Патенты с меткой «микросхем»

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/311

Метки: кремния, изготовлении, микросхем, реставрации, пленкой, способ, интегральных, пластин, поликристаллического

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Колос Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 21/44, B08B 7/00

Метки: микросхем, производства, пленки, способ, титана, интегральных, формирования, силицида

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Номер патента: 17503

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: B08B 3/12, H01L 21/02

Метки: контактных, изготовлении, интегральных, микросхем, способ, полимера, окнах, удаления

Текст:

...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Сенько Сергей Федорович, Алиева Наталья Васильевна, Емельянов Виктор Андреевич, Хмыль Александр Александрович, Емельянов Антон Викторович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 29/94

Метки: конденсатор, интегральных, микросхем

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Номер патента: 14648

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Ходарина Людмила Петровна

МПК: C22C 28/00, H01C 7/00

Метки: материал, микросхем, элементов, тонкопленочных, интегральных, резистивных

Текст:

...изобретения заключается в том, что заявляемому материалу для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем, содержащему хром, кобальт и кремний, вышеуказанный технический результат обеспечивается тем, что материал дополнительно содержит лантан при следующем соотношении компонентов,мас.хром - 8-12 кобальт - 5-9 кремний - 55-69 лантан - 18-24. В предлагаемом изобретении приемлемые для изготовления мишеней магнетронных...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: интегральных, микросхем, изготовлении, полупроводниковых, приборов, диффузии, источников, твердых, бора, способ

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: изготовлении, остатков, интегральных, полимерных, металло-кремнийорганических, удаления, состав, микросхем, кремниевых

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Номер патента: 9129

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Малый Игорь Васильевич, Карпов Иван Николаевич

МПК: H01L 29/92, H01L 29/94

Метки: интегральных, конденсатор, микросхем

Текст:

...защиты второго слоя конденсаторного диэлектрика на границе обкладки из легированного поликристаллического кремния, что обеспечивает дополнительную возможность использовать легированный слой поликристаллического кремния в качестве разводки. Кроме того, легированный слой поликристаллического кремния выполнен кристаллитным по толщине, где 2-4. У данного слоя легированного поликристаллического кремния и нижняя, и верхняя поверхности...

Номер патента: 9018

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Войтех Сергей Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 29/94, H01L 29/92

Метки: интегральных, конденсатор, микросхем

Текст:

...и верхняя обкладка конденсатора сформированы из алюминия или его сплавов, а слой легированного поликристаллического кремния выполнен в виде буферного слоя толщиной 0,07-0,35 мкм, нанесенного на слой конденсаторного диэлектрика.Решение поставленной задачи обеспечивается следующим образом. Введение второго сильнолегированного скрытого слоя первого типа проводимости обеспечивает гарантированное разделение областей и уменьшение боковых...

Номер патента: 6943

Опубликовано: 30.03.2005

Авторы: Прудник Александр Михайлович, Болдышева Ирина Петровна, Лыньков Леонид Михайлович

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, способ, микросхем, изготовления, интегральных, межкомпонентной

Текст:

...степень интеграции компонентов ИМС.Так, с разрешающей способностью литографии 3,6 мкм по цирконию, после операции гидрирования металла, толщиной 1 мкм зазор получается равным 1 мкм, что дает вь 1 игрь 1 ш 3 мкм на каждой разделительной канавке.Способ позволяет повысить степень интеграции компонентов интегральных схем, а также существенно снизить температуру обработки металла.На фиг. 1 (а-е) изображены отдельные этапы технологического процесса...

Номер патента: 4524

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Бакуменко Валерий Иванович, Попов Юрий Петрович

МПК: G01R 31/28

Метки: микросхем, отбраковки, способ

Текст:

...управляющий сигнал для источника питания 5, под которого источник 5 плавно изменяет напряжение питания МСв сторону уменьшения, за пределы установленного в технических условиях рабочего диапазона. При этом устройство управления 4 фиксирует первое значение напряжения питания 1, при котором имеет место первое несовпадение считанной информации с эталоном. Номер отказавшей тестовой последовательности (далее - теста) не запоминается. Далее...

Номер патента: 240

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Лабунов В. А., Михайлова Л. Н., Ерема В. В., Захарчук А. С., Дударчик А. И., Сурганов В. Ф., Попов Ю. П., Мозалев А. М.

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, микросхем, изготовления, способ, интегральных

Текст:

...масок из 130 НМ И 160 НМ ПРИ ПОМОЩИ Ф 0 Т 0 ЛИТ 0вспомогательной пленки ВМ и недопус- графин ФОПМИРОБЭЛИ МЗСКУ ИЗ Фоторетимое возрастание непланарности ме ЗИСТЭ На Участках контактных окон и таллизации Нижняя граница диапазона Га 3 хМЧеСК Удаляли ОТКРЫТЫЕ к предотвращает при плотном аноди 10 участки защитной пленки ВН. После ровании сквозное электрохимическое снятия ФОТОРЕЗИСТЭ ПРОБОДИПИ-СКВОЗНОВ прокисление защитной пленки ВМ. При...