Емельянов Виктор Андреевич
Многослойное защитное покрытие
Номер патента: U 10679
Опубликовано: 30.06.2015
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Посылкина Ольга Ивановна, Жижченко Алексей Геннадьевич, Латушкина Светлана Дмитриевна, Емельянов Антон Викторович, Романов Игорь Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: C23C 14/00
Метки: покрытие, защитное, многослойное
Формула / Реферат:
Многослойное защитное покрытие, содержащее первый слой титана и последующие чередующиеся слои на основе титана толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев от 4 до 50, отличающееся тем, что упомянутые чередующиеся слои выполнены из нитрида иМногослойное защитное покрытие, содержащее первый слой титана и последующие чередующиеся слои на основе титана толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев от 4 до 50, отличающееся...
Режущий инструмент
Номер патента: U 10678
Опубликовано: 30.06.2015
Авторы: Латушкина Светлана Дмитриевна, Комаровская Виктория Маратовна, Емельянов Виктор Андреевич, Карпович Дмитрий Семенович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович
МПК: C23C 28/00
Метки: инструмент, режущий
Формула / Реферат:
Режущий инструмент, содержащий режущую часть из твердосплавного материала с нанесенными на нее слоем на основе титана и последующими чередующимися слоями на основе соединений тугоплавких металлов толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев оРежущий инструмент, содержащий режущую часть из твердосплавного материала с нанесенными на нее слоем на основе титана и последующими чередующимися слоями на основе соединений тугоплавких металлов...
Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов
Номер патента: 17712
Опубликовано: 30.12.2013
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович
МПК: H01L 21/02
Метки: полупроводниковых, изоляция, диэлектрическая, межуровневая, приборов
Текст:
...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...
Способ изготовления межуровневой диэлектрической изоляции для полупроводниковых приборов
Номер патента: 17618
Опубликовано: 30.10.2013
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Новиков Виктор Александрович
МПК: H01L 21/02
Метки: полупроводниковых, межуровневой, способ, приборов, диэлектрической, изоляции, изготовления
Текст:
...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...
Режущий инструмент
Номер патента: U 9270
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Куис Дмитрий Валерьевич, Рудак Павел Викторович, Емельянов Антон Викторович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: C23C 28/00
Метки: режущий, инструмент
Текст:
...технического решения заключается в измельчении структуры упрочняющей пленки. Хром, цирконий и молибден обладают электрохимическими свойствами, близкими к свойствам титана, а их атомные радиусы отличаются от радиуса атомов титана не более чем на 12 , что обеспечивает образование твердых растворов замещения в широком интервале концентраций. Присутствие инородных атомов в процессе кристаллизации пленки титана препятствует образованию крупных...
Режущий инструмент
Номер патента: U 9269
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Жижченко Алексей Геннадьевич, Сенько Сергей Федорович, Гапанович Ольга Ивановна, Латушкина Светлана Дмитриевна, Карпович Дмитрий Валерьевич
МПК: C23C 28/00
Метки: инструмент, режущий
Текст:
...и упрочняющей пленкой на основе соединений тугоплавких металлов, адгезионная пленка толщиной 0,1-2,0 мкм выполнена на основе твердого раствора хрома, или циркония, или молибдена в титане при концентрации примеси 0,5-3,0 . Сущность заявляемого технического решения заключается в измельчении структуры упрочняющей пленки. Хром, цирконий и молибден обладают электрохимическими свойствами, близкими к свойствам титана, а их атомные радиусы...
Многослойное защитное покрытие
Номер патента: U 9268
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Гапанович Ольга Ивановна, Жижченко Алексей Геннадьевич, Латушкина Светлана Дмитриевна, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович
МПК: C23C 14/00
Метки: многослойное, покрытие, защитное
Текст:
...зерен. Структура вместо столбчатой становится мелкозернистой, что сопровождается дополнительным повышением прочности. Кроме того, рассматриваемые твердые растворы характеризуются более высокой твердостью по сравнению с чистым титаном. Хотя слой титана в составе покрытия служит для обеспечения адгезии к основанию и не несет основную прочностную нагрузку, его упрочнение благотворно сказывается на износостойкости покрытия в целом. Такая...
