Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 18059

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: полупроводниковых, кремнии, приборов, быстродействующих, ядерно-легированном, способ, изготовления, силовых

Текст:

...Задачей изобретения является увеличение процента выхода годных приборов за счет лучшего соотношения частотных и статических характеристик. Способ изготовления силовых и быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии, при котором полностью сформированные приборные структуры с переходами и контактами перед посадкой в корпуса облучают при температуре 340-360 С в течение времени 5-10 мин до флюенса 21014-31014 см-2....

Номер патента: 17712

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изоляция, приборов, диэлектрическая, полупроводниковых, межуровневая

Текст:

...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...

Номер патента: 17861

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Жавнерко Геннадий Константинович, Агабеков Владимир Енокович, Еремин Александр Николаевич

МПК: B82Y 15/00, C09K 11/54, B82Y 40/00...

Метки: нанокристаллов, поверхности, способ, медицине, точек, квантовых, модификации, использования, биологии, полупроводниковых

Текст:

...мМ 3 с 200 мМ ). Функционализированные квантовые точки , переведенные из обращенных мицелл АОТ в водную среду, при 5 17861 1 2013.12.30 естественном или искусственном освещении во времени увеличивают интенсивность флуоресценции, а их растворы характеризуются меньшей величиной светорассеяния. В процессе фотоактивации практически полностью восстанавливается флуоресценция квантовых точек , функционализированных БСА в обращенных мицеллах АОТ(фиг....

Номер патента: 17618

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Новиков Виктор Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: диэлектрической, изоляции, способ, полупроводниковых, приборов, межуровневой, изготовления

Текст:

...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...

Номер патента: 17457

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Желудкевич Александр Ларионович, Олехнович Николай Михайлович, Корзун Борис Васильевич, Пушкарев Анатолий Васильевич

МПК: H01L 31/18, C30B 29/46

Метки: растворов, твердых, способ, получения, полупроводниковых

Текст:

...твердых растворов на основе тройных соединений 2 и 2 заключается в следующем. Вначале подготавливают шихту заданного состава с 00,15 из предварительно полученных тройных соединений 2 и 2. Шихту гомогенизируют в шаровой мельнице. После этого шихту запрессовывают в таблетки, помещают в камеру высокого давления и подвергают термобарической обработке в течение 3-20 мин при давлении 4-6 ГПа и температуре 9701270 . Далее таблетки извлекают из...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02, G05D 23/00, B08B 3/02...

Метки: способ, химической, диоксида, пластин, очистке, аэрозольной, пленки, полупроводниковых, кремния, травления

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Бондаренко Виталий Парфирович, Чубенко Евгений Борисович, Клышко Алексей Александрович

МПК: C30B 29/10, C25D 9/08, H01L 21/02...

Метки: или, групп, aіvbvі, монокристаллического, бинарных, формирования, полупроводниковых, подложках, aііbvі, способ, пленок, кремния, соединений

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Номер патента: U 8931

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Соколов Юрий Валентинович, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Багаев Сергей Игоревич, Паршуто Александр Александрович, Томило Вячеслав Анатольевич, Поболь Игорь Леонидович, Паршуто Александр Эрнстович

МПК: C09D 163/00, H05K 3/28

Метки: полупроводниковых, металлокомпозиционной, заготовки, приборов, плат, конструкция

Текст:

...фракционного состава гранул 7 нитрида алюминия более 6000 нм сопровождается тем, что большие гранулы, как показывает эксперимент, имеют низкий коэффициент заращивания, т.е. не происходит их обволакивания матричным материалом пористого макрослоя 3 оксида пористого в процессе формирования композита макрослой 3 оксида пористого - гранулы 7 нитрида алюминия. Формирование композита при этом сопровождается возникновением дефектов...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/30

Метки: аэрозольного, плазмохимического, фоторезиста, полимерных, удаления, загрязнений, поверхности, кремниевых, пластин, после, полупроводниковых, способ, травления

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...

Номер патента: 16480

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: B08B 3/08, H01L 21/44

Метки: пластин, алюминия, основе, разводкой, очистки, полупроводниковых, струйной, поверхности, способ, металлизированной, кремниевых

Текст:

...водой в течение менее 60 с при скорости вращения менее 50 об./мин поверхность недостаточно гидрофилизируется, что приводит к подтраву поверхности алюминия и снижениювыхода ИМС. При предварительной обработке пластин деионизированной водой в течение более 180 секунд и скорости более 150 об./мин наблюдается коррозия алюминия и выход годных снижается. Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2, где на фиг. 1 представлено значительное и...

