Емельянов Виктор Андреевич

Номер патента: U 10679

Опубликовано: 30.06.2015

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Романов Игорь Михайлович, Емельянов Антон Викторович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Жижченко Алексей Геннадьевич, Сенько Сергей Федорович, Посылкина Ольга Ивановна

МПК: C23C 14/00

Метки: покрытие, многослойное, защитное

Формула / Реферат:

Многослойное защитное покрытие, содержащее первый слой титана и последующие чередующиеся слои на основе титана толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев от 4 до 50, отличающееся тем, что упомянутые чередующиеся слои выполнены из нитрида иМногослойное защитное покрытие, содержащее первый слой титана и последующие чередующиеся слои на основе титана толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев от 4 до 50, отличающееся...

Номер патента: U 10678

Опубликовано: 30.06.2015

Авторы: Латушкина Светлана Дмитриевна, Сенько Сергей Федорович, Карпович Дмитрий Семенович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Комаровская Виктория Маратовна

МПК: C23C 28/00

Метки: инструмент, режущий

Формула / Реферат:

Режущий инструмент, содержащий режущую часть из твердосплавного материала с нанесенными на нее слоем на основе титана и последующими чередующимися слоями на основе соединений тугоплавких металлов толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев оРежущий инструмент, содержащий режущую часть из твердосплавного материала с нанесенными на нее слоем на основе титана и последующими чередующимися слоями на основе соединений тугоплавких металлов...

Номер патента: 17712

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, диэлектрическая, изоляция, полупроводниковых, межуровневая

Текст:

...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...

Номер патента: 17618

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Новиков Виктор Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: диэлектрической, полупроводниковых, изготовления, способ, изоляции, межуровневой, приборов

Текст:

...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...

Номер патента: U 9270

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Куис Дмитрий Валерьевич, Рудак Павел Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: C23C 28/00

Метки: инструмент, режущий

Текст:

...технического решения заключается в измельчении структуры упрочняющей пленки. Хром, цирконий и молибден обладают электрохимическими свойствами, близкими к свойствам титана, а их атомные радиусы отличаются от радиуса атомов титана не более чем на 12 , что обеспечивает образование твердых растворов замещения в широком интервале концентраций. Присутствие инородных атомов в процессе кристаллизации пленки титана препятствует образованию крупных...

Номер патента: U 9269

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Карпович Дмитрий Валерьевич, Латушкина Светлана Дмитриевна, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Гапанович Ольга Ивановна, Жижченко Алексей Геннадьевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: C23C 28/00

Метки: режущий, инструмент

Текст:

...и упрочняющей пленкой на основе соединений тугоплавких металлов, адгезионная пленка толщиной 0,1-2,0 мкм выполнена на основе твердого раствора хрома, или циркония, или молибдена в титане при концентрации примеси 0,5-3,0 . Сущность заявляемого технического решения заключается в измельчении структуры упрочняющей пленки. Хром, цирконий и молибден обладают электрохимическими свойствами, близкими к свойствам титана, а их атомные радиусы...

Номер патента: U 9268

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Гапанович Ольга Ивановна, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Жижченко Алексей Геннадьевич

МПК: C23C 14/00

Метки: многослойное, защитное, покрытие

Текст:

...зерен. Структура вместо столбчатой становится мелкозернистой, что сопровождается дополнительным повышением прочности. Кроме того, рассматриваемые твердые растворы характеризуются более высокой твердостью по сравнению с чистым титаном. Хотя слой титана в составе покрытия служит для обеспечения адгезии к основанию и не несет основную прочностную нагрузку, его упрочнение благотворно сказывается на износостойкости покрытия в целом. Такая...

