Емельянов Виктор Андреевич
Многослойное защитное покрытие
Номер патента: U 10679
Опубликовано: 30.06.2015
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Романов Игорь Михайлович, Емельянов Антон Викторович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Жижченко Алексей Геннадьевич, Сенько Сергей Федорович, Посылкина Ольга Ивановна
МПК: C23C 14/00
Метки: покрытие, многослойное, защитное
Формула / Реферат:
Многослойное защитное покрытие, содержащее первый слой титана и последующие чередующиеся слои на основе титана толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев от 4 до 50, отличающееся тем, что упомянутые чередующиеся слои выполнены из нитрида иМногослойное защитное покрытие, содержащее первый слой титана и последующие чередующиеся слои на основе титана толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев от 4 до 50, отличающееся...
Режущий инструмент
Номер патента: U 10678
Опубликовано: 30.06.2015
Авторы: Латушкина Светлана Дмитриевна, Сенько Сергей Федорович, Карпович Дмитрий Семенович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Комаровская Виктория Маратовна
МПК: C23C 28/00
Метки: инструмент, режущий
Формула / Реферат:
Режущий инструмент, содержащий режущую часть из твердосплавного материала с нанесенными на нее слоем на основе титана и последующими чередующимися слоями на основе соединений тугоплавких металлов толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев оРежущий инструмент, содержащий режущую часть из твердосплавного материала с нанесенными на нее слоем на основе титана и последующими чередующимися слоями на основе соединений тугоплавких металлов...
Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов
Номер патента: 17712
Опубликовано: 30.12.2013
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: приборов, диэлектрическая, изоляция, полупроводниковых, межуровневая
Текст:
...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...
Способ изготовления межуровневой диэлектрической изоляции для полупроводниковых приборов
Номер патента: 17618
Опубликовано: 30.10.2013
Авторы: Новиков Виктор Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович
МПК: H01L 21/02
Метки: диэлектрической, полупроводниковых, изготовления, способ, изоляции, межуровневой, приборов
Текст:
...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...
Режущий инструмент
Номер патента: U 9270
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Куис Дмитрий Валерьевич, Рудак Павел Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: C23C 28/00
Метки: инструмент, режущий
Текст:
...технического решения заключается в измельчении структуры упрочняющей пленки. Хром, цирконий и молибден обладают электрохимическими свойствами, близкими к свойствам титана, а их атомные радиусы отличаются от радиуса атомов титана не более чем на 12 , что обеспечивает образование твердых растворов замещения в широком интервале концентраций. Присутствие инородных атомов в процессе кристаллизации пленки титана препятствует образованию крупных...
Режущий инструмент
Номер патента: U 9269
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Карпович Дмитрий Валерьевич, Латушкина Светлана Дмитриевна, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Гапанович Ольга Ивановна, Жижченко Алексей Геннадьевич, Емельянов Антон Викторович
МПК: C23C 28/00
Метки: режущий, инструмент
Текст:
...и упрочняющей пленкой на основе соединений тугоплавких металлов, адгезионная пленка толщиной 0,1-2,0 мкм выполнена на основе твердого раствора хрома, или циркония, или молибдена в титане при концентрации примеси 0,5-3,0 . Сущность заявляемого технического решения заключается в измельчении структуры упрочняющей пленки. Хром, цирконий и молибден обладают электрохимическими свойствами, близкими к свойствам титана, а их атомные радиусы...
Многослойное защитное покрытие
Номер патента: U 9268
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Гапанович Ольга Ивановна, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Жижченко Алексей Геннадьевич
МПК: C23C 14/00
Метки: многослойное, защитное, покрытие
Текст:
...зерен. Структура вместо столбчатой становится мелкозернистой, что сопровождается дополнительным повышением прочности. Кроме того, рассматриваемые твердые растворы характеризуются более высокой твердостью по сравнению с чистым титаном. Хотя слой титана в составе покрытия служит для обеспечения адгезии к основанию и не несет основную прочностную нагрузку, его упрочнение благотворно сказывается на износостойкости покрытия в целом. Такая...