Многослойное защитное покрытие
Номер патента: U 9267
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Латушкина Светлана Дмитриевна, Комаровская Виктория Маратовна, Емельянов Виктор Андреевич, Пискунова Ольга Юрьевна, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович
МПК: C23C 14/00
Метки: многослойное, покрытие, защитное
Текст:
...более высокой твердостью по сравнению с чистым титаном. Хотя слой титана в составе покрытия служит для обеспечения адгезии к основанию и не несет основную прочностную нагрузку, его упрочнение благотворно сказывается на износостойкости покрытия в целом. Такая совокупность свойств рассматриваемых легирующих элементов позволяет получать высокопрочные пленки легированных слоев при одновременном уменьшении размеров зерен. Наличие...
Полевой транзистор с плавающим затвором
Номер патента: U 9208
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Емельянов Антон Викторович, Трусов Виктор Леонидович, Емельянов Виктор Андреевич, Алиева Наталья Васильевна, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 29/788
Метки: полевой, затвором, транзистор, плавающим
Текст:
...вовсе не присущи 6. Несмотря на небольшое различие в значении коэффициентов линейного термического расширения (клтр) 34 и кремния (3,410-6 -1 для 34 5 и 3,7210-6 -1 для 6), использование высоких температур при изготовлении ИС и отсутствие полиморфных превращений 34 приводят к возникновению высоких механических напряжений на границах раздела слоев. В связи с этим заявляемое техническое решение предусматривает использование тонких...
Конденсатор для интегральных микросхем
Номер патента: U 9178
Опубликовано: 30.04.2013
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Алиева Наталья Васильевна, Трусов Виктор Леонидович, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Хмыль Александр Александрович, Шикуло Владимир Евгеньевич
МПК: H01L 29/94
Метки: конденсатор, интегральных, микросхем
Текст:
...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...
Полупроводниковая кремниевая пластина
Номер патента: 16227
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич
МПК: H01L 21/322
Метки: полупроводниковая, кремниевая, пластина
Текст:
...пленке а- препятствуют эпитаксиальной рекристаллизации поли- и способствуют уменьшению размеров его зерен. В результате суммарная площадь межзеренных границ, определяющая эффективность геттерирования, возрастает. Использование промежуточного слоя - в составе заявляемой пластины позволяет увеличить толщину исходного слоя оксида кремния до 2,5 нм, что обеспечивает возможность проведения ее химической отмывки в процессе изготовления, делает...
Способ изготовления полупроводниковой пластины кремния
Номер патента: 16226
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Гордиенко Анатолий Илларионович
МПК: H01L 21/322
Метки: кремния, полупроводниковой, способ, пластины, изготовления
Текст:
...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...
Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов
Номер патента: U 8388
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/02
Метки: диэлектрическая, полупроводниковых, межуровневая, изоляция, приборов
Текст:
...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...
Геттерирующее покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин
Номер патента: 15745
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович
МПК: H01L 21/322
Метки: пластин, полупроводниковых, покрытие, геттерирующее, кремниевых
Текст:
...еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 2,5 нм до значений не более...
Состав для удаления фоторезиста при изготовлении системы металлизации полупроводниковых приборов
Номер патента: 15743
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/28
Метки: полупроводниковых, удаления, состав, фоторезиста, системы, изготовлении, металлизации, приборов
Текст:
...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....
Способ изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов
Номер патента: 15742
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/28
Метки: приборов, способ, системы, полупроводниковых, металлизации, изготовления
Текст:
...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...