Номер патента: U 9267

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Латушкина Светлана Дмитриевна, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Комаровская Виктория Маратовна, Пискунова Ольга Юрьевна, Емельянов Антон Викторович

МПК: C23C 14/00

Метки: покрытие, многослойное, защитное

Текст:

...более высокой твердостью по сравнению с чистым титаном. Хотя слой титана в составе покрытия служит для обеспечения адгезии к основанию и не несет основную прочностную нагрузку, его упрочнение благотворно сказывается на износостойкости покрытия в целом. Такая совокупность свойств рассматриваемых легирующих элементов позволяет получать высокопрочные пленки легированных слоев при одновременном уменьшении размеров зерен. Наличие...

Номер патента: U 9208

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Алиева Наталья Васильевна, Емельянов Виктор Андреевич, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 29/788

Метки: плавающим, полевой, транзистор, затвором

Текст:

...вовсе не присущи 6. Несмотря на небольшое различие в значении коэффициентов линейного термического расширения (клтр) 34 и кремния (3,410-6 -1 для 34 5 и 3,7210-6 -1 для 6), использование высоких температур при изготовлении ИС и отсутствие полиморфных превращений 34 приводят к возникновению высоких механических напряжений на границах раздела слоев. В связи с этим заявляемое техническое решение предусматривает использование тонких...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Алиева Наталья Васильевна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Хмыль Александр Александрович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 29/94

Метки: интегральных, конденсатор, микросхем

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Номер патента: 16227

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Гордиенко Анатолий Илларионович

МПК: H01L 21/322

Метки: кремниевая, пластина, полупроводниковая

Текст:

...пленке а- препятствуют эпитаксиальной рекристаллизации поли- и способствуют уменьшению размеров его зерен. В результате суммарная площадь межзеренных границ, определяющая эффективность геттерирования, возрастает. Использование промежуточного слоя - в составе заявляемой пластины позволяет увеличить толщину исходного слоя оксида кремния до 2,5 нм, что обеспечивает возможность проведения ее химической отмывки в процессе изготовления, делает...

Номер патента: 16226

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 21/322

Метки: кремния, способ, изготовления, полупроводниковой, пластины

Текст:

...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...

Номер патента: U 8388

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, изоляция, диэлектрическая, полупроводниковых, межуровневая

Текст:

...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...

Номер патента: 15745

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322

Метки: покрытие, геттерирующее, кремниевых, полупроводниковых, пластин

Текст:

...еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 2,5 нм до значений не более...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, удаления, системы, изготовлении, состав, приборов, металлизации, фоторезиста

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Номер патента: 15742

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: изготовления, полупроводниковых, способ, системы, приборов, металлизации

Текст:

...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...

Номер патента: 15321

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: C23C 16/22, H01L 21/322

Метки: полупроводниковых, формирования, пластин, кремниевых, способ, покрытия, геттерирующего

Текст:

...перед нанесением слоя поликристаллического кремния дополнительно проводят осаждение пленки гидрогенизированного аморфного кремния толщиной 10-100 нм а также тем, что осаждение пленок гидрогенизированного аморфного кремния и слоя поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с...

Номер патента: 14401

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Вершина Алексей Константинович

МПК: C23C 14/32, B23P 15/28

Метки: инструмент, износостойкого, способ, режущий, нанесения, покрытия

Текст:

...также снижает качество формируемого покрытия. Технической задачей предлагаемого изобретения является увеличение износостойкости инструмента путем повышения качества наносимого покрытия за счет обеспечения оптимальной температуры нагрева инструментов для формируемого покрытия. Поставленная задача решается тем, что в способе нанесения износостойкого покрытия на режущий инструмент, включающем размещение инструмента на держателе, очистку и...

Номер патента: 14195

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: полупроводниковой, структуры, изделия, способ, частности, качества, контроля, пластины, поверхности

Текст:

...дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема осуществления контроля, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого способа (б). Свет от точечного источника...

Номер патента: 14194

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01B 9/00, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: частности, пластины, контроля, изделия, устройство, структуры, полупроводниковой, поверхности, качества

Текст:

...где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого устройства (б). Заявляемое устройство содержит точечный источник оптического излучения 1, держатель образцов 2, выполненный в виде кольцевой опоры, внутри которой создается разрежение за счет подключения к вакуумной магистрали или насосу...