Многослойное защитное покрытие
Номер патента: U 9267
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Латушкина Светлана Дмитриевна, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Комаровская Виктория Маратовна, Пискунова Ольга Юрьевна, Емельянов Антон Викторович
МПК: C23C 14/00
Метки: покрытие, многослойное, защитное
Текст:
...более высокой твердостью по сравнению с чистым титаном. Хотя слой титана в составе покрытия служит для обеспечения адгезии к основанию и не несет основную прочностную нагрузку, его упрочнение благотворно сказывается на износостойкости покрытия в целом. Такая совокупность свойств рассматриваемых легирующих элементов позволяет получать высокопрочные пленки легированных слоев при одновременном уменьшении размеров зерен. Наличие...
Полевой транзистор с плавающим затвором
Номер патента: U 9208
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Алиева Наталья Васильевна, Емельянов Виктор Андреевич, Трусов Виктор Леонидович
МПК: H01L 29/788
Метки: плавающим, полевой, транзистор, затвором
Текст:
...вовсе не присущи 6. Несмотря на небольшое различие в значении коэффициентов линейного термического расширения (клтр) 34 и кремния (3,410-6 -1 для 34 5 и 3,7210-6 -1 для 6), использование высоких температур при изготовлении ИС и отсутствие полиморфных превращений 34 приводят к возникновению высоких механических напряжений на границах раздела слоев. В связи с этим заявляемое техническое решение предусматривает использование тонких...
Конденсатор для интегральных микросхем
Номер патента: U 9178
Опубликовано: 30.04.2013
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Алиева Наталья Васильевна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Хмыль Александр Александрович, Трусов Виктор Леонидович
МПК: H01L 29/94
Метки: интегральных, конденсатор, микросхем
Текст:
...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...
Полупроводниковая кремниевая пластина
Номер патента: 16227
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Гордиенко Анатолий Илларионович
МПК: H01L 21/322
Метки: кремниевая, пластина, полупроводниковая
Текст:
...пленке а- препятствуют эпитаксиальной рекристаллизации поли- и способствуют уменьшению размеров его зерен. В результате суммарная площадь межзеренных границ, определяющая эффективность геттерирования, возрастает. Использование промежуточного слоя - в составе заявляемой пластины позволяет увеличить толщину исходного слоя оксида кремния до 2,5 нм, что обеспечивает возможность проведения ее химической отмывки в процессе изготовления, делает...
Способ изготовления полупроводниковой пластины кремния
Номер патента: 16226
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич
МПК: H01L 21/322
Метки: кремния, способ, изготовления, полупроводниковой, пластины
Текст:
...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...
Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов
Номер патента: U 8388
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: приборов, изоляция, диэлектрическая, полупроводниковых, межуровневая
Текст:
...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...
Геттерирующее покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин
Номер патента: 15745
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/322
Метки: покрытие, геттерирующее, кремниевых, полупроводниковых, пластин
Текст:
...еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 2,5 нм до значений не более...
Состав для удаления фоторезиста при изготовлении системы металлизации полупроводниковых приборов
Номер патента: 15743
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/28
Метки: полупроводниковых, удаления, системы, изготовлении, состав, приборов, металлизации, фоторезиста
Текст:
...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....
Способ изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов
Номер патента: 15742
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/28
Метки: изготовления, полупроводниковых, способ, системы, приборов, металлизации
Текст:
...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...
Способ формирования геттерирующего покрытия для полупроводниковых кремниевых пластин
Номер патента: 15321
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: C23C 16/22, H01L 21/322
Метки: полупроводниковых, формирования, пластин, кремниевых, способ, покрытия, геттерирующего
Текст:
...перед нанесением слоя поликристаллического кремния дополнительно проводят осаждение пленки гидрогенизированного аморфного кремния толщиной 10-100 нм а также тем, что осаждение пленок гидрогенизированного аморфного кремния и слоя поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с...
