Патенты с меткой «тонкопленочной»
Способ получения солнечных элементов на основе тонкопленочной структуры CdS/SnS
Номер патента: 15451
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Иванов Василий Алексеевич, Унучек Денис Николаевич, Башкиров Семен Александрович
МПК: C23C 28/00, H01L 31/18, C30B 29/46...
Метки: структуры, солнечных, способ, получения, элементов, тонкопленочной, основе
Текст:
...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...
Способ получения тонкопленочной резисторной структуры
Номер патента: 14221
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Грицкевич Ростислав Николаевич, Горбачук Николай Иванович, Шпак Екатерина Петровна, Поклонский Николай Александрович
МПК: C23C 16/22, H01C 17/075
Метки: способ, тонкопленочной, резисторной, получения, структуры
Текст:
...за счет химического взаимодействия с ними. Указанный диапазон энергий ионов, не вызывая заметного распыления указанной пленки, приводит к трансформации ее поверхностного слоя в электропроводящую углеродную фазу. Так как при этом снижение твердости углеродных пленок не наблюдается,то это указывает на то, что состояние их модифицированной поверхности после ионной бомбардировки является промежуточным между аморфной исходной алмазоподобной...
Способ изготовления резистивно-коммутационной тонкопленочной интегральной микросхемы
Номер патента: 6613
Опубликовано: 30.12.2004
Авторы: Воробьева Алла Ильинична, Уткина Елена Апполинарьевна, Сокол Виталий Александрович
МПК: H01L 49/02
Метки: резистивно-коммутационной, интегральной, изготовления, тонкопленочной, микросхемы, способ
Текст:
...в слое. Затем формируют дорожки межсоединений последующих уровней металлизации повторением операций осаждения пленки А, маскирования и анодного оксидирования. Это дает возможность получения резисторов с широким диапазоном номиналов от(1050)Ом до 100 Мом и ТКС (10-4104). Так как тонкопленочные резисторы изготавливаются на планарной поверхности подложки, они имеют высокую точность номиналов из-за значительного упрощения технологического...