а затем обратного тока, измеряют прямое падение напряжения и определяют время жизни неосновных носителей заряда в 2 13236 1 2010.06.30 базовой области, по которому осуществляют разбраковку структур, причем измеряют прямое падение напряжения посредством дополнительных контактов, прикладываемых к тестовой структуре. Сущность изобретения заключается в том,...

Номер патента: 13130

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: ненадежных, отбраковки, способ, диодов, потенциально, силовых, кремниевых

Текст:

...после проведения при упомянутом радиационном воздействии термоциклирования в диапазоне температур от - 75 до 185 С в течение от 30 до 40 мин. Сущность способа. Диоды, полученные на основе высокоомных кремниевых структур с переходом, подвергают термоциклированию (воздействию тепловых ударов при многократном изменении температуры от отрицательных до положительных и наоборот) в диапазоне от -75 до 185 С в течение 30-40 мин в процессе низко...

Номер патента: U 5775

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01B 11/30, H01L 21/66, G01N 21/88...

Метки: поверхности, качества, контроля, устройство, изделий

Текст:

...уменьшением радиуса кривизны наблюдаемых топографических дефектов. В ряде случаев это приводит к фокусировке их изображения (изображение дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемая полезная модель поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения...

Номер патента: U 5480

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, H01L 21/66...

Метки: качества, контроля, изделий, устройство, поверхности

Текст:

...источник оптического излучения, держатель образцов и экран, дополнительно содержит расположенную между источником излучения и держателем образцов координатную сетку, а также тем, что в качестве координатной сетки используют фотошаблон топологических структур полупроводниковых приборов. Сущность заявляемого технического решения заключается в формировании на контролируемой поверхности светотеневой координатной сетки, искажение изображения...

Номер патента: 11849

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: чувствительностью, способ, параметров, приборов, полупроводниковых, ускоренной, повышенной, дестабилизирующим, отбраковки, воздействиям

Текст:

...смещения. Даже при современных методах создания приборных структур, в которых защитные покрытия поверхности весьма совершенны, в них происходят процессы генерации и перемещения зарядов. Анализ источников этих зарядов применительно к кремниевым структурам показывает, что при воздействии ионизирующего облучения происходит увеличение скорости накопления поверхностных зарядов и изменение соответствующих параметров испытуемых структур. Причины...

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: кремния, приборов, радиационной, стойкости, полупроводниковых, отбраковки, основе, способ

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Номер патента: 11643

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Шведов Сергей Васильевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66

Метки: выявления, прибора, глубоких, уровней, способ, полупроводникового, p-n-переходе

Текст:

...максимум, то делают вывод о присутствии дефектов с ГУ. Для каждого значения среднего токаопределяют по графику Т, при которой зависимостьдостигает максимума. Для каждой пары ближайших значений средних токов 1,2 и соответствующих им температур 1 и Т 2 вычисляют энергию термической ионизации ГУпо формуле (1). Вычисляют среднее арифметическое значениевсех полученных таким образом величин , которое и является наиболее вероятным значением...

Номер патента: 11098

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: отбраковки, диодов, кремниевых, стойкости, радиационной, высоковольтных, способ, полупроводниковых

Текст:

...стойкость кремниевых диодов обычно определяется устойчивыми изменениями на прямой ветви вольтамперной характеристики, обусловленными радиационными эффектами смещений в кристалле кремния. Однако в ряде случаев радиационная стойкость кремниевых диодов может определяться изменениями на обратной 2 11098 1 2008.08.30 ветви вольтамперной характеристики, обусловленными поверхностными радиационными эффектами, наступающими даже при малых дозах...

Номер патента: 10818

Опубликовано: 30.06.2008

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: определения, структуры, ионного, полупроводниковой, способ, дозы, легирования

Текст:

...см-3 и 1,041019 см-3 3, 10, т.е. все функции 11, 12, 13 описывают реакцию невырожденногона ионное облучение. Резистивный 1 и переходный 4 слои могут быть получены любым традиционным способом - эпитаксия осаждение поликристаллического полупроводника с одновременным или последующим его легированием до уровня не ниже (2-3)10 см-3 ионная имплантация. В последнем случае структура -(-) не имеет резкой границы, которая тогда условно...

Номер патента: 10215

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Пономарь Владимир Николаевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01L 1/25, H01L 21/66

Метки: кремниевой, пленка sio2–подложка si, структуре, напряжений, контроля, способ, механических

Текст:

...плотность интерференционных линий вне зависимости от ориентации сторон сосредоточена в углах окна. В случае круглого окна в каждой его точке создаются равные условия формирования интерференционной картины, зависящие только от действительных значений напряжений в данном азимутальном направлении. Выбор радиального направления для определения относительного удлинения отделенной от подложки пленки обусловлен тем, что только это удлинение...