Способ формирования геттерирующего покрытия для полупроводниковых кремниевых пластин
Номер патента: 15321
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: C23C 16/22, H01L 21/322
Метки: покрытия, геттерирующего, формирования, способ, полупроводниковых, пластин, кремниевых
Текст:
...перед нанесением слоя поликристаллического кремния дополнительно проводят осаждение пленки гидрогенизированного аморфного кремния толщиной 10-100 нм а также тем, что осаждение пленок гидрогенизированного аморфного кремния и слоя поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с...
Способ нанесения износостойкого покрытия на режущий инструмент
Номер патента: 14401
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Вершина Алексей Константинович
МПК: C23C 14/32, B23P 15/28
Метки: покрытия, режущий, нанесения, износостойкого, способ, инструмент
Текст:
...также снижает качество формируемого покрытия. Технической задачей предлагаемого изобретения является увеличение износостойкости инструмента путем повышения качества наносимого покрытия за счет обеспечения оптимальной температуры нагрева инструментов для формируемого покрытия. Поставленная задача решается тем, что в способе нанесения износостойкого покрытия на режущий инструмент, включающем размещение инструмента на держателе, очистку и...
Способ контроля качества поверхности изделия, в частности, полупроводниковой пластины и/или структуры
Номер патента: 14195
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович
МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, H01L 21/66...
Метки: структуры, способ, поверхности, контроля, изделия, пластины, частности, качества, полупроводниковой
Текст:
...дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема осуществления контроля, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого способа (б). Свет от точечного источника...
Устройство для контроля качества поверхности изделия, в частности, полупроводниковой пластины и/или структуры
Номер патента: 14194
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович
МПК: G01B 9/00, G01B 11/30, G01N 21/88...
Метки: поверхности, устройство, контроля, качества, частности, изделия, пластины, структуры, полупроводниковой
Текст:
...где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого устройства (б). Заявляемое устройство содержит точечный источник оптического излучения 1, держатель образцов 2, выполненный в виде кольцевой опоры, внутри которой создается разрежение за счет подключения к вакуумной магистрали или насосу...
Полупроводниковая кремниевая пластина
Номер патента: U 6967
Опубликовано: 28.02.2011
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Петлицкий Александр Николаевич
МПК: H01L 23/00
Метки: пластина, полупроводниковая, кремниевая
Текст:
...между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -ОН. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 25 до нескольких ангстрем. Слой 2 толщиной несколько ангстрем, как и в случае прототипа, уже не является 3 69672011.02.28 препятствием для диффузии неконтролируемых примесей из объема кремниевой подложки в поликристаллическую пленку. Наличие групп - в объеме пленок - и...
Геттерирующее покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин
Номер патента: U 6966
Опубликовано: 28.02.2011
Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич
МПК: H01L 21/02
Метки: полупроводниковых, кремниевых, геттерирующее, пластин, покрытие
Текст:
...примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых примесей, поскольку характеризуется еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия...
Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов
Номер патента: 13466
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/02, H01L 23/52
Метки: системы, металлизации, способ, кремниевых, приборов, полупроводниковых, изготовления
Текст:
...структуры после травления алюминия. Недостатком прототипа является то, что барьерный слой формируется не только на поверхности межуровневого диэлектрика, но и непосредственно в контактных окнах. Поскольку он обладает сравнительно высоким электрическим сопротивлением по сравнению с металлом и имеет электронный тип проводимости, это приводит к увеличению переходного сопротивления контактов, особенно к -областям, что снижает качество системы...
Устройство для контроля качества поверхности изделий
Номер патента: U 5775
Опубликовано: 30.12.2009
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: G01N 21/88, H01L 21/66, G01B 11/30...
Метки: изделий, качества, поверхности, устройство, контроля
Текст:
...уменьшением радиуса кривизны наблюдаемых топографических дефектов. В ряде случаев это приводит к фокусировке их изображения (изображение дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемая полезная модель поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения...
