H01L 21/60 — присоединение проводов или других электропроводящих элементов, используемых для подвода или отвода тока в процессе работы прибора

Номер патента: 8858

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Кавунов Андрей Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/482, H01L 23/48, H01L 21/60...

Метки: металлизация, прибора, полупроводникового

Текст:

...полупроводникового прибора.Адгезионный слой титана толщиной (0,07-0,15) мкм служит для улучшения адгезии слоя никеля или никеля с ванадием к буферному слою алюминия или его сплава, вовторь 1 х, структура А 1/Т 1 устойчива к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения А 1 Т 13. Интерметаллическое соединение А 1 Т 13 образуется на границе раздела алюминий - титан во время присоединения кремниевого...

Номер патента: 8887

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Портнов Лев Яковлевич, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/48, H01L 23/482, H01L 21/60...

Метки: металлизация, прибора, полупроводникового

Текст:

...(О,1-1,О) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационного хранения пластин, а также первичное смачивание поверхности кристаллодержателя во время присоединения кремниевого кристалла. Верхний слой олова толщиной менее 0,1 мкм не обеспечивает достаточной защиты от окисления нижележащего слоя свинца, что приводит к ухудшению смачиваемости кристаллодержателя при посадке и снижению качества монтажа...

Номер патента: 8885

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Зубович Анатолий Николаевич, Тарасиков Михаил Васильевич

МПК: H01L 21/60, H01L 21/58

Метки: способ, полупроводникового, кристаллодержателю, прибора, кристалла, присоединения, кремниевого

Текст:

...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...

Номер патента: 8759

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/58, H01L 21/60

Метки: кристалла, присоединения, кремниевого, полупроводникового, прибора, способ, кристаллодержателю

Текст:

...требований технологического процесса сборки. С другой стороны, для получения качественного присоединения кристалла к кристаллодержателю полупроводникового при ВУ 8759 С 12006.12.30бора И достижения высокого выхода годных приборов необходимо обеспечить полное и равномерное растекание припоя по паяемой поверхности кремниевого кристалла и кристаллодержателя во время присоединения, а также согласовать их термические коэффициенть 1 линейного...