Патенты с меткой «кремниевого»

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: кристаллодержателю, полупроводникового, способ, присоединения, прибора, кремниевого, кристалла

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Номер патента: 12022

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевого, кристалла, способ, полупроводникового, присоединения, прибора, кристаллодержателю

Текст:

...кремниевого кристалла к кристаллодержателю ПП, повышает выход годных ИСМЭ, а также упрощает технологию изготовления кристалла полупроводникового прибора, так как не требуется наносить многослойную припоеобразующую композицию на обратную сторону кристалла. Выбор отношения массы дозы припоя к произведению площади кристалла и плотности припоя из диапазона (1,0-1,96), где- необходимая толщина паяного соединения,объясняется следующим образом....

Номер патента: 11167

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: системы, прибора, полупроводникового, способ, изготовления, металлизации, кремниевого

Текст:

...используют частично имидизированные пленки. Требуемая адгезия достигается химическим взаимодействием ПАК с алюминием с образованием химической связи между ними в соответствии с реакцией Продукт реакции можно классифицировать как соль. Ее образование сопровождается возникновением положительных ионов алюминия на границе раздела металл - ПИ. Наличие таких ионов, даже связанных в химическое соединение, не может способствовать повышению...

Номер патента: 8885

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович, Зубович Анатолий Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/60, H01L 21/58

Метки: прибора, полупроводникового, кристалла, присоединения, кремниевого, способ, кристаллодержателю

Текст:

...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...

Номер патента: 8759

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/58, H01L 21/60

Метки: кристаллодержателю, полупроводникового, присоединения, прибора, способ, кристалла, кремниевого

Текст:

...требований технологического процесса сборки. С другой стороны, для получения качественного присоединения кристалла к кристаллодержателю полупроводникового при ВУ 8759 С 12006.12.30бора И достижения высокого выхода годных приборов необходимо обеспечить полное и равномерное растекание припоя по паяемой поверхности кремниевого кристалла и кристаллодержателя во время присоединения, а также согласовать их термические коэффициенть 1 линейного...