Патенты с меткой «схем»

Номер патента: U 8322

Опубликовано: 30.06.2012

Автор: Пернікаў Віктар Васільевіч

МПК: H02M 7/00

Метки: схем, сілкавання, баластам, блок, электронных, рэактыўным, сеткавы

Текст:

...атрыманне малапамернага сеткавага блока слкавання з рэактыным баластам, як трымлвае мнмум дэталей мнмальнай усталяванай магутнасцю дзеля слкавання ншых электронных схем у х складзе. Рэалзацыя дадзенай мэты дасягаецца тым, што ланцуг з паслядона спалучаных абмяжоваючага рэзстара, кандэнсатара рэактынага баластастаблтрона далучаецца непасрэдна да сеткавай напруг без выкарыстання выпрамнкавых дыда. Функцы аднапаперыяднага выпрамнка выконвае...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: схем, источников, изготовления, твердых, бора, планарных, создании, приборов, способ, полупроводниковых, интегральных

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Родин Георгий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/02

Метки: изготовлении, способ, микрорельефа, схем, интегральных, планаризации

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Кузик Сергей Владимирович, Бересневич Людмила Брониславовна, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Мойсейчук Константин Леонидович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, бора, приборов, интегральных, изготовлении, получения, схем, твердых, источников, композиция

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Номер патента: 11322

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Крутько Эльвира Тихоновна, Глоба Иван Иванович, Галиева Жаннета Николаевна, Глоба Анастасия Ивановна, Жарская Тамара Александровна

МПК: C08L 79/00

Метки: интегральных, композиция, защиты, полупроводниковых, схем, полиимидная, кристаллов, приборов

Текст:

...влияние на теплофизические характеристики покрытия, благодаря чему достигается меньшая разница между коэффициентами термического расширения материалов, из которых изготовлены функциональные элементы кристалла, и защитного покрытия, обеспечивая меньшую вероятность повреждения микроэлементов структуры по причине несогласованности этих характеристик. Экспериментально установлено, что эффект снижения усадки защитного покрытия и повышения выхода...

Номер патента: 10429

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, планарных, твердых, схем, полупроводниковых, источников, интегральных, создании, приборов, бора, изготовления

Текст:

...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Шильцев Владимир Викторович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: диффузии, схем, бора, интегральных, источник, изготовления, приборов, твердый, планарный, полупроводниковых

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...

Номер патента: 9021

Опубликовано: 30.04.2007

Автор: Безсчастный Василий Алексеевич

МПК: G05B 23/02

Метки: параметров, контроля, контрольных, схем, электронных, система, многофункциональных

Текст:

...8 сравнивается с заданным кодом, который хранится в памяти вычислителя 14 пульта 1. Если код из выхода блока 8 соответствует заданному значению кода с заданным допуском, то измерительные аналоговые каналы блока 8 являются исправными. А если значение двоичного кода из выхода блока 8 не соответствует заданному значению кода с заданным допуском, то измерительные аналоговые каналы блока 8 неисправны и система требует ремонта. Результаты...

Номер патента: 7756

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02, C23C 14/00, H01L 21/28...

Метки: изготовления, схем, интегральных, металлизации, системы, способ

Текст:

...процесс проводят после УФ-облучения фоторезиста в 0,9 растворе гидрооксида калия, применяемом для проявления фоторезиста. При этом по окончании удаления фоторезиста происходит контакт поверхности полиимидной пленки с раствором щелочи и протекает первая стадия гидролиза. Химическая реакция взаимодействия гидрооксида калия и полиимида представлена ниже Наличие на поверхности полиимидной пленки солей полиамидокислоты отрицательно...

Номер патента: 6430

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/26, H01L 21/268

Метки: схем, способ, изготовления, кремниевых, мдп, интегральных

Текст:

...чем клтр кремния, то в пленке нитрида кремния на границе с оксидом возникают еще большие механические напряжения, чем в кремнии. По этой причине основная часть загрязняющей примеси из кремния и оксида кремния переходит в нитрид кремния, который затем удаляется. Этот переход происходит при термообработке, каковой является операция локального окисления кремния. Таким образом, нитрид кремния является своеобразным встроенным геттером для...

Номер патента: 6429

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/76, H01L 21/316

Метки: изготовления, межкомпонентной, изоляции, кмдп, интегральных, способ, схем

Текст:

...счет снижения дефектности подложки в области изолирующего перехода и уровней механических напряжений в ней. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающем формирование областей карманов в кремниевой подложке, нанесение нитридной маски, подлегирование подложки с активизацией примеси путем термообработки в атмосфере инертного газа для получения - охранных областей,...