Электростатический микроактюатор
Номер патента: 11976
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Котова Инна Федоровна, Мухуров Николай Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Ефремов Георгий Игнатьевич
МПК: H01H 59/00
Метки: микроактюатор, электростатический
Текст:
...подложка выполнена плоской и с прямоугольным подвижным элементом, выполненным посредством сквозных пазов, соотношение коротких и длинных сторон которого составляет 1(1020), соединенным серединами коротких сторон с подложкой посредством Г-образных опор, расположенных симметрично относительно короткой оси симметрии подвижного элемента, при этом подложка выполнена с четырьмя симметричными выступами, направленными к длинным сторонам...
Способ осаждения пленки полуизолирующего поликристаллического кремния
Номер патента: 12058
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Соловьев Ярослав Александрович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич
МПК: B05D 5/12, H01L 21/02, C23C 16/455...
Метки: пленки, способ, кремния, поликристаллического, полуизолирующего, осаждения
Текст:
...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 12057
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Емельянов Виктор Андреевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 21/02, H01L 29/66
Метки: диода, изготовления, способ, шоттки
Текст:
...эпитаксиального слоя примесями из подложки на стадии его нанесения, а также при выполнении последующих высокотемпературных операций формирования активной структуры диода Шоттки. Если толщина защитного эпитаксиального слоя менее 3,0 мкм, то эффективной защиты от загрязнения автолегированием примесями из подложки не будет вследствие их сквозной диффузии через защитный эпитаксиальный слой. Это, в свою очередь, приведет к разбросу...
МОП-транзистор со встроенным каналом
Номер патента: 11992
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Леонов Николай Иванович, Сякерский Валентин Степанович, Емельянов Виктор Андреевич, Шведов Сергей Васильевич, Дудар Наталия Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна
МПК: H01L 29/00
Метки: каналом, моп-транзистор, встроенным
Текст:
...обеспечивается постоянный ток стока в заданном диапазоне подаваемых на структуру транзистора обратных сток-истоковых напряжений. Сущность изобретения заключается в том, что в МОП-транзисторе области стока и истока отнесены на определенное расстояние (например, на 1 мкм) от границ затвора,причем длина встроенного канала превышает длину затвора, в результате чего ток стока 11992 1 2009.06.30 транзистора остается постоянным в заданном диапазоне...
Состав для травления пленок поликристаллического кремния
Номер патента: 11821
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/02
Метки: травления, кремния, состав, пленок, поликристаллического
Текст:
...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...
Способ изготовления высокоомного поликремниевого резистора
Номер патента: 11704
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Леонов Николай Иванович, Дударь Наталья Леонидовна, Котов Владимир Семенович, Шведов Сергей Васильевич, Лемешевская Алла Михайловна, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 29/00, H01C 1/00, H01C 7/00...
Метки: способ, высокоомного, резистора, поликремниевого, изготовления
Текст:
...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...
Высокоомный поликремниевый резистор
Номер патента: 11703
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Дударь Наталья Леонидовна, Емельянов Виктор Андреевич, Котов Владимир Семенович, Лемешевская Алла Михайловна, Сякерский Валентин Степанович, Леонов Николай Иванович
МПК: H01C 7/00, H01C 1/00, H01L 29/00...
Метки: высокоомный, поликремниевый, резистор
Текст:
...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...
Состав для проявления позитивного фоторезиста
Номер патента: 11541
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна, Бахматова Надежда Андреевна, Кисель Анатолий Михайлович
МПК: G03F 7/32
Метки: позитивного, фоторезиста, состав, проявления
Текст:
...бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетные массы гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля 4000 и высыпать в транспортную емкость. 2.4. Перемешать полученный состав. Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами. Для приготовления заявляемого состава были взяты различные концентрации гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля...
Способ очистки отборника проб деионизованной воды, выполненного в виде гибкой поливинилхлоридной трубки
Номер патента: 11521
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: B08B 11/00
Метки: деионизованной, очистки, выполненного, гибкой, поливинилхлоридной, виде, трубки, способ, отборника, воды, проб
Текст:
...протоком со скоростью движения воды не менее 1,5 м/с, изготовленных из поливинилхлоридных (ПВХ) трубок, установленных после фильтра тонкой очистки (ФТО). ПВХ трубки с внутренним диаметром 4-10 мм достаточно гибкие и удобные для проведения качественного отбора проб деионизованной воды в стерильные промежуточные емкости. Однако внутренняя поверхность трубок из ПВХ пористая, что способствует оседанию на них бактерий и их росту 1. По этой...
Способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковой кремниевой пластины в растворе c pH больше 7
Номер патента: 11176
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович
МПК: C09K 13/00, H01L 21/02
Метки: пластины, очистки, контроля, способ, ph больше 7, растворе, кремниевой, качества, химической, поверхности, полупроводниковой
Текст:
...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...
Способ изготовления полупроводникового прибора
Номер патента: 11168
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/02
Метки: изготовления, способ, прибора, полупроводникового
Текст:
...толщины собственного оксида, образующегося при хранении структур на воздухе (2 нм), и поэтому является гарантом стабильности полученной поверхности. Время окисления зависит от режимов обработки (давления кислорода, мощности и т.д.), но в большинстве случаев не превышает 5 мин. Типичные значения составляют 0,5-1 мин. Такие процессы обработки в плазме кислорода широко используются в технологии микроэлектроники, например, для удаления...
Способ изготовления системы металлизации кремниевого полупроводникового прибора
Номер патента: 11167
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович
МПК: H01L 21/02
Метки: изготовления, прибора, способ, полупроводникового, кремниевого, системы, металлизации
Текст:
...используют частично имидизированные пленки. Требуемая адгезия достигается химическим взаимодействием ПАК с алюминием с образованием химической связи между ними в соответствии с реакцией Продукт реакции можно классифицировать как соль. Ее образование сопровождается возникновением положительных ионов алюминия на границе раздела металл - ПИ. Наличие таких ионов, даже связанных в химическое соединение, не может способствовать повышению...
Способ изготовления системы металлизации полупроводникового прибора
Номер патента: 10921
Опубликовано: 30.08.2008
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Портнов Лев Яковлевич, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: изготовления, полупроводникового, способ, металлизации, прибора, системы
Текст:
...проводят путем трехкратного - пятнадцатикратного воздействия импульсами магнитного поля энергией 0,5-10 кДж каждый. Сущность заявляемого технического решения заключается в селективном высокоэнергетическом воздействии на металлическую пленку при магнитно-импульсной обработке,что приводит к ее быстрой рекристаллизации без возникновения дефектов. Импульсное магнитное поле, взаимодействуя с полупроводниковой структурой, обусловливает...
Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем
Номер патента: 9536
Опубликовано: 30.08.2007
Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Медведева Анна Борисовна
МПК: C11D 7/60, H01L 21/70
Метки: изготовлении, кремниевых, металло-кремнийорганических, интегральных, остатков, полимерных, удаления, состав, микросхем
Текст:
...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...
Состав для химической очистки поверхности пленок на основе алюминия
Номер патента: 9415
Опубликовано: 30.06.2007
Авторы: Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович, Турыгин Анатолий Викторович
МПК: H01L 21/70, C11D 7/60
Метки: химической, состав, алюминия, очистки, основе, поверхности, пленок
Текст:
...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...
Мелкоразмерный инструмент для обработки высокоточных металлических изделий
Номер патента: U 3518
Опубликовано: 30.04.2007
Авторы: Рогачев Александр Владимирович, Саян Николай Иосифович, Федосенко Николай Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Попов Александр Николаевич
МПК: B26F 1/00
Метки: изделий, обработки, металлических, инструмент, высокоточных, мелкоразмерный
Текст:
...шероховатость. Это приводит к тому, что при резании в результате отделения отдельных капель протекает разрушение покрытия нитрида титана. По этой причине для получения покрытия с более высокими триботехническими свойствами необходимо осаждение достаточно толстого алмазоподобного слоя, обеспечивающего формирование более гладкой внешней поверхности. 2 35182007.04.30 Техническая задача, решаемая заявляемой полезной моделью, заключается в...