Патенты с меткой «травления»

Номер патента: 18444

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Цивако Алексей Александрович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02, B08B 3/02

Метки: удаления, фоторезиста, плазмохимического, способ, поликристаллического, кремния, после, травления

Текст:

...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: G05D 23/00, B08B 3/02, H01L 21/02...

Метки: кремния, полупроводниковых, пластин, травления, диоксида, аэрозольной, пленки, способ, очистке, химической

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Иванчиков Александр Эдуардович, Трусов Виктор Леонидович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/30

Метки: удаления, полимерных, кремниевых, полупроводниковых, после, плазмохимического, фоторезиста, травления, способ, загрязнений, пластин, поверхности, аэрозольного

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...

Номер патента: 13528

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Табулина Людмила Васильевна, Звонова Ольга Сергеевна, Баранов Игорь Ливерьевич, Русальская Тамара Георгиевна

МПК: C25F 3/00, H01L 21/02

Метки: кремниевой, травления, подложки, способ

Текст:

...0,5-1,14, 1,01,75 и 0,07-0,14 СВ-1017, и подключают ее к электрической цепи с плотностью протекающего через подложку анодного тока в интервале 50-75 мА/см 2. При анодной обработке в электролитических растворах, содержащих плавиковую кислоту, на поверхности кремниевой подложки протекают следующие реакции электрохимическая реакция образования бифторида кремния(1)22 е 22 химическое восстановление кремния из бифторида кремния(3) 4226...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02

Метки: состав, поликристаллического, травления, кремния, пленок

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Номер патента: 8580

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Кукреш Анна Брониславовна, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Лысюк Анатолий Александрович

МПК: H01L 21/306, C09K 13/08

Метки: диоксида, пленки, раствора, травления, кремния, способ, приготовления

Текст:

...слоты низкие и постоянно меняются, это приводит в известном способе приготовления раствора к низкой скорости травления пленки диоксида кремния и нестабильности скорости травления пленки диоксида кремния. В основу изобретения положена задача увеличения и стабилизации скорости травления пленки диоксида кремния. Сущность изобретения заключается в том, что способ приготовления раствора для травления пленки диоксида кремния включает смешивание...

Номер патента: 7368

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/308

Метки: анизотропного, ориентации, травления, травитель, кремния, 100

Текст:

...температуре. Процесс травления при этом растягивается во времени. А при концентрации более 10 , например 15 , заметно повышается скорость травления маскирующего оксида кремния, что приводит к ухудшению качества травления. Глицерин является пассивным компонентом травителя и не оказывает существенного влияния на скорость или направление химической реакции травления кремния. Его роль заключается в том, что он является средой, в которой...

Номер патента: 2125

Опубликовано: 30.06.1998

Авторы: Эрих МАР, Геральд Мареш

МПК: C23F 1/00, C23F 1/28

Метки: способ, высококачественной, стали, травления

Текст:

...другого типа, при котором при сохранении и даже возрастании эффекта достигаемого в соответствии с ранее предлагаемыми способами, одновременно сокращается продолжительность обработки. В соответствии с изобретением эта задача решается за счет того, что травлению с использованием нейтрального электролита предшествует обработка серной кислотой. При этом указанная обработка проводится при температуре 60-95 С, оптимально в диапазоне температур от...

Номер патента: 1032

Опубликовано: 14.03.1996

Автор: Апанович Леонтий Васильевич

МПК: C23F 1/26

Метки: тантала, раствор, травления

Текст:

...схем.Целью изобретения является улучшеПосле нанесении пленки тантала накремниевую подложку в установке вакуумного напыления плазменным распылением ее извлекают из установки. и на ппенкутантала наносят фоторезис-т. вскрывают контактные окна в нем. затем высушивают. В результате на поверхности пленки тантала в скрытых контактных окнах образуется тонкий слой оксида тантала.Известный раствор, содержащий фтористоводородную кислоту в смеси с...