H01L 21/283 — осаждением электропроводящих или диэлектрических материалов для электродов
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN
Номер патента: 8569
Опубликовано: 30.10.2006
Авторы: Яблонский Геннадий Петрович, Шуленков Алексей Серафимович, Хойкен Михаель, Стогний Александр Иванович, Шинеллер Бернд, Луценко Евгений Викторович
МПК: H01L 33/00, H01L 21/283, H01L 21/28...
Метки: способ, слою, контакта, омического, прозрачного, p-gan, изготовления, эпитаксиальному
Текст:
...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...