H01L 21/329 — приборов, имеющих один или два электрода, например диодов

Номер патента: 9449

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/872, H01L 21/329

Метки: изготовления, диода, способ, шоттки

Текст:

...дислокаций кристаллической структуры с поверхностной плотностью порядка 108 см-2. Такая поверхность является эффективным геттерирующим слоем, оттягивающим на себя металлические примеси из объема кремниевой подложки во время высокотемпературных обработок. Последующее полирование планарной стороны подложки приводит к удалению геттерирующего слоя только с планарной стороны, что обусловливает низкую плотность дефектов кристаллической структуры в...

Номер патента: 8449

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Пеньков Анатолий Петрович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Карпов Иван Николаевич, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/328, H01L 29/47, H01L 21/329...

Метки: изготовления, диода, шоттки, способ

Текст:

...адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминий-кремний, во-вторых,4 8449 1 2006.08.30 структура - стойка к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения 3. Толщина слоя титана 0,07-0,15 мкм выбирается как из приведенных выше соображений, так и из условия минимизации механических напряжений в многослойной структуре /////. Сущность изобретения поясняется фиг....