Способ нанесения износостойкого покрытия на режущий инструмент
Номер патента: 14401
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Вершина Алексей Константинович
МПК: C23C 14/32, B23P 15/28
Метки: инструмент, износостойкого, способ, режущий, нанесения, покрытия
Текст:
...также снижает качество формируемого покрытия. Технической задачей предлагаемого изобретения является увеличение износостойкости инструмента путем повышения качества наносимого покрытия за счет обеспечения оптимальной температуры нагрева инструментов для формируемого покрытия. Поставленная задача решается тем, что в способе нанесения износостойкого покрытия на режущий инструмент, включающем размещение инструмента на держателе, очистку и...
Способ контроля качества поверхности изделия, в частности, полупроводниковой пластины и/или структуры
Номер патента: 14195
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/66, G01B 11/30, G01N 21/88...
Метки: полупроводниковой, структуры, изделия, способ, частности, качества, контроля, пластины, поверхности
Текст:
...дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема осуществления контроля, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого способа (б). Свет от точечного источника...
Устройство для контроля качества поверхности изделия, в частности, полупроводниковой пластины и/или структуры
Номер патента: 14194
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович
МПК: G01B 9/00, G01B 11/30, G01N 21/88...
Метки: частности, пластины, контроля, изделия, устройство, структуры, полупроводниковой, поверхности, качества
Текст:
...где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого устройства (б). Заявляемое устройство содержит точечный источник оптического излучения 1, держатель образцов 2, выполненный в виде кольцевой опоры, внутри которой создается разрежение за счет подключения к вакуумной магистрали или насосу...
Полупроводниковая кремниевая пластина
Номер патента: U 6967
Опубликовано: 28.02.2011
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 23/00
Метки: пластина, полупроводниковая, кремниевая
Текст:
...между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -ОН. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 25 до нескольких ангстрем. Слой 2 толщиной несколько ангстрем, как и в случае прототипа, уже не является 3 69672011.02.28 препятствием для диффузии неконтролируемых примесей из объема кремниевой подложки в поликристаллическую пленку. Наличие групп - в объеме пленок - и...
Геттерирующее покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин
Номер патента: U 6966
Опубликовано: 28.02.2011
Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич
МПК: H01L 21/02
Метки: пластин, кремниевых, геттерирующее, покрытие, полупроводниковых
Текст:
...примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых примесей, поскольку характеризуется еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия...
Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов
Номер патента: 13466
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович
МПК: H01L 21/02, H01L 23/52
Метки: полупроводниковых, системы, металлизации, кремниевых, приборов, способ, изготовления
Текст:
...структуры после травления алюминия. Недостатком прототипа является то, что барьерный слой формируется не только на поверхности межуровневого диэлектрика, но и непосредственно в контактных окнах. Поскольку он обладает сравнительно высоким электрическим сопротивлением по сравнению с металлом и имеет электронный тип проводимости, это приводит к увеличению переходного сопротивления контактов, особенно к -областям, что снижает качество системы...
Устройство для контроля качества поверхности изделий
Номер патента: U 5775
Опубликовано: 30.12.2009
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович
МПК: H01L 21/66, G01B 11/30, G01N 21/88...
Метки: устройство, поверхности, изделий, качества, контроля
Текст:
...уменьшением радиуса кривизны наблюдаемых топографических дефектов. В ряде случаев это приводит к фокусировке их изображения (изображение дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемая полезная модель поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения...