Номер патента: 16495

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Якубовская Светлана Владимировна, Олехнович Олег Николаевич, Кузей Анатолий Михайлович, Бабаскина Светлана Юрьевна, Корбит Александр Анатольевич

МПК: C09G 1/02

Метки: алмазная, полирования, паста, полупроводниковых, материалов

Текст:

...Это обусловливает воспроизводимость эксплуатационных свойств алмазной пасты,высокую абразивную способность и высокое качество обработанной поверхности. Сущность способа поясняют примеры конкретного выполнения. Пример 1 (по прототипу) Нагревают жидкий синтанол в количестве 58,0 вес.до 40-50 С, смешивают с зернами абразива АСМ 10/7 (10,0 вес. ), после чего при перемешивании прибавляют жидкий циклимид в количестве 3,0 вес.и предварительно...

Номер патента: U 8388

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Новиков Виктор Александрович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: диэлектрическая, межуровневая, приборов, полупроводниковых, изоляция

Текст:

...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...

Номер патента: U 8380

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Паршуто Александр Эрнстович, Паршуто Александр Александрович, Поболь Игорь Леонидович, Томило Вячеслав Анатольевич, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Багаев Сергей Игоревич, Соколов Юрий Валентинович

МПК: H05K 1/00, H05K 3/28

Метки: полупроводниковых, приборов, платы, конструкция

Текст:

...основание 1 выполнено из алюминиевых сплавов с высокой теплопроводностью, а в качестве диэлектрического материала на одной поверхности или на всей поверхности основания 1, для улучшения адгезии и диэлектрической проницаемости, размещен инициирующий нанослой 2 плотного оксида алюминия 23 толщиной 10-200 нм, на котором размещен макрослой 3 пористого оксида алюминия 23 толщиной 20-80 мкм. На макрослое 3 пористого оксида алюминия для улучшения...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, изготовления, твердых, схем, бора, приборов, планарных, источников, интегральных, создании, полупроводниковых

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Номер патента: 15745

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерирующее, кремниевых, покрытие, полупроводниковых, пластин

Текст:

...еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 2,5 нм до значений не более...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/28

Метки: удаления, системы, полупроводниковых, изготовлении, металлизации, фоторезиста, состав, приборов

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Номер патента: 15742

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/28

Метки: системы, приборов, полупроводниковых, металлизации, изготовления, способ

Текст:

...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: радиационной, приборов, приборных, структур, изготовлении, обработки, способ, быстродействующих, полупроводниковых

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Номер патента: 15747

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: 001, формирования, кремниевых, покрытия, способ, функционального, полупроводниковых, ориентации, пластин

Текст:

...по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков слоя 34 по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию...

Номер патента: 15753

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: кремниевых, функционального, формирования, ориентации, способ, полупроводниковых, покрытия, пластин, 001

Текст:

...в качестве первичного элемента островка и соответственно островка в случае выбора окна) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е....

Номер патента: 15599

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: изготовления, 001, полупроводниковых, способ, пластин, кремния, ориентации

Текст:

...с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей...

Номер патента: 15593

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: изготовления, 001, пластин, ориентации, кремния, способ, полупроводниковых

Текст:

...упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь...

Номер патента: 15592

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 001, ориентации, пластин, способ, изготовления, полупроводниковых, кремния

Текст:

...центральной части на диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым уровнем формирования элементов рисунка возникает все новый уровень дислокационной структуры. Одновременное наличие элементов рисунка различного размера и фрактальный характер их...

Номер патента: 15321

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 16/22

Метки: кремниевых, формирования, полупроводниковых, покрытия, геттерирующего, пластин, способ

Текст:

...перед нанесением слоя поликристаллического кремния дополнительно проводят осаждение пленки гидрогенизированного аморфного кремния толщиной 10-100 нм а также тем, что осаждение пленок гидрогенизированного аморфного кремния и слоя поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с...

Номер патента: 15320

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 14/34

Метки: способ, изготовления, пластин, полупроводниковых, кремния

Текст:

...для эпитаксиальной рекристаллизации поликристаллического кремния (поли-). В то же время они не являются барьером для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера, поскольку имеют одинаковую с ними химическую природу - неконтролируемые примеси существуют в кремнии преимущественно в виде силицидов. Выбор из всей совокупности силицидов именно силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются...

