Патенты с меткой «шоттки»
Диод Шоттки
Номер патента: 18438
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Блынский Виктор Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Чиж Александр Леонидович, Солодуха Виталий Александрович, Малышев Сергей Александрович
МПК: H01L 29/872
Текст:
...с одинаковым шагом, образующие с подложкой омический контакт, причем упомянутые локальные области выполнены с шириной в области эпитаксиального слоя, большей 2 мкм, и высотой, большей 0,1 толщины эпитаксиального слоя, но меньшей глубины залегания перехода охранного кольца. Барьерный электрод может быть сформирован в выемке глубиной от 0,1 до 0,3 мкм,выполненной в эпитаксиальном слое, что позволит улучшить чистоту границы раздела...
Солнечный элемент на основе диода Шоттки с металлическим полупрозрачным наноячеистым электродом
Номер патента: U 10183
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Степанов Андрей Анатольевич, Муха Евгений Владимирович, Смирнов Александр Георгиевич, Сацкевич Янина Владимировна, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 31/06, H01L 27/14, H01L 31/108...
Метки: металлическим, солнечный, полупрозрачным, электродом, элемент, наноячеистым, основе, шоттки, диода
Текст:
...часть поступающего светового потока отражается и поглощается металлическим электродом, что заметно снижает эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую энергию указанного солнечного элемента. Предлагаемая полезная модель решает задачу увеличения эффективности солнечного элемента, равномерности преобразования падающей световой энергии в электрическую энергию по площади структуры солнечного элемента и срока службы...
Диод Шоттки
Номер патента: 18137
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович
МПК: H01L 29/872
Текст:
...РСЭ проходит через металлизацию анода и рассеивается через охранное кольцо и локальные области -типа проводимости. Наличие локальных областей -типа проводимости обуславливает дополнительные пути рассеивания импульса РСЭ и позволяет повысить устойчивость диода Шоттки к воздействию РСЭ. Увеличение выхода годных достигается благодаря выбору оптимальной концентрации областей -типа проводимости за счет снижения сопротивления и выравнивания...
Способ радиационной отбраковки диодов Шоттки
Номер патента: 18058
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Петрович
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: радиационной, диодов, отбраковки, способ, шоттки
Текст:
...до 5,1610-2 Кд/кг, одновременно пропуская через диоды прямой ток, величина которого составляет от 1 до 5 максимального прямого тока диода, измеряют величину пробивного напряжения у облученных диодов и осуществляют их отбраковку по изменению этой величины. Сущность способа состоит в следующем. Диоды Шоттки облучают при комнатной температуре малыми (относительно уровня легирования исходного полупроводника) дозами гамма-облучения при...
Диод Шоттки
Номер патента: 16184
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Василевский Юрий Георгиевич, Блынский Виктор Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович, Чиж Александр Леонидович, Малышев Сергей Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 29/872
Текст:
...электрических импульсов за счет того, что выделение тепла в точках локального пробоя (приводящее к необратимым изменениям в полупроводнике и выходу из строя диода Шоттки или ухудшению его параметров) происходит одновременно во многих точках ОПЗ, распределенных по его объему, что уменьшает их локальный перегрев и обуславливает лучшие условия теплоотвода. Сущность изобретения поясняется на фигуре, где 1 - полупроводниковая подложка 2 -...
Диод Шоттки
Номер патента: 15400
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Высоцкий Виктор Борисович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Глухманчук Владимир Владимирович, Голубев Николай Федорович
МПК: H01L 29/47, H01L 29/872
Текст:
...поликристаллического кремния (ППК) в составе защитного диэлектрического покрытия выполняет функцию резистивной обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии...
Диод Шоттки
Номер патента: 15214
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Довнар Николай Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Текст:
...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 15018
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Сарычев Олег Эрнстович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Бармин Михаил Дмитриевич, Ковальчук Наталья Станиславовна
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Метки: способ, диода, изготовления, шоттки
Текст:
...уменьшает обратный ток диода Шоттки. Кроме того, область -типа проводимости является геттером для примесных и структурных дефектов, что также способствует уменьшению обратного тока диода Шоттки. Удаление слоя окисла кремния после формирования ограничительного кольца -типа проводимости необходимо для обеспечения непосредственного электрического контакта слоя полуизолирующего поликристаллического кремния (ППК) защитного диэлектрического покрытия...