Электростатический микроактюатор
Номер патента: 11976
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Котова Инна Федоровна, Мухуров Николай Иванович, Ефремов Георгий Игнатьевич
МПК: H01H 59/00
Метки: микроактюатор, электростатический
Текст:
...подложка выполнена плоской и с прямоугольным подвижным элементом, выполненным посредством сквозных пазов, соотношение коротких и длинных сторон которого составляет 1(1020), соединенным серединами коротких сторон с подложкой посредством Г-образных опор, расположенных симметрично относительно короткой оси симметрии подвижного элемента, при этом подложка выполнена с четырьмя симметричными выступами, направленными к длинным сторонам...
Способ осаждения пленки полуизолирующего поликристаллического кремния
Номер патента: 12058
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: B05D 5/12, C23C 16/455, H01L 21/02...
Метки: полуизолирующего, осаждения, пленки, способ, кремния, поликристаллического
Текст:
...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 12057
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/02, H01L 29/66
Метки: шоттки, диода, способ, изготовления
Текст:
...эпитаксиального слоя примесями из подложки на стадии его нанесения, а также при выполнении последующих высокотемпературных операций формирования активной структуры диода Шоттки. Если толщина защитного эпитаксиального слоя менее 3,0 мкм, то эффективной защиты от загрязнения автолегированием примесями из подложки не будет вследствие их сквозной диффузии через защитный эпитаксиальный слой. Это, в свою очередь, приведет к разбросу...
МОП-транзистор со встроенным каналом
Номер патента: 11992
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Дудар Наталия Леонидовна, Сякерский Валентин Степанович, Леонов Николай Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Лемешевская Алла Михайловна, Шведов Сергей Васильевич
МПК: H01L 29/00
Метки: каналом, встроенным, моп-транзистор
Текст:
...обеспечивается постоянный ток стока в заданном диапазоне подаваемых на структуру транзистора обратных сток-истоковых напряжений. Сущность изобретения заключается в том, что в МОП-транзисторе области стока и истока отнесены на определенное расстояние (например, на 1 мкм) от границ затвора,причем длина встроенного канала превышает длину затвора, в результате чего ток стока 11992 1 2009.06.30 транзистора остается постоянным в заданном диапазоне...
Состав для травления пленок поликристаллического кремния
Номер патента: 11821
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна
МПК: H01L 21/02
Метки: пленок, кремния, травления, состав, поликристаллического
Текст:
...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...
Способ изготовления высокоомного поликремниевого резистора
Номер патента: 11704
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Шведов Сергей Васильевич, Емельянов Виктор Андреевич, Котов Владимир Семенович, Дударь Наталья Леонидовна, Леонов Николай Иванович
МПК: H01L 29/00, H01C 7/00, H01C 1/00...
Метки: высокоомного, резистора, способ, поликремниевого, изготовления
Текст:
...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...
Высокоомный поликремниевый резистор
Номер патента: 11703
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сякерский Валентин Степанович, Лемешевская Алла Михайловна, Леонов Николай Иванович, Котов Владимир Семенович, Дударь Наталья Леонидовна
МПК: H01C 7/00, H01L 29/00, H01C 1/00...
Метки: поликремниевый, высокоомный, резистор
Текст:
...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...
Состав для проявления позитивного фоторезиста
Номер патента: 11541
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна, Бахматова Надежда Андреевна, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович
МПК: G03F 7/32
Метки: позитивного, фоторезиста, проявления, состав
Текст:
...бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетные массы гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля 4000 и высыпать в транспортную емкость. 2.4. Перемешать полученный состав. Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами. Для приготовления заявляемого состава были взяты различные концентрации гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля...
Способ очистки отборника проб деионизованной воды, выполненного в виде гибкой поливинилхлоридной трубки
Номер патента: 11521
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович
МПК: B08B 11/00
Метки: проб, выполненного, поливинилхлоридной, виде, очистки, способ, деионизованной, трубки, отборника, воды, гибкой
Текст:
...протоком со скоростью движения воды не менее 1,5 м/с, изготовленных из поливинилхлоридных (ПВХ) трубок, установленных после фильтра тонкой очистки (ФТО). ПВХ трубки с внутренним диаметром 4-10 мм достаточно гибкие и удобные для проведения качественного отбора проб деионизованной воды в стерильные промежуточные емкости. Однако внутренняя поверхность трубок из ПВХ пористая, что способствует оседанию на них бактерий и их росту 1. По этой...
Способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковой кремниевой пластины в растворе c pH больше 7
Номер патента: 11176
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна
МПК: C09K 13/00, H01L 21/02
Метки: кремниевой, растворе, способ, полупроводниковой, качества, поверхности, контроля, химической, очистки, пластины, ph больше 7
Текст:
...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...
Способ изготовления полупроводникового прибора
Номер патента: 11168
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/02
Метки: изготовления, прибора, способ, полупроводникового
Текст:
...толщины собственного оксида, образующегося при хранении структур на воздухе (2 нм), и поэтому является гарантом стабильности полученной поверхности. Время окисления зависит от режимов обработки (давления кислорода, мощности и т.д.), но в большинстве случаев не превышает 5 мин. Типичные значения составляют 0,5-1 мин. Такие процессы обработки в плазме кислорода широко используются в технологии микроэлектроники, например, для удаления...
Способ изготовления системы металлизации кремниевого полупроводникового прибора
Номер патента: 11167
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/02
Метки: системы, изготовления, кремниевого, способ, прибора, полупроводникового, металлизации
Текст:
...используют частично имидизированные пленки. Требуемая адгезия достигается химическим взаимодействием ПАК с алюминием с образованием химической связи между ними в соответствии с реакцией Продукт реакции можно классифицировать как соль. Ее образование сопровождается возникновением положительных ионов алюминия на границе раздела металл - ПИ. Наличие таких ионов, даже связанных в химическое соединение, не может способствовать повышению...
Способ изготовления системы металлизации полупроводникового прибора
Номер патента: 10921
Опубликовано: 30.08.2008
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Портнов Лев Яковлевич, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович
МПК: H01L 21/02
Метки: металлизации, полупроводникового, прибора, способ, системы, изготовления
Текст:
...проводят путем трехкратного - пятнадцатикратного воздействия импульсами магнитного поля энергией 0,5-10 кДж каждый. Сущность заявляемого технического решения заключается в селективном высокоэнергетическом воздействии на металлическую пленку при магнитно-импульсной обработке,что приводит к ее быстрой рекристаллизации без возникновения дефектов. Импульсное магнитное поле, взаимодействуя с полупроводниковой структурой, обусловливает...
Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем
Номер патента: 9536
Опубликовано: 30.08.2007
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна
МПК: C11D 7/60, H01L 21/70
Метки: остатков, кремниевых, интегральных, изготовлении, металло-кремнийорганических, полимерных, удаления, микросхем, состав
Текст:
...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...
Состав для химической очистки поверхности пленок на основе алюминия
Номер патента: 9415
Опубликовано: 30.06.2007
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Турыгин Анатолий Викторович, Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна
МПК: C11D 7/60, H01L 21/70
Метки: поверхности, состав, пленок, очистки, алюминия, химической, основе
Текст:
...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...
Мелкоразмерный инструмент для обработки высокоточных металлических изделий
Номер патента: U 3518
Опубликовано: 30.04.2007
Авторы: Попов Александр Николаевич, Рогачев Александр Владимирович, Федосенко Николай Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Саян Николай Иосифович
МПК: B26F 1/00
Метки: металлических, мелкоразмерный, обработки, высокоточных, инструмент, изделий
Текст:
...шероховатость. Это приводит к тому, что при резании в результате отделения отдельных капель протекает разрушение покрытия нитрида титана. По этой причине для получения покрытия с более высокими триботехническими свойствами необходимо осаждение достаточно толстого алмазоподобного слоя, обеспечивающего формирование более гладкой внешней поверхности. 2 35182007.04.30 Техническая задача, решаемая заявляемой полезной моделью, заключается в...