Номер патента: 15319

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 8/02

Метки: изготовления, способ, полупроводниковых, кремния, пластин

Текст:

...в течение 30-150 с, далее в плазме аргона в течение 10-60 с, а затем в плазме кислорода в течение времени, необходимого для получения пленки требуемой толщины. Сущность заявляемого технического решения заключается в полном удалении оксида кремния, образовавшегося в результате проведения химобработки и при хранении пластин на воздухе, и последующем окислении чистой поверхности кремния в плазме кислорода. Процессы химической отмывки...

Номер патента: 15476

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: пластин, полупроводниковых, кремниевых, формирования, функционального, покрытия, способ, ориентации, 001

Текст:

...в 3 раза меньше размеров первичных элементов, глубина проникновения генерируемых ими 5 15476 1 2012.02.28 дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность таких вновь образованных окон в нитриде кремния (или островков диоксида кремния, что то же самое) можно рассматривать как...

Номер патента: 15475

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: формирования, функционального, пластин, полупроводниковых, покрытия, кремниевых, ориентации, 001, способ

Текст:

...и 2) с размером сторонына 9 равных частей квадратной формы и замена центральной части на контрастную по отношению к данному элементу приводят к возникновению нового элемента (34 в случае выбора в качестве первичного элемента 2 и, соответственно, 2 в случае выбора 34) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение но 5 15475 1 2012.02.28...

Номер патента: 15474

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: ориентации, 001, функциональное, кремниевых, полупроводниковых, покрытие, пластин

Текст:

...равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно...

Номер патента: 15473

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: кремниевых, функциональное, полупроводниковых, ориентации, покрытие, пластин, 001

Текст:

...второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения,...

Номер патента: 15463

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: ориентации, пластин, кремниевых, полупроводниковых, функциональное, покрытие, 001

Текст:

...на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных окон и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом формирования элементов покрытия возникает все новый уровень дислокационной структуры. Фрактальный характер рисунка в слое 34 обеспечивает...

Номер патента: 15470

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: функциональное, ориентации, 001, покрытие, пластин, кремниевых, полупроводниковых

Текст:

...разделение оставшихся восьми частей островков слоя 34 по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и замена центральной части на дополнительный диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом формирования элементов...

Номер патента: 15464

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, полупроводниковых, пластин, 001, способ, ориентации, кремния

Текст:

...образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения...

Номер патента: 15120

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Шелег Александр Устинович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C30B 23/06, C01G 28/00, C30B 29/10...

Метки: материалов, полупроводниковых, гетероструктуры, основе, способ, получения

Текст:

...в однотемпературную печь сопротивления, температура в которой контролируется регулятором температуры (РИФ-101). Процесс взаимодействия компонентов проводят при температурах 1070-1080 в течение 120-150 часов. Затем печь выключают и извлекают слиток. Однофазность твердых растворов (1-)3(1-) подтверждена рентгенофазовым анализом (ДРОН-3). На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа твердого раствора состава(0,060,94)3(0,80,2)2. На...

Номер патента: 15080

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевых, покрытие, ориентации, пластин, функциональное, 111, полупроводниковых

Текст:

...формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении первичных элементов покрытия на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором...

Номер патента: 15079

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: покрытие, функциональное, пластин, 111, кремниевых, полупроводниковых, ориентации

Текст:

...совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основа 5 15079 1 2011.12.30 нию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е....

Номер патента: 15075

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, пластин, изготовления, способ, полупроводниковых, кремния, ориентации

Текст:

...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы 5 15075 1 2011.12.30 меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше...

Номер патента: 15192

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, полупроводниковых, кремния, способ, 111, ориентации, изготовления

Текст:

...первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно,что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит...

Номер патента: 15191

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: формирования, полупроводниковых, способ, 111, пластинах, покрытия, кремниевых, ориентации, функционального

Текст:

...основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в покрытии. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование...

Номер патента: 15074

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: способ, изготовления, пластин, ориентации, кремния, полупроводниковых, 111

Текст:

...что то же самое, при соблюдении заявляемой ориентации углов элементов) кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элемента, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...