Патенты с меткой «микросхем»
Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем
Номер патента: 18443
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна
МПК: H01L 21/311
Метки: интегральных, изготовлении, кремния, реставрации, микросхем, поликристаллического, пластин, способ, пленкой
Текст:
...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....
Способ формирования пленки силицида титана для производства интегральных микросхем
Номер патента: 17953
Опубликовано: 28.02.2014
Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Колос Владимир Владимирович, Трусов Виктор Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: B08B 7/00, H01L 21/44
Метки: формирования, интегральных, пленки, производства, микросхем, способ, силицида, титана
Текст:
...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...
Способ удаления полимера в контактных окнах при изготовлении интегральных микросхем
Номер патента: 17503
Опубликовано: 30.08.2013
Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна
МПК: B08B 3/12, H01L 21/02
Метки: удаления, окнах, изготовлении, полимера, контактных, микросхем, способ, интегральных
Текст:
...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...
Конденсатор для интегральных микросхем
Номер патента: U 9178
Опубликовано: 30.04.2013
Авторы: Хмыль Александр Александрович, Емельянов Антон Викторович, Трусов Виктор Леонидович, Сенько Сергей Федорович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Алиева Наталья Васильевна, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 29/94
Метки: интегральных, конденсатор, микросхем
Текст:
...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...
Материал для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем
Номер патента: 14648
Опубликовано: 30.08.2011
Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Ходарина Людмила Петровна
МПК: H01C 7/00, C22C 28/00
Метки: элементов, микросхем, интегральных, резистивных, тонкопленочных, материал
Текст:
...изобретения заключается в том, что заявляемому материалу для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем, содержащему хром, кобальт и кремний, вышеуказанный технический результат обеспечивается тем, что материал дополнительно содержит лантан при следующем соотношении компонентов,мас.хром - 8-12 кобальт - 5-9 кремний - 55-69 лантан - 18-24. В предлагаемом изобретении приемлемые для изготовления мишеней магнетронных...
Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Номер патента: 10529
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 21/02
Метки: источников, полупроводниковых, диффузии, приборов, бора, интегральных, микросхем, изготовлении, твердых, способ
Текст:
...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...
Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем
Номер патента: 9536
Опубликовано: 30.08.2007
Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович
МПК: C11D 7/60, H01L 21/70
Метки: металло-кремнийорганических, состав, удаления, изготовлении, остатков, кремниевых, интегральных, микросхем, полимерных
Текст:
...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...
Конденсатор для интегральных микросхем
Номер патента: 9129
Опубликовано: 30.04.2007
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Карпов Иван Николаевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Малый Игорь Васильевич
МПК: H01L 29/92, H01L 29/94
Метки: микросхем, интегральных, конденсатор
Текст:
...защиты второго слоя конденсаторного диэлектрика на границе обкладки из легированного поликристаллического кремния, что обеспечивает дополнительную возможность использовать легированный слой поликристаллического кремния в качестве разводки. Кроме того, легированный слой поликристаллического кремния выполнен кристаллитным по толщине, где 2-4. У данного слоя легированного поликристаллического кремния и нижняя, и верхняя поверхности...
Конденсатор для интегральных микросхем
Номер патента: 9018
Опубликовано: 28.02.2007
Авторы: Дудкин Александр Иванович, Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович, Войтех Сергей Николаевич, Ануфриев Леонид Петрович
МПК: H01L 29/94, H01L 29/92
Метки: конденсатор, интегральных, микросхем
Текст:
...и верхняя обкладка конденсатора сформированы из алюминия или его сплавов, а слой легированного поликристаллического кремния выполнен в виде буферного слоя толщиной 0,07-0,35 мкм, нанесенного на слой конденсаторного диэлектрика.Решение поставленной задачи обеспечивается следующим образом. Введение второго сильнолегированного скрытого слоя первого типа проводимости обеспечивает гарантированное разделение областей и уменьшение боковых...
Способ изготовления межкомпонентной изоляции интегральных микросхем
Номер патента: 6943
Опубликовано: 30.03.2005
Авторы: Лыньков Леонид Михайлович, Прудник Александр Михайлович, Болдышева Ирина Петровна
МПК: H01L 21/76
Метки: межкомпонентной, микросхем, интегральных, способ, изоляции, изготовления
Текст:
...степень интеграции компонентов ИМС.Так, с разрешающей способностью литографии 3,6 мкм по цирконию, после операции гидрирования металла, толщиной 1 мкм зазор получается равным 1 мкм, что дает вь 1 игрь 1 ш 3 мкм на каждой разделительной канавке.Способ позволяет повысить степень интеграции компонентов интегральных схем, а также существенно снизить температуру обработки металла.На фиг. 1 (а-е) изображены отдельные этапы технологического процесса...
Способ отбраковки микросхем
Номер патента: 4524
Опубликовано: 30.06.2002
Авторы: Попов Юрий Петрович, Бакуменко Валерий Иванович, Белоус Анатолий Иванович
МПК: G01R 31/28
Метки: отбраковки, микросхем, способ
Текст:
...управляющий сигнал для источника питания 5, под которого источник 5 плавно изменяет напряжение питания МСв сторону уменьшения, за пределы установленного в технических условиях рабочего диапазона. При этом устройство управления 4 фиксирует первое значение напряжения питания 1, при котором имеет место первое несовпадение считанной информации с эталоном. Номер отказавшей тестовой последовательности (далее - теста) не запоминается. Далее...
Способ изготовления металлизации интегральных микросхем
Номер патента: 240
Опубликовано: 30.12.1994
Авторы: Дударчик А. И., Мозалев А. М., Михайлова Л. Н., Захарчук А. С., Ерема В. В., Сурганов В. Ф., Лабунов В. А., Попов Ю. П.
МПК: H01L 21/28
Метки: интегральных, металлизации, изготовления, микросхем, способ
Текст:
...масок из 130 НМ И 160 НМ ПРИ ПОМОЩИ Ф 0 Т 0 ЛИТ 0вспомогательной пленки ВМ и недопус- графин ФОПМИРОБЭЛИ МЗСКУ ИЗ Фоторетимое возрастание непланарности ме ЗИСТЭ На Участках контактных окон и таллизации Нижняя граница диапазона Га 3 хМЧеСК Удаляли ОТКРЫТЫЕ к предотвращает при плотном аноди 10 участки защитной пленки ВН. После ровании сквозное электрохимическое снятия ФОТОРЕЗИСТЭ ПРОБОДИПИ-СКВОЗНОВ прокисление защитной пленки ВМ. При...