H01L 29/80 — с полевым эффектом, создаваемым при помощи управляющего p-n перехода или другого выпрямляющего перехода

Номер патента: 7431

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Уткина Елена Апполинарьевна, Воробьева Алла Ильинична, Сокол Виталий Александрович

МПК: H01L 21/28, H01L 29/80

Метки: активный, элемент, трехэлектродный, изготовления, способ

Текст:

...управляющей сетки и матрицы изолирующего материала. Фиг. 11 показывает схему переноса электронов в отдельном канале (а) и диаграмму отбора электронов в канале по импульсу (б) при различных управляющих напряжениях на сетке. На чертежах приняты следующие обозначения 1 - подложка 2 - слой истока- 1-й уровень 3 - слой Та 4 - матрица пористого анодного оксида алюминия 23 5 - слой 25 6 - квазипроводящие каналы со множеством столбиков (25 или 25) 7 -...

Номер патента: 1267

Опубликовано: 16.09.1996

Авторы: Дворников О. В., Просандеев Д. Е., Володкевич А. А.

МПК: H01L 29/80

Метки: транзистора, переходом, полевого, включения, способ, управляющим

Текст:

...смещения, прилагаемую к истоку,выбирают из условия обеспечения смещения перехода затвореисток в прямом направлении при удовлетворении соотношения абсолютных значешай падений напряжения на переходах затворсток и затвор-исток условиюАПЗШАПЗС - падение напряжения на переходах затвор-исток, затвор-сток по абсолютной величине, Вш - безразмерный фактор, характеризующий отклонение вольтамперных характеристик от идеальной, 0,5 ш 2,5Изобретение...