Номер патента: 5425

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: ФИЛИПС, Одри, ХОДГЕН, Гари Д.

МПК: C07K 5/00, A61P 5/24, A61K 38/00...

Метки: продолжительных, тонической, секреции, схем, яичников, лечения, эстрогена, восстановление

Текст:

...достаточной информации. Сейчас уже известно, что у разных людей в ответ на данную дозу антагонистаразличен не только уровень секреции эстрадиола, но и дозировка антагониста, которого достаточно, чтобы вызвать аменорею у субъекта, также различна для разных людей. Поэтому было выявлено,что определение дозировки должно сопровождаться титрованием дозы антагониста ,например, посредством применения теста на введение прогестерона. Соответственно,...

Номер патента: 3700

Опубликовано: 30.12.2000

Авторы: Юшкевич Геннадий Иосифович, Бордодынов Александр Петрович

МПК: H01L 21/308

Метки: полупроводниковых, способ, интегральных, изготовления, схем

Текст:

...слое вне областей вскрытия окон в защитном проводящем и изолирующем слоях. Таким образом, второй проводящий слой формируется не только на защитном проводящем слое и на полупроводниковом слое (во вскрытых контактных окнах), а и на тонком изолирующем слое во вскрытых во время дополнительной фотолитографии окнах. Введение дополнительной операции позволит обеспечить гарантированно надежное соединение элементов металлической разводки с...

Номер патента: 2823

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Чигирь Григорий Григорьевич, Пономарь Владимир Николаевич, Пилипенко Владимир Александрович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/324

Метки: схем, способ, интегральных, приборов, металлизации, полупроводниковых, создания

Текст:

...поверхности плнок алюминия после таких термообработок является практически отсутствие бугров и плнки остаются стабильными по структуре при проведении последующих операций фотолитографии высота бугров на плнках алюминия, измеренная на растровом электронном микроскопе после термообработки в предлагаемых режимах, проведения операций плазмохимического травления алюминия и удаление фоторезистора не превышает 0,10-0,15 мкм высота бугров на...

Номер патента: 2639

Опубликовано: 30.03.1999

Авторы: Цыбулько Игорь Александрович, Довнар Николай Александрович, Смаль Игорь Вацлавович, Турцевич Аркадий Степанович, Красницкий Василий Яковлевич

МПК: H01L 29/92, H01L 27/10

Метки: памяти, схем, конденсатор, элемента, накопительный, интегральных

Текст:

...3, разделительную область 4 из диэлектрического материала повторяющую рельеф первой обкладки, вторую обкладку 5 из легированного поликремния, нижняя поверхность которой повторяет рельеф первой. Работа накопительного конденсатора идентична работе типового однотранзисторного элемента памяти динамического запоминающего устройства. В техническом решении по изобретению получается канавка с несколькими проводящими перегородками, что позволяет не...

Номер патента: 2336

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Балбуцкий Сергей Васильевич, Сасновский Владимир Арестархович, Гайдук Сергей Иванович, Чаусов Виктор Николаевич

МПК: H01L 21/265

Метки: схем, р-п-р, горизонтальных, изготовления, способ, транзисторов, интегральных

Текст:

...и пленки двуокиси кремния СУМР ной толщиойсО 3 мкм. Методом ФОТОлитографии и травления пленки и слоя двуокиси кремния вскрыаются контактные отверстия к областям итеГР 8 ПЬ Ной схемы. Методом фотолитографии формируютфотореэнстнвную маску С Отверстием над областью контакта К КОЛ лектору прптранэистора. СЛУЖЗЩЕГО одновременно контактом к базовой Об 50ппантацией ионов фосфора с ЗНЕРГНЭЙ 30 кэВ и поверхностной концентрациейконтакта области базы...

Номер патента: 2335

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Костенко Евгений Михайлович, Воронин Сергей Иванович, Ершова Надежда Васильевна

МПК: H01L 21/82

Метки: кмдп-интегральных, низкопороговых, способ, изготовления, схем

Текст:

...окислением в сухом ЕС 1 при Т 100 ОС 0создают подзатворный окисел толщиной 400 А. Из графиков, поназанннх на фиг.1 и 2, видно, что при этом пороговые напряжения р-канального транзистора соспэплнт 0,7 В, пнанального транзистора 050 В. Затем наносят полпкремний И с помощью фотолито г графин формируют электродьтзатворов и первый уровень металли зации. Затем формируют межслоиннй диэлектрик и о помощью фотолитографии вскрывают отверстия к...