Номер патента: 10214

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Сенько Сергей Федорович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66, G01B 11/30...

Метки: поверхности, изделия, качества, способ, контроля

Текст:

...областью в виде квадратного фрагмента размером . Фактический диаметр изображения всей поверхности пластины составляет 200 мм (1000 мм, т.е./2), фактический размер изображения фрагмента, т.е.40 мм (примечание в данном случае при печати все размеры несколько уменьшены). На фиг. 3 приведен упомянутый выделенный фрагмент изображения поверхности пластины с разделением его на четыре равных элемента размером , с усреднением яркости изображения...

Номер патента: 10213

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, H01L 21/66...

Метки: способ, контроля, качества, изделия, поверхности

Текст:

...таких поверхностей лучшую планаризацию. Материалы разных слоев покрытия также могут быть разными. Шероховатость поверхностей, используемых в изделиях микроэлектроники, оптики,точного машиностроения и др. областей науки и техники, где наличие дефектов поверхности является одним из показателей ее качества, соответствует преимущественно 6-14 классам. Поверхности 13-го и 14-го класса шероховатости являются зеркальными. Для контроля их качества...

Номер патента: 10299

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Комаров Борис Анатольевич, Мурин Леонид Иванович

МПК: G01L 27/00, H01L 21/66

Метки: глубоких, p+-n-структурах, уровней, концентрации, кремниевых, железа, способ, методом, емкостной, определения, спектроскопии

Текст:

...неразрушающего контроля к промышленным диффузионным переходам, в особенности к кремнию -типа. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения концентрации железа в кремниевых рструктурах методом емкостной спектроскопии глубоких уровней кремниевые рструктуры облучают при комнатной температуре высокоэнергетическими частицами с энергиями частиц больше граничной энергии для образования пар Френкеля в кремнии и такой дозой,...

Номер патента: 10133

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: радиационной, полупроводниковых, отбраковки, стойкости, основе, способ, приборов, кремния

Текст:

...полученном одним и тем же способом, может существенно различаться. Так, в тянутом кремнии, выращенном методом Чохральского и являющемся базовым материалом большинства диодов, транзисторов и тиристоров средней мощности,концентрация кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной...

Номер патента: 9545

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Сенько Александр Сергеевич, Емельянов Антон Викторович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: контроля, способ, поверхности, качества, изделий

Текст:

...оптического диапазона от точечного источника и анализ отраженного на экран светотеневого изображения 4.При Контроле поверхности согласно способу-прототипу свет от точечного источника направляют на контролируемую поверхность, а отраженный световой поток - на экран. Наличие дефектов поверхности приводит К локальному изменению угла отражения падающего света, что проявляется в изменении интенсивности освещения соответствующих этим дефектам...

Номер патента: 9672

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Письменов Александр Владимирович, Бублей Сергей Евгеньевич, Скубилин Михаил Демьянович

МПК: G01J 5/58, H01L 21/66

Метки: пирометр

Текст:

...на частоте модуляции, выделение переменной состав ВУ 9672 С 1 200741830ляющей, регистрацию излучения под углом от нормали К поверхности излучения, равным главному углу падения луча, и выделение в детектируемом сигнале разности ортогонально поляризованных компонент излучения, по которой определяется температура поверхности объекта.Недостатки известного пирометра - необходимость модуляции излучения и выделения переменной составляющей...

Номер патента: 9319

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Сенько Александр Сергеевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01N 21/88, G01B 9/00, G01B 11/30...

Метки: устройство, поверхности, изделий, контроля, качества

Текст:

...Направление отраженного света обусловлено всевозможной пространственной ориентацией граней, приводя к диффузному отражению, т.е. рассеянию света. При больщих углах падения света часть граней неровностей попадает в область тени соседних неровностей поверхности.При этом освещается только часть граней неровностей поверхности, находящаяся вне тени И обращенная К источнику света. При дальнейшем увеличении угла падения света освещается все...

Номер патента: 9318

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: способ, качества, контроля, изделий, поверхности

Текст:

...размер проекции микронеровностей на волновой фронтисточника излучения уменьшается пропорционально косинусу угла падения. При некотором достаточно большом угле этот размер становится меньше четверти длины волны, что приводит К возникновению зеркальной Компоненты в отраженном световом потоке.Совокупность рассмотренных факторов позволяет получить псевдозеркальную компоненту отраженного света, обеспечивающую формирование изображения контролируемой...