Номер патента: U 6967

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 23/00

Метки: пластина, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -ОН. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 25 до нескольких ангстрем. Слой 2 толщиной несколько ангстрем, как и в случае прототипа, уже не является 3 69672011.02.28 препятствием для диффузии неконтролируемых примесей из объема кремниевой подложки в поликристаллическую пленку. Наличие групп - в объеме пленок - и...

Номер патента: U 6966

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 21/02

Метки: пластин, кремниевых, геттерирующее, покрытие, полупроводниковых

Текст:

...примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых примесей, поскольку характеризуется еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия...

Номер патента: 13466

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/52

Метки: полупроводниковых, системы, металлизации, кремниевых, приборов, способ, изготовления

Текст:

...структуры после травления алюминия. Недостатком прототипа является то, что барьерный слой формируется не только на поверхности межуровневого диэлектрика, но и непосредственно в контактных окнах. Поскольку он обладает сравнительно высоким электрическим сопротивлением по сравнению с металлом и имеет электронный тип проводимости, это приводит к увеличению переходного сопротивления контактов, особенно к -областям, что снижает качество системы...

Номер патента: U 5775

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: устройство, поверхности, изделий, качества, контроля

Текст:

...уменьшением радиуса кривизны наблюдаемых топографических дефектов. В ряде случаев это приводит к фокусировке их изображения (изображение дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемая полезная модель поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения...

Номер патента: 11976

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Котова Инна Федоровна, Мухуров Николай Иванович, Ефремов Георгий Игнатьевич

МПК: H01H 59/00

Метки: микроактюатор, электростатический

Текст:

...подложка выполнена плоской и с прямоугольным подвижным элементом, выполненным посредством сквозных пазов, соотношение коротких и длинных сторон которого составляет 1(1020), соединенным серединами коротких сторон с подложкой посредством Г-образных опор, расположенных симметрично относительно короткой оси симметрии подвижного элемента, при этом подложка выполнена с четырьмя симметричными выступами, направленными к длинным сторонам...

Номер патента: 12058

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: B05D 5/12, C23C 16/455, H01L 21/02...

Метки: полуизолирующего, осаждения, пленки, способ, кремния, поликристаллического

Текст:

...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...

Номер патента: 12057

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: шоттки, диода, способ, изготовления

Текст:

...эпитаксиального слоя примесями из подложки на стадии его нанесения, а также при выполнении последующих высокотемпературных операций формирования активной структуры диода Шоттки. Если толщина защитного эпитаксиального слоя менее 3,0 мкм, то эффективной защиты от загрязнения автолегированием примесями из подложки не будет вследствие их сквозной диффузии через защитный эпитаксиальный слой. Это, в свою очередь, приведет к разбросу...

Номер патента: 11992

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Дудар Наталия Леонидовна, Сякерский Валентин Степанович, Леонов Николай Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Лемешевская Алла Михайловна, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 29/00

Метки: каналом, встроенным, моп-транзистор

Текст:

...обеспечивается постоянный ток стока в заданном диапазоне подаваемых на структуру транзистора обратных сток-истоковых напряжений. Сущность изобретения заключается в том, что в МОП-транзисторе области стока и истока отнесены на определенное расстояние (например, на 1 мкм) от границ затвора,причем длина встроенного канала превышает длину затвора, в результате чего ток стока 11992 1 2009.06.30 транзистора остается постоянным в заданном диапазоне...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02

Метки: пленок, кремния, травления, состав, поликристаллического

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Номер патента: 11704

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Шведов Сергей Васильевич, Емельянов Виктор Андреевич, Котов Владимир Семенович, Дударь Наталья Леонидовна, Леонов Николай Иванович

МПК: H01L 29/00, H01C 7/00, H01C 1/00...

Метки: высокоомного, резистора, способ, поликремниевого, изготовления

Текст:

...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...

Номер патента: 11703

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сякерский Валентин Степанович, Лемешевская Алла Михайловна, Леонов Николай Иванович, Котов Владимир Семенович, Дударь Наталья Леонидовна

МПК: H01C 7/00, H01L 29/00, H01C 1/00...