Диод Шоттки
Номер патента: 14848
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Голубев Николай Федорович
МПК: H01L 29/47, H01L 29/872
Текст:
...кольца будет сравнительно большим, что не позволит заметно улучшить устойчивость диода Шоттки к воздействию статического электричества. Превышение произведения ширины охранного кольца на глубину его залегания более 80 мкм 2 не приводит к дальнейшим улучшениям, что экономически нецелесообразно. При отношении глубины охранного кольца к толщине эпитаксиального слоя в диапазоне от 0,16 до 0,32 обеспечивается равномерное протекание ударного...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 14452
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Мильчанин Олег Владимирович, Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Комаров Фадей Фадеевич, Кузик Сергей Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 21/02, H01L 29/66
Метки: диода, шоттки, способ, изготовления
Текст:
...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 13177
Опубликовано: 30.04.2010
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 29/66, H01L 21/02
Метки: шоттки, изготовления, способ, диода
Текст:
...источника будет менее 950 С, а время менее 30 мин, то на поверхности не будет сформирован слой достаточно большой степени легирования бором, а значит, это приведет к низкой поверхностной концентрации бора в охранном кольце, приводящей к снижению обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Понижение температуры до первоначального уровня в окислительной среде проводят для...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 13060
Опубликовано: 30.04.2010
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Шамягин Виктор Павлович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Токарев Владимир Васильевич
МПК: H01L 21/02, H01L 29/66
Метки: изготовления, диода, шоттки, способ
Текст:
...Если отжиг проводить более 180 минут при температуре более 1040 С, то глубина залегания перехода охранного кольца будет слишком большой, а поверхностная концентрация бора в охранном кольце пониженной,что приведет к снижению величины обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Если отжиг проводить в окислительной среде, то поверхностная концентрация бора в охранном кольце будет...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 12057
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/02, H01L 29/66
Метки: шоттки, изготовления, диода, способ
Текст:
...эпитаксиального слоя примесями из подложки на стадии его нанесения, а также при выполнении последующих высокотемпературных операций формирования активной структуры диода Шоттки. Если толщина защитного эпитаксиального слоя менее 3,0 мкм, то эффективной защиты от загрязнения автолегированием примесями из подложки не будет вследствие их сквозной диффузии через защитный эпитаксиальный слой. Это, в свою очередь, приведет к разбросу...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 11278
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович
МПК: H01L 21/02
Метки: изготовления, диода, способ, шоттки
Текст:
...геттерирующего слоя, а отжиг проводят перед формированием углубления в эпитаксиальном слое. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что величина токов утечки диодов Шоттки определяется высотой барьера Шоттки, плотностью поверхностных состояний на границе металл-кремний, а также током генерации носителей заряда в области обеднения диода Шоттки 4, 5. Ионное легирование непланарной стороны подложки ионами...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 10443
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Голубев Николай Федорович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 29/66, H01L 21/02
Метки: диода, шоттки, изготовления, способ
Текст:
...платины. При меньших значениях температуры термообработки и времени ее проведения не происходит полного перехода платины в силицид, что приводит к росту обратных токов, ухудшению качества и снижению выхода годных. При температуре термообработки более 575 С и времени термообработки более 60 мин наблюдаются рост обратных токов и снижение выхода годных диодов Шоттки, связанные с диффузией кислорода в слой силицида, диффузией никеля к границе...
Диод Шоттки
Номер патента: 10252
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Карпов Иван Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 29/00, H01L 29/66
Текст:
...счет уменьшения механических напряжений в первом барьерном слое, величина которых может превышать 1 ГПа. Никель также блокирует диффузию кислорода в силицид платины и обеспечивает формирование платиносодержащего первого барьерного слоя диода Шоттки с однородными свойствами, что, в свою очередь, приводит к снижению обратных токов, улучшению качества диодов Шоттки и повышению выхода годных. Кроме того, никель снижает высоту барьера барьерного...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 9449
Опубликовано: 30.06.2007
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович
МПК: H01L 21/329, H01L 29/872
Метки: диода, изготовления, шоттки, способ
Текст:
...дислокаций кристаллической структуры с поверхностной плотностью порядка 108 см-2. Такая поверхность является эффективным геттерирующим слоем, оттягивающим на себя металлические примеси из объема кремниевой подложки во время высокотемпературных обработок. Последующее полирование планарной стороны подложки приводит к удалению геттерирующего слоя только с планарной стороны, что обусловливает низкую плотность дефектов кристаллической структуры в...
Диод Шоттки
Номер патента: 8380
Опубликовано: 30.08.2006
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Баранов Валентин Владимирович
МПК: H01L 29/47, H01L 29/872
Текст:
...раскислять естественный 2 с образованием проводящих оксидов рения, стабилизирующих границу раздела. Кроме того, сплав - обладает по сравнению сболее высокой прочностью при сохранении относительно высокой пластичности 5. 3 8380 1 2006.08.30 Слой титана в многослойном электроде толщиной 0,07-0,15 мкм является адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминийкремний, во-вторых структура / устойчива к...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 8449
Опубликовано: 30.08.2006
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Пеньков Анатолий Петрович, Кузик Сергей Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Карпов Иван Николаевич
МПК: H01L 21/328, H01L 29/47, H01L 21/329...
Метки: изготовления, шоттки, диода, способ
Текст:
...адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминий-кремний, во-вторых,4 8449 1 2006.08.30 структура - стойка к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения 3. Толщина слоя титана 0,07-0,15 мкм выбирается как из приведенных выше соображений, так и из условия минимизации механических напряжений в многослойной структуре /////. Сущность изобретения поясняется фиг....
Диод Шоттки
Номер патента: 7113
Опубликовано: 30.06.2005
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Текст:
...процессе сборки диффундируют преимущественно в виде ионов и поэтому они оказываются связанными зарядовыми ловушками, расположенными на границе раздела диэлектрических слоев 51 О 2/Та 2 О 5. По этой причине их присутствие в обедненном слое контакта Шоттки практически исключается и дестабилизирующего действия примесей во время работы прибора не происходит.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором представлен поперечный разрез диода...