Карпов Иван Николаевич

Номер патента: 10510

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Алиев Алигаджи Магомедович, Жигалко Игорь Борисович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Карпов Иван Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: способ, изготовления, мощного, транзистора, дмоп, высоковольтного

Текст:

...ДМОП-транзистора по способу-прототипу, а фиг. 10-18 - по предлагаемому способу. На фиг. 1 изображено поперечное сечение после формированияэпитаксиальной структуры 1, окисного слоя 2, создания фотолитографией рисунка охранных областей-типа проводимости 3. На фиг. 2 - структура после ионного легирования бором, удаления фоторезистивной маски и разгонки внедренной примеси, где 4 - -охранная область. На фиг. 3 - структура после...

Номер патента: 10252

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Карпов Иван Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 29/66, H01L 29/00

Метки: шоттки, диод

Текст:

...счет уменьшения механических напряжений в первом барьерном слое, величина которых может превышать 1 ГПа. Никель также блокирует диффузию кислорода в силицид платины и обеспечивает формирование платиносодержащего первого барьерного слоя диода Шоттки с однородными свойствами, что, в свою очередь, приводит к снижению обратных токов, улучшению качества диодов Шоттки и повышению выхода годных. Кроме того, никель снижает высоту барьера барьерного...

Номер патента: 9129

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Карпов Иван Николаевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Малый Игорь Васильевич, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/94, H01L 29/92

Метки: микросхем, конденсатор, интегральных

Текст:

...защиты второго слоя конденсаторного диэлектрика на границе обкладки из легированного поликристаллического кремния, что обеспечивает дополнительную возможность использовать легированный слой поликристаллического кремния в качестве разводки. Кроме того, легированный слой поликристаллического кремния выполнен кристаллитным по толщине, где 2-4. У данного слоя легированного поликристаллического кремния и нижняя, и верхняя поверхности...

Номер патента: 8449

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Карпов Иван Николаевич, Пеньков Анатолий Петрович, Кузик Сергей Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/47, H01L 21/328, H01L 21/329...

Метки: изготовления, способ, шоттки, диода

Текст:

...адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминий-кремний, во-вторых,4 8449 1 2006.08.30 структура - стойка к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения 3. Толщина слоя титана 0,07-0,15 мкм выбирается как из приведенных выше соображений, так и из условия минимизации механических напряжений в многослойной структуре /////. Сущность изобретения поясняется фиг....