Метки: поликремниевый, высокоомный, резистор

Текст:

...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...

Номер патента: 11541

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна, Бахматова Надежда Андреевна, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: G03F 7/32

Метки: позитивного, фоторезиста, проявления, состав

Текст:

...бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетные массы гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля 4000 и высыпать в транспортную емкость. 2.4. Перемешать полученный состав. Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами. Для приготовления заявляемого состава были взяты различные концентрации гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля...

Номер патента: 11521

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: B08B 11/00

Метки: проб, выполненного, поливинилхлоридной, виде, очистки, способ, деионизованной, трубки, отборника, воды, гибкой

Текст:

...протоком со скоростью движения воды не менее 1,5 м/с, изготовленных из поливинилхлоридных (ПВХ) трубок, установленных после фильтра тонкой очистки (ФТО). ПВХ трубки с внутренним диаметром 4-10 мм достаточно гибкие и удобные для проведения качественного отбора проб деионизованной воды в стерильные промежуточные емкости. Однако внутренняя поверхность трубок из ПВХ пористая, что способствует оседанию на них бактерий и их росту 1. По этой...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна

МПК: C09K 13/00, H01L 21/02

Метки: кремниевой, растворе, способ, полупроводниковой, качества, поверхности, контроля, химической, очистки, пластины, ph больше 7

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Номер патента: 11168

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, прибора, способ, полупроводникового

Текст:

...толщины собственного оксида, образующегося при хранении структур на воздухе (2 нм), и поэтому является гарантом стабильности полученной поверхности. Время окисления зависит от режимов обработки (давления кислорода, мощности и т.д.), но в большинстве случаев не превышает 5 мин. Типичные значения составляют 0,5-1 мин. Такие процессы обработки в плазме кислорода широко используются в технологии микроэлектроники, например, для удаления...

Номер патента: 11167

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: системы, изготовления, кремниевого, способ, прибора, полупроводникового, металлизации

Текст:

...используют частично имидизированные пленки. Требуемая адгезия достигается химическим взаимодействием ПАК с алюминием с образованием химической связи между ними в соответствии с реакцией Продукт реакции можно классифицировать как соль. Ее образование сопровождается возникновением положительных ионов алюминия на границе раздела металл - ПИ. Наличие таких ионов, даже связанных в химическое соединение, не может способствовать повышению...

Номер патента: 10921

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Портнов Лев Яковлевич, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: металлизации, полупроводникового, прибора, способ, системы, изготовления

Текст:

...проводят путем трехкратного - пятнадцатикратного воздействия импульсами магнитного поля энергией 0,5-10 кДж каждый. Сущность заявляемого технического решения заключается в селективном высокоэнергетическом воздействии на металлическую пленку при магнитно-импульсной обработке,что приводит к ее быстрой рекристаллизации без возникновения дефектов. Импульсное магнитное поле, взаимодействуя с полупроводниковой структурой, обусловливает...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: остатков, кремниевых, интегральных, изготовлении, металло-кремнийорганических, полимерных, удаления, микросхем, состав

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Номер патента: 9415

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Турыгин Анатолий Викторович, Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: поверхности, состав, пленок, очистки, алюминия, химической, основе

Текст:

...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...

Номер патента: U 3518

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Попов Александр Николаевич, Рогачев Александр Владимирович, Федосенко Николай Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Саян Николай Иосифович

МПК: B26F 1/00

Метки: металлических, мелкоразмерный, обработки, высокоточных, инструмент, изделий

Текст:

...шероховатость. Это приводит к тому, что при резании в результате отделения отдельных капель протекает разрушение покрытия нитрида титана. По этой причине для получения покрытия с более высокими триботехническими свойствами необходимо осаждение достаточно толстого алмазоподобного слоя, обеспечивающего формирование более гладкой внешней поверхности. 2 35182007.04.30 Техническая задача, решаемая заявляемой полезной моделью, заключается в...