Номер патента: 9323

Опубликовано: 30.06.2007

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/66, H01L 21/02...

Метки: способ, дозиметрии, четырехзондовой, имплантации, ионной

Текст:

...концентрация основных носителей заряда о(х) постоянна по глубине х резистивного слоя 1 или модуль ее приведенного безразмерного градиента/1 при любом х, на точности косвенного измерения дозы по калибровочной кривой может негативно сказаться технологическая неоднородность / толщины выращенного резистивного слоя 1 в различных точках его поверхности. В случае о(х), известное выражение для ПС легированных полупроводниковых слоев 5 т.е....

Номер патента: 8857

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Киселев Владимир Иосифович, Пшенко Анатолий Николаевич

МПК: H01L 21/66

Метки: имплантированной, полупроводниковой, ионов, способ, структуре, измерения, дозы

Текст:

...и масс-спектрального рабочего диапазона.Поставленная задача достигается тем, что в способе измерения имплантированной дозы ионов в полупроводниковой структуре, включающем формирование на полупроводни шахковой подложке тестового элемента полевого типа, содержащего Контактные площадки истока И стока для зондовь 1 х измерений электрофизической характеристики тестового элемента в зависимости от приложенного К нему электрического...

Номер патента: 8716

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Александр Сергеевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, H01L 21/66...

Метки: способ, изделий, поверхности, качества, контроля

Текст:

...несовершенства поверхности, являющиеся важным показателем качества контролируемых поверхностей. Они приводят к диффузному рассеянию света и не могут быть идентифицированы.В результате при использовании способа-прототипа контроль качества поверхности в ряде случаев оказывается недостаточно объективным. Причиной этого является недостаточно высокое качество получаемой светотеневой Картины, обусловленное наложением зеркально и диффузно...

Номер патента: 8675

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: поверхности, изделий, качества, контроля, устройство

Текст:

...возможностей устройства за счет пространственного разделения оптических компонент, формирующих изображение контролируемой поверхности.Поставленная задача решается тем, что устройство для контроля качества поверхности изделий, включающее точечный источник оптического излучения, держатель образцов И экран, между источником Излучения И держателем образцов содержит подвижный трафарет, отверстие в котором обеспечивает освещение...

Номер патента: 8342

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Сенько Александр Сергеевич, Пуглаченко Елена Георгиевна, Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: G01B 11/30, H01L 21/66, G01N 21/88...

Метки: способ, качества, поверхностей, контроля, изделий

Текст:

...ямок и бугорков различных размеров и форм. Наличие ямки приводит к фокусировке отраженного света, что на топограмме проявляется в появлении более светлого, по сравнению со средней освещенностью топограммы, пятна. Наличие бугорка, наоборот, приводит к расфокусировке света, что проявляется в появлении на топограмме темного пятна. Интенсивность освещения любой точки на экране отражает локальную кривизну контролируемой поверхности в...

Номер патента: 7255

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Александр Сергеевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30

Метки: устройство, изделий, контроля, поверхности, качества

Текст:

...приведенной на фиг. 3, показано заявляемое устройство, включающее точечный источник света, помещенный в корпус 1, внутри которого установлено выпуклое зеркало. Источник света питается от блока питания 2, установленного вне рабочей зоны контроля. Свет от точечного источника после отражения от выпуклого зеркала попадает на предметный столик 3 с установленной на нем контролируемой пластиной. Отраженный пучок света направляется на экран...

Номер патента: U 2035

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Пась Николай Сергеевич, Баршай Федор Петрович, Панков Александр Демидович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: сортировщик, гравитационный

Текст:

...размещена на продолжении линии хорды участка зацепления сектора, а центр делительной окружности совмещен с центром поворота рычага, позволяет обеспечить беззазорное зацепление и уменьшить погрешность совмещения выхода гибкой части трека со входами каналов сортировки. На фиг. 1 показана полезная модель - гравитационный сортировщик, вид со стороны пульта управления на фиг. 2 - то же, проекция на наклонную плоскость. На фиг. 3, 4, 5...

Номер патента: 6374

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: H01L 21/66

Метки: контроля, изделий, способ, качества, поверхности

Текст:

...разрешающей способности, глубины резкости, размеров и яркости изображения. 3 6374 1 Поставленная задача решается тем, что в способе контроля качества поверхности изделий путем наблюдения на экране изображения поверхности, полученного отражением света от контролируемого изделия, освещенного точечным источником, освещение проводят расходящимся пучком света. Сущность заявляемого способа заключается в формировании изображения контролируемой...