H01L 21/263 — с высокой энергией

Номер патента: 18059

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: кремнии, изготовления, приборов, полупроводниковых, ядерно-легированном, силовых, способ, быстродействующих

Текст:

...Задачей изобретения является увеличение процента выхода годных приборов за счет лучшего соотношения частотных и статических характеристик. Способ изготовления силовых и быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии, при котором полностью сформированные приборные структуры с переходами и контактами перед посадкой в корпуса облучают при температуре 340-360 С в течение времени 5-10 мин до флюенса 21014-31014 см-2....

Номер патента: 17799

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: способ, кремниевых, диодов, лавинных, обработки

Текст:

...(РД). Если создать условия, при которых ГУ, попадающие в ООЗ перехода,остаются заполненными носителями заряда, то при подаче отрицательного смещения величина напряжения на диоде в начальной стадии пробояможет быть выше стационарного (расчетного) напряжения пробояна величину перенапряжения-.-образность ВАХ исчезает только после опустошения ГУ. При достаточно высокой концентрации ГУ их перезарядка способна оказать существенное влияние на...

Номер патента: 15639

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Гурин Павел Михайлович, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/263

Метки: способ, приборов, быстродействующих, кремниевых, изготовления

Текст:

...сильно облученных кремниевых -переходах процессы рекомбинации, генерации и захвата носителей заряда идут через различные радиационные дефекты - центры (РД). Это обстоятельство делает возможным независимое влияние на такие характеристики эпитаксиальных приборов, как генерационный ток, прямое падение напряжения и время жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ). При оптимальных, для конкретных приборных структур, режимах облучения и...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: обработки, изготовлении, полупроводниковых, радиационной, приборных, быстродействующих, приборов, способ, структур

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Номер патента: 15719

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: быстродействующих, тиристоров, изготовления, способ

Текст:

...Сущность изобретения заключается в том, что перед локальным облучением тиристорной структуры, в котором электронному облучению подвергают участок структуры под управляющим электродом, вводят операцию предварительного электронного облучения всего объема структуры. Введение операции предварительного облучения при изготовлении быстродействующих тиристоров позволяет с большей точностью регулировать быстродействие тиристоров, используя для этих...

Номер патента: 15626

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: диодов, изготовления, кремниевых, силовых, способ

Текст:

...(ЗПР) неравновесных носителей заряда (ННЗ) в приборной структуре, обеспечивая тем самым низкое значение прямого падения напряжения на диодепри необходимом быстродействии, нуждаются в доводке параметров на заключительном этапе их производства. Дело в том, что введение ЗПР в диодные структуры до посадки их в корпуса бесспорно технологично, но посаженные в корпуса диодные структуры имеют больше допустимого разброс по быстродействию времени...

Номер патента: 14249

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: способ, тиристоров, изготовления, запираемых

Текст:

...2 ч,то отжигается незначительная часть термостабильных дефектов с уровнем ЕС 0,36 эВ и приборы не переключаются в открытое состояние токами управления , оговоренными ТУ. Наряду с дефектом с уровнем ЕС 0,17 эВ в материал -базы при облучении вводится также дефект с акцепторным уровнем ЕС 0,34 эВ в верхней половине запрещенной зоны. Данный дефект не является эффективным центром рекомбинации и отжигается в интервале температур 550-560 С. На...

Номер патента: 8754

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/263, H01L 21/26, H01L 21/322...

Метки: радиационной, приборов, полупроводниковых, кремниевых, обработки, способ

Текст:

...носителей заряда, можно достичь, если рекомбинационные центры распределены не равномерно по базовой области, а в виде профиля, спадающего вглубь базы. Это позволяет существенно (уменьшить) снизить энергопотери на приборе в проводящем состоянии.Сущность изобретения состоит в том, что готовые кремниевые приборы, находящиеся под обратным смещением, подвергают облучению пучком электронов при пониженной температуре 90-120 К. Такая...

Номер патента: 1432

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Уренев Валерий Иванович, Ермолаев Олег Павлович

МПК: H01L 21/263, G01K 7/22

Метки: измерения, температур, низких, германиевых, способ, изготовления, термосопротивлений

Текст:

...эВ) с кристаллической решеткой германия приводит к образованию термически стабильного электрически активного радиационного дефекта с энергетическши уровнем атщепторното типа ЕуОО 16 эВ. В нелетирванном химическими примесями кристалле германия его температурная зависимость сопротивления определяется только электронными переходами между валентнойзоной и уровнем Еу 0 О 16 эВ. Меньшее значение ббысгр, нейтронов по сравнению с стенд